AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Решил разогнать оперативу, но уже на этапе начальных настроек столкнулся с отсутствием в меню BIOS - Ai Tweaker - Digi+VRM пунктов DRAM Current Capability и DRAM Switching Frequency (+зависимый от него Fixed DRAM Switching Frequency). По идее они должны быть сразу под CPU Power Phase Control. Но ни там, ни в других подменю я их не нашел.
Мат. плата ASUS ROG Strix Z390-E, версия BIOS 1903 (последняя на оф. странице производителя). Планки G.Skill F4-3600C17 4х8Гб. В связи с этим возникли 2 вопроса. 1. Зависит ли наличие отсутствующих пунктов меню от других параметров в BIOS или самой ОС? 2. Возможен ли более менее адекватный разгон без вышеупомянутых пунктов и если да, то на какие зависящие от них параметры стоит обратить внимание?
Последний раз редактировалось NASTIGAYKO 03.11.2021 22:46, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: В сети Регистрация: 20.08.2012 Откуда: Иваново Фото: 27
anta777 писал(а):
Объясню подробно:
Спасибо за подробный ответ.
anta777 писал(а):
Но память очень хитрая штучка.
Это точно. Пришлось поднять RDRD_dr и WRRD_dr с 5 до 6, словил bsod при запуске windows. Хотя они немного бустанули скорости записи, чтения, копирования и немного снизили латентность. Так же поднял WTR_S c 2 до 4, так как мать при тренировке сходит с ума, выставляя то нормальные тайминги, то полнейшую чушь. С 4 тренировка проходит без проблем, но всё равно приходится блок RTL выставлять руками, так как после биоса 1704, на 1802, 1902 и 1903, мать начинает периодически перетренировывать память, после перезагрузки, либо выключения и включения пк. При этом три ваших конфига, память прошла без ошибок.
_________________ Судить меня дано лишь Богу а остальным я укажу дорогу.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
Таки да, виновником всех бед стало вот это:
Зря 700 рублей потратил...
Не знаю в итоге почему, но установка охлаждения на голый кристалл посредством использования вот такой приблуды вырубает разгон ОЗУ. "AC" или "bA" пост-коды. Что-то с давлением на сокетное гнездо, я полагаю. Можем, поэтому "голые" "мутанты" и не гонятся. Хм... Может, подобные вещи не из Китая, а от какого-нибудь Der8auer работают корректно. Тестил кто его <<Direct Die Frame>>?
Собсна, разобрал контур, сделал перескальп (заодно еще пошлифовал кристалл бафиком для маникюра:), ну и по старинке, ЖМ+ЖМ (под крышку и на крышку, соответственно), собрал обратно, проблема ушла, разгон вернулся. Такие дела...
despitehttps://pc-01.tech/delid-die-guard/ Тут про DELID DIE GUARD, вроде работает, но с родной крышкой лучше. Отчасти потому что кристалл выпуклый. На мутантах там ещё от переходника-подложки разгон памяти зависит, на новых на брюшке конденсаторы, память примерно на 500мгц лучше гонится. Кстати, подложка+подожка-переходник получается толще, прогибается меньше Заодно показано как воздух с оборотистыми вентиляторами охлаждает лучше чем (простые?) СВО, но шумит. Переборщили с вентиляторами, но суть понятна.
Может, подобные вещи не из Китая, а от какого-нибудь Der8auer работают корректно
может. Под мутанты со старой подложкой прилагаются силуминовые рамки, с разным качеством исполнения, погрешностями с долями миллиметра, с некоторыми нестарт бывает (видимо приходится особо рьяно плясать для старта).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
KrAzY, я видел подобный материал. Собсна, работало то оно работало, за исключением памяти. Только вот в OCCT на 5.0ГГц при прожарке 4 ядра были 60 'C , 2 ядра были 70 'С , это хорошо. Но оставшиеся 2 ядра грелись 100 'C (СТО, КАРЛ!). С завода была тоже конская разница в 18 градусов, я хотел компенсировать, но видно не судьба. Толи я плохо шлифанул, то ли с завода такой кал подсунули. Но снял я знатно, плюс бафиком долго полировал, не знаю в общем. Один хрен, даже если бы все ядра были ~65 'C и я бы уехал в 5.4ГГц по ядру и 5.2ГГц колечко, мне бы все равно это было без толку без разгона ОЗУ, это очевидно.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
Alexshanghai писал(а):
удачу нужно охлаждать чем то.. когда в стоке 100ка на 360мм заводской водянке, о каких 5кокогерцах можно говорить...
Вот эти качели и появились на 9900k... 8700k с разогнанной памятью - это последний процессор который можно охладить без танцев с бубном... У меня сейчас 10700kf@5ГГц (1,35в)+4400 память, скальпированный проц, водянка альфакул 360, в Linx температуры 94-96 при кольце 4500...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
5ГГц были не проблемой и с интеловской х**той(простите) под крышкой на кастомной воде. 5ГГц просто красивое ровное число, поэтому хотелочка. Посмотрим, как покажет себя ЖМ+ЖМ. К слову, очень вовремя у меня кончилась термопаста и теперь тесты эффективности водоблока для ОЗУ придется отложить
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
Alexshanghai, а в 9900KS лучше кристаллы полированы? Мне и моего KF (R0) хватает:) вода мне обошлась край 30к, хоть и не с магазина, на руках 3 радиатора медных, 2 из которых 480ые, 2 помпы D5, вместительная колба и ватеры на все поверхности, включая озу и м.2. А максимум, что мне придётся - это поменять ватер на гпу. Как бы трата - да, я согласен, но взамен ультимативное охлаждение (бытовое, азот не берем в расчет) на долгие годы. Где вам ещё будет 33 градуса по ядру в фурмарке на GTX1080? (просто к примеру, давно было, но видео с бублика до сих пор лежит)
Сейчас этот форум просматривают: nito, shuler37 и гости: 9
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения