AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Предположительно для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. На март 2026 года я склоняюсь к тому, что чтение 64 байт идет с одного банка всех 8 чипов модуля. То есть за 4 такта происходит чтение 4 такта х 2(два фронта сигнала) х 8битх8чипов=512 бит или 64 байта. А оптимальный tRAS зависит от политики контроллера по закрытию строк и от его связи с tRC (определяется внутренними невидимыми нам настройками биоса). Можно предположить, что оптимальное значение tRAS=2*tRCD+несколько тактов, это определяется по количеству промахов и попаданий в открытые страницы памяти, тут нужен оптимальный КПД. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP), если позволяют чипы. Искать минимум tRAS можно , начиная с RCD+RTP и идти вверх или с 2*tRCD или tRCD+tCL+4 и идти вниз. Еще возможен такой подход к оптимальному tRAS. tRAS=tRCD+k*CCDS/CCDL+tRTP(опционально), где k - количество банков, к которым идет обращение перед возвратом в открытую строку, наш первый банк тоже учитываем. У ddr4 4 группы по 4 банка, то есть 16 банков. tRTP можно не добавлять при расчете, так как при попадании в открытую строку она не закроется пока не пройдет время tRTP от последнего чтения, а при непопадании мы выиграем время tRTP, быстрее закроется строка Если 1 другой банк, то tRAS=tRCD+8(CCDS учитываем) А с гарантией tRCD+12/14 (CCDL учитываем) Если 2 других банка tRAS=tRCD+12(для CCDS) tRAS=tRCD+18/21(для CCDL) Для 3-х других банков tRAS=tRCD+16(CCDS) tRAS=tRCD+24/28(для CCDL) Полная формула tRASopt=tRCD+k*tCCDS+n*tCCDL+tRTP(опционально) k+n = количество посещенных банков, включая наш первый, до возврата в строку По джедек k+n= обычно 2-3
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
aramikkk у тебя не настроена тренировка из-за этого хуже результаты (у меня был пост на прошлых страницах как ее настроить), также я бы выставил лучше tRDWR - 12 12, но это уже по твоему усмотрению
с форума подсказали,что лучше 10,поэтому так и оставил,в принципе мне достаточно) по тренировке почитаю,спасибо
Но если говорить про табличку Анты, то там tFAW=4*tRRDS. И где-то раньше было написано про равность с tCL. Эти все данные я привел. Скрин этот уже неоднократно в этой теме выкладывал. Просто недавно видел буржуйскую инструкцию, там упоминалось не только 4*, но и или 8*. Кроме того тут неоднократно видел у других, например tFAW=17 или tFAW=18. А в xmp вообще tFAW=34. Может мне нужно было выставлять tFAW=24 (кратно 4 и 8). Или 32 (кратно 16). Или поднять на единицу tRRDS до 5.
Не помню. Уже все перемешалось. Помню, что желательное получалось tCL=16 tFAW=16 tCWL=16. Но так не стартует.
anta777 писал(а):
tFAW=4xtRRDS+t, где t - время, нужное, чтобы нагрузка на память не превышала определенного количества ампер за единицу времени.
И какое следующее оптимальное после 16? Буквы понял, смыл нет. Просто конкретно из этой фразы для меня неясно t. Оно ограничено источником питания (мать) - а если он хороший\плохой? Пиковыми тока (конденсаторы на модулях памяти)? Нагревом (можно обдувать)? t от 0 до бесконечности.
Последний раз редактировалось HskR 02.12.2021 19:01, всего редактировалось 2 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.03.2011 Откуда: Воронеж
Всем привет! Добрал себе сегодня планочку памяти на 8. Теперь 16 получилось. Удачно взял - совпадение полное кроме серийников разумеется. Подкрутил тайминги как рекомендует XMP профиль только вручную. Сейчас 16-18-18-35 (19-19-19-43 было). Частота 2666. Могу ли я добиться еще более низких значений таймингов и даст ли мне это результат? Частоту не трогаю ибо процессор 10400 работает как раз с ней и не выше (так ведь?). Скрины прилагаю. #77
_________________ i5-13600KF, MSI B760 Gaming Plus WiFi, DDR-5 5600MHz 2х16Gb, Gigabyte Aorus Elite RX 9070XT, T. IRGB Plus 1000, Lancool 216. Win10/macOS Ventura
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 28.06.2020 Фото: 1
Помогите пожалуйста советом CPU Name: Intel® Core™ i9-12900KF CPU @ Stock Motherboard Model: Z690 Aorus Elite DDR4 rev.1 bios F5a Total Size: 32 GB Type: Dual Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 3800 MHz - Ratio 1:19 Timings: 16-20-20-40-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Вторичные тоже немного подкручены на цифры взятые из гайда в соседней теме. Slot #1 Module: Crucial Ballistix BL16G30C15U4W.16FE DRAM - 1.4V SA - 1.2V IO - не смог найти в биосе воообще... Итоговые результаты на скрине, но очень напрягает, что латенси за 80.... Кажется высоковато? Я что-то сделал не верно или так и должно быть и все в порядке?
Падают. Применяется какое то свое значение в этом случае. И оно явно не минимальное - 4/16 , так как в скриншоте есть и ответ на твой вопрос - длительность теста слишком большая . При 4 16 все 3 цикла - 45- 52мин . А тут 2 цикл не может закончиться еще. А значит tFAW тут точно не 16, плата выставила какое-то свое безопасное значение. Так же падает Total Dram power и нагрев соответственно
Доброго времени суток - Нужна помощь в разгоне оперативной памяти. Конфиг: intel z590 asus prime z590-p Intel Core i5 11600K DDR4 32Гб Kingston FURY Beast Black (KF432C16BB1K2/32) на чипах самсунг
Уже всю голову сломал (опыта мало в разгоне) пересмотрел инструкции. Перетыкал все что можно было перетыкать Заводится только в XMP 3200.
Очень хотелось бы выжать максимум их этих плашек (Отблагодарю)
Сейчас этот форум просматривают: bibig0n9379992 и гости: 17
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения