AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Куратор темы Статус: В сети Регистрация: 10.06.2011
Нет, недавно были наблюдения, что с WTRS=5 лучше показатели. WTRS=WRRDdg-CWL-6
Просто реальный WTRS у интела на 2 больше, чем мы задаем. Поэтому 3 - это реально 5.
И я вообще уже очень давно подозреваю авторов биосов в том, что реально применяются не те значения для многих таймингов, что мы задаем в биосе. Если при снижении тайминга (кроме tREFI, для него при увеличении) мы получаем ухудшение показателей, то реально этот тайминг не стоит снижать.
Единственная проблема, что проверять нужно всегда в одинаковых условиях. Обязательно дефрагментировать память перед проверкой с помощью Rammap или аналога. При одинаковом количестве запущенных процессов винды, отключенном интернете.
Добавлено спустя 13 минут 5 секунд: Etetran Ты принципально не хочешь пользоваться моей таблицей для разгона памяти?
я тоже попробовал выставить 100 и взять 3400 - получилось с теми же таймингами! еще небольшой прирост) в общем 100 или 133 без разницы для производительности... (доступные частоты только меняются, 100 или 133 это базовое основание для них)
3500 уже всё - синька, а уменьшать тайминги ради 100мгц пока не хочется. то что 3600 не берётся у нас видимо или материнка или биос... тут встречал у людей версии биосы аж "F14d" (другой чипсет)... то есть гигабайт еще долго будет пилить биос под Z690.
пробовали 3500 взять?
п.с. кстати у вас суммарно 32гига, но 4 плашки, если взять 2 плашки по 16 гигов и вставить в слоты А2-В2, то можно достичь более высоких частот. у меня то без вариантов - мне то 64гига надо, тут уж 4х16гига самсунг-бидай самое оптимальное решение.
_________________ 12900k | gigabyte gaming x ddr4 | g.skill ripjaws v f4-3200c14q-64gvr 64 gb | arctic liquid freezer-2 420 | palit 3070ti 8gb | ssd sams evo 1tb
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.03.2019 Фото: 15
anta777 Проверил на своей МSI Фотоворксом WTRS=2 и 3 в максимально идентичных условиях по 3 прогона, +40-60Мпкс/с в пользу WTRS=2
monstor писал(а):
На 3200 снизил VCCIO2 и VCCSA дальше не снижается
Да и так всё отлично, низкие напряжения, при желании можно поднять поднять частоту(соответственно и напряжения) желательно с шагом 133, оставляя те же тайминги, но tRFC пересчитать.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.11.2016 Откуда: Южно-Сахалинск Фото: 4
Michailovsky писал(а):
USS_PartizanСходите в ветку по разгону памяти на Intel.... DDR-4 на платформах Intel. Статистика разгона, советы, обсуждение результатов., от себя могу посоветовать только, поставить 1.39в-1.4в на память, 16-18-18-38-2Т, SA 1.23v, VDDQ 1.23v, тестировать...Начните с частоты 3466мгц....3600 заработает, скорее всего, при 16-19-19-38-2Т.
Обновил биос до f6b, и по этим настройкам винда улитала в синий экран. Всё что удалось, это в XMP-3600 17-21-21-39 CR1, шина 133 и Gear1, запустится. Тест анта777 пройден без ошибок, задержку удалось уменьшит с 80 до 60. Наверное для моих первых познаний в памяти это максимум Скоро придёт второй комплект 2х8 бистов, там будем дальше пробовать.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.10.2010 Фото: 0
После последней настройки с установленной ВК, были редкие вылеты в играх у ребенка. Времени не было заняться, на выходных запустил Linx - пошли ошибки. Начал смотреть что за ерунда - некоторые тайминги стояли от "балды", может я не сохранил в последний раз, а может МП что то "тренирует". Вот и задал вопрос, может какие то новые зависимости выползли на Z590 и 11 поколении intel. Ну теперь вроде стабильно. #77 Кстати, что в BIOS на Асроках выключить, чтобы МП не искала приключений? По идее в случае стабильных параметров и не должна.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.01.2020 Откуда: KRSK Фото: 33
PrintF писал(а):
я тоже попробовал выставить 100 и взять 3400 - получилось с теми же таймингами! еще небольшой прирост) в общем 100 или 133 без разницы для производительности... (доступные частоты только меняются, 100 или 133 это базовое основание для них)
3500 уже всё - синька, а уменьшать тайминги ради 100мгц пока не хочется. то что 3600 не берётся у нас видимо или материнка или биос... тут встречал у людей версии биосы аж "F14d" (другой чипсет)... то есть гигабайт еще долго будет пилить биос под Z690.
пробовали 3500 взять?
п.с. кстати у вас суммарно 32гига, но 4 плашки, если взять 2 плашки по 16 гигов и вставить в слоты А2-В2, то можно достичь более высоких частот. у меня то без вариантов - мне то 64гига надо, тут уж 4х16гига самсунг-бидай самое оптимальное решение.
2 плашки не пробовал но биос кривой очень, при изменении тайминга с 14 на 16 либо trfc 288->304 может просто перестать загружаться . И нужно скинуть в дефолт и только потом загрузить рабочий пресет.. максимум сегодня 3600 взял g1 dram 1.45v sa1.3 , но была 1 ошибка в тестмем, решил накинуть тайминги и перестал грузиться совсем
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.10.2014 Откуда: Москва Фото: 150
anta777 Многоуважаемый! Подскажите, что будет быстрее, оптимальнее...Всё в Gear1, 3600cl14-14-14-34-1T(1.4в), 3800cl16-16-16-36-1T(1.4в)(через час был вылет, скорее всего надо чуть напряжения накинуть, 2Т стабильны)), 4000cl17-18-18-38-2T(1.44в, ниже напряжение пока не проверял)...в 1ом случае СА 1.2в, во 2ом СА 1.23в, в 3м СА авто(1.344в), спасибо! tRFC от 304, до 336, tREFI 65024.
_________________ Z790 EDGE; Intel® Core™ I9-13900K@;G.Skill Royal(b-die); MSI Suprim X 4090&6090; GIGABYTE FO48U(OLED);DT 1770 PRO; COLORFUL EVOL X17 Pro Max;)Genelec:)
2 плашки не пробовал но биос кривой очень, при изменении тайминга с 14 на 16 либо trfc 288->304 может просто перестать загружаться . И нужно скинуть в дефолт и только потом загрузить рабочий пресет.. максимум сегодня 3600 взял g1 dram 1.45v sa1.3 , но была 1 ошибка в тестмем, решил накинуть тайминги и перестал грузиться совсем
я из своих максимум пока что выжал - на скриншотах. sa=1.26, vddq=1.25 dram voltage = 1.35 (в биосе ставлю 1.37, мать занижает на 0.2-0.15, получается в итоге 1.351-1.356)
у вас rtl b1/b2 65/67 - разные значения, что-то материнке не нравится при тренировке памяти, можно попробовать tRAS поднять с 28 до 32-34 (32 по таблице Анта777, 34 - у меня производитель такой тайминг ставит для хмр3200)
и лучше CR2 ставить. Моя гигабайт вообще не переваривает CR1. Вместе с CR2 тренировка памяти значительно легче идёт.
если взяли 3600 при таких таймингах прогоните Linx 0.9.11 хотя бы 8-9гигов памяти, 5 раз... невязки должны быть одинаковые. и тестмем 5 0.12 пресет универсал или анта777-суперлайт.
а вы именно тайминги накинули или вольтажи?
п.с. 1.45в.... ну не знаю... ради +200мгц так тайминг завышать уже... у меня получилось 3400 при 1.35в взять... 1.45 реальные по замеру, это значит на гигабайте надо 1.47 выставлять..... и память в нагрузке и так может прогреваться до 50гр (например в игрухе, если от видеокарты идёт еще тёплый воздух наверх на память)....
Добавлено спустя 5 минут 54 секунды: anta777 Подскажите, пожалуйста, если материнки одинаковые (и биос тоже), то 4 модуля памяти по 8гигабайт и 4 модуля памяти по 16гигабайт, или всё же размер плашки памяти играет значение на возможность выставить тайминги и частоты? (там и там двух-ранковая память, хотя если 8гиговая плашка то может быть одноранк и частоты возьмётся выше?)
Добавлено спустя 1 минуту 32 секунды:
Michailovsky писал(а):
Требуется Элдер лейку высокая псп?
имхо, ясень пень! смотри как алдер-лейк похорошел при ддр5-6000! вот сделали бы они квад-канал памяти ддр4 для алдер-лейка - цены бы не было ему..... (10Р ядер и 4-канал памяти )
Играет роль количество ранков на канал, а потом уже размер.
то есть всё таки размер имеет значение? то есть 4х 8гигов (двухранк) и 4х 16гигов (двухранк) (там и там самсунги бидаи), то 4х 16гигов будет тяжелее взять частоты и минимальные тайминги?
_________________ 12900k | gigabyte gaming x ddr4 | g.skill ripjaws v f4-3200c14q-64gvr 64 gb | arctic liquid freezer-2 420 | palit 3070ti 8gb | ssd sams evo 1tb
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 26.05.2021
Интересно, если в бидаи зашивают напряжение на ХМР в 1.5 вольта, то какое максимально допустимое напряжение на таких комплектах? Неуж как включил 1.5, так и сиди.
Сейчас этот форум просматривают: Hustww, snf и гости: 26
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения