AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Предположительно для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. На март 2026 года я склоняюсь к тому, что чтение 64 байт идет с одного банка всех 8 чипов модуля. То есть за 4 такта происходит чтение 4 такта х 2(два фронта сигнала) х 8битх8чипов=512 бит или 64 байта. А оптимальный tRAS зависит от политики контроллера по закрытию строк и от его связи с tRC (определяется внутренними невидимыми нам настройками биоса). Можно предположить, что оптимальное значение tRAS=2*tRCD+несколько тактов, это определяется по количеству промахов и попаданий в открытые страницы памяти, тут нужен оптимальный КПД. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP), если позволяют чипы. Искать минимум tRAS можно , начиная с RCD+RTP и идти вверх или с 2*tRCD или tRCD+tCL+4 и идти вниз. Еще возможен такой подход к оптимальному tRAS. tRAS=tRCD+k*CCDS/CCDL+tRTP(опционально), где k - количество банков, к которым идет обращение перед возвратом в открытую строку, наш первый банк тоже учитываем. У ddr4 4 группы по 4 банка, то есть 16 банков. tRTP можно не добавлять при расчете, так как при попадании в открытую строку она не закроется пока не пройдет время tRTP от последнего чтения, а при непопадании мы выиграем время tRTP, быстрее закроется строка Если 1 другой банк, то tRAS=tRCD+8(CCDS учитываем) А с гарантией tRCD+12/14 (CCDL учитываем) Если 2 других банка tRAS=tRCD+12(для CCDS) tRAS=tRCD+18/21(для CCDL) Для 3-х других банков tRAS=tRCD+16(CCDS) tRAS=tRCD+24/28(для CCDL) Полная формула tRASopt=tRCD+k*tCCDS+n*tCCDL+tRTP(опционально) k+n = количество посещенных банков, включая наш первый, до возврата в строку По джедек k+n= обычно 2-3
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.08.2009 Откуда: Краснодар Фото: 11
besson018 писал(а):
Я бы поправил 2ки, 3ки и кривой ртл и думаю это возможно спасло бы ситуацию.
Если есть к чему из вторичек и третичек вопросы с удовольствием попробую ваш вариант!
kitzik писал(а):
Скорее всего надо поднимать до 1.56v, но оно явно того не стоит при такой напруге.
Ну с хорошим обдувом и в перспективе водоблоком на ОЗУ поче му бы и нет? Тем более попадались комплекты памяти на 5000 с питанием от производителя 1.55v
У меня стоит фикс 4800 и частота процессора у меня не скачет. Совсем немножко частота шины меняется, ибо у меня таки не Unify.
Забыл\пропустил\не заметил
iskandar писал(а):
Напряжение процессора я руками принудительно выставил по тем же причинам - чтобы не скакало при изменении нагрузки пусть даже оно будет завышено при малой нагрузке.
Даже если вы выведете LLC точно в 0 просадок, то это не отменяет выбросы и провалы при смене нагрузки. Быстродействие петли обратной связи конечное.
iskandar писал(а):
То, что напряжение процессора, которое мониторится на системной плате, очень сильно отличается напряжения на самом кристалле, я знаю.
Я высказал предположение, что кроме падения на пути к кристаллу, есть ощутимое падение на самом кристалле. Его система LLC не компенсирует. Предположение основано на том, что для однопоточной нагрузки вроде как напряжение нужно меньше. Точнее: мониторинг показывает пики частоты без соответствующих пиков на кристалле. Кстати. HWINFO показывает VID для отдельных ядер -оно скачет.
iskandar писал(а):
По части нагружения процессора я предпочитаю линкс. Огромная нагрузка, а на малых задачах ещё и резко меняющаяся.
Да. Но в контексте этого предположения линкс это не покажет. У него нагрузка меняется синхронно или относительно синхронно. И "медленно" (редко).
iskandar писал(а):
Но меня интересуют не бредни обкуренных ютюберов, а конкретные результаты.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.08.2009 Откуда: РБ, Белорецк
iskandar писал(а):
Хотелось бы конкретики.
Куда конкретнее то, LLC офнул, т.к. 3-6 мне не помогли, завышали напряжение в простое почему то, я его поставил в авто, а на главной поставил адаптивный+офсет, выставил питание 1,06в и офсет -0,06в, сейчас вроде стабильно 1,064в максимум и в простое скидывает до 0,646в на ядрах. Такой расклад меня устроил, а с LLC при 1,06в выставленном и адаптивном режиме, задирало до 1,125в и выше.
_________________ 10600KF DDR4-3733 Palit jetstream 1066 MSI Z490-A PRO
Так не бывает. Я Вам не верю, от слова совсем. Причина низких показателей - косяки в настройках биоса, судя по всему. Что конкретно сказать не могу, т.к. Вы свои настройки никому так и не показали. Это Вам нужно, а не мне. Так что дальше никого уговаривать не собираюсь.
Вы были правы,повторно выставил вторички и все заработало.(напряжение на память 1.46 теперь последний вопрос,нормально ли я выставил вторички? нет ли аномалий? и напргуи vccio (1.331) и vccsa (1.308) в авто режиме выставленные не высоковаты? спасибо Всем.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Это для DDR5. tRFCpb=per bank Время регенерации части банков (один банк из каждой группы). Начинает работать только при температуре памяти больше 85 градусов, когда применяется уже время tRFC2, а не tRFC1. При разгоне DDR5 на него пока можно не обращать внимание.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
tool80 писал(а):
LLC офнул, т.к. 3-6 мне не помогли, завышали напряжение в простое почему то
Трудно что либо настроить, если нет понятия как "оно" работает и что на что влияет.
В простое, т.е. при минимальной нагрузке, LLC не фурычет, напряжение vCore зависит от настроек в BIOS. При увеличении нагрузки увеличивается ток, поэтому напряжение падает, вот тут то и включается в работу LLC (Load-Line Calibration) - компенсирует падение напряжения vCore. Т.е. при увеличении нагрузки, LLC повышает напряжение vCore до нормы, степень повышения зависит от выбора уровня LLC, может недотягивать или завышать, обычно (на платах асус) ставят уровень 5.
в топовых ASUS внедрили сверхточный датчик on-die sense, который находится в непосредственной близости от ЦП, соответственно его показания являются наиболее точными на текущий момент - показания выведены как значения Vcore на максимусах 11 серии.
вот у меня схема простенькой матери примерно 6 лет возрастом. На входе VRM ядра датчик тока. Четыре фазы. С дросселя каждой фазы снимается сигнал. Т.е. измеряется ток и напряжение каждой фаза. Далее медь до сокета. Нет там никаких точек измерения. У процессора отдельные выводы с on-die sense. Т.е. от датчика напряжения непосредственно на кристалле. Именно с него работает LLC. Это не чудесное изобретение асуса. Это часть любого процессора. И не "в близости", а именно на кристалле. Он так и называется.
Super IO может измерять напряжение в любом месте от выхода VRM до сокета - зависит от того, где было удобнее разработчикам матери. Не факт, что с сокета. Там и без этого очень тесно. Основное достоинство перед вольтметром - всегда повторяемые результаты. Т.к. от места подключения показания будут меняться, а вольтметром можно ткнуть не туда, или сложно подобраться.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
HskR Речь об этом, например. https://www.youtube.com/watch?v=UOh64CzYZMg Сравнивает кривой офсет со стоком. И о чудо - офсет победил. Чтобы не победить сток, нужно быть редкостным рукожопом. Особенно с учётом того, что сток настроен непонятно под какие процессоры и сделан с огромными запасами.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
HskR писал(а):
Даже если вы выведете LLC точно в 0 просадок, то это не отменяет выбросы и провалы при смене нагрузки. Быстродействие петли обратной связи конечное.
Я много лет разрабатывал, производил и ремонтировал импульсные источники электропитания. Диплом по ним же был. Я немного в этом разбираюсь. Специальной терминологией я вполне владею и могу любого тут запарить ей до бессознательного состояния.
Нужно подобрать такую нагрузку, при которой переходные процессы VRM процессора проявляются сильнее всего. Для многопоточных задач это LinX с малым размером задачи (временем прогона 5-15с). Мне на моём процессоре сейчас удобнее всего гонять линкс с задачей 15000. Для однопоточных - не знаю. Для меня все эти показания HWiNFO и т.п. - весьма относительны. Я отдаю себе отчёт, что закон Ома никто не отменял и т.п. Но если в мониторинге матери напряжения скачут как умалишённые, то никакой стабильности точно и близко нет. А в реальности всё гораздо хуже, чем показывает мониторинг на системной плате.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения