1. Читаем одну на выбор статью от, ✔ 1usmus или ✔ i2hard, а так-же статью по работе Dram Calculator от ✔ i2hard, устанавливаем необходимое программное обеспечение из шапки темы, смотрим примерные результаты разгона памяти из шапки, для понимания пределов возможностей вашего железа. Загружаем картинки с запросами на этот форум через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler".

2. Не используем XMP профили, это как правило, настройки для систем на базе Intel, за очень редким исключением, соответственно режим XMP протестирован на совместимость именно для Intel, к тому же, заводская настройка не блещет идеальным подбором таймингов и напряжений и можно получить примерно до 20-30% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также использование профиля XMP, чревато завышенным вольтажом на контроллер памяти.

3. Правильная установка модулей – A2+B2 (для двух модулей).

4. Перед настройкой частоты и таймингов рекомендуется установить принудительное охлаждения на модули памяти, особенно для памяти с чипами Samsung B-die, повышение температуры памяти выше 48°, может сопровождаться дополнительными ошибками, не связанными с неправильной настройкой таймингов, что затруднит их поиск и общую настройку памяти.

5. tRFC2 и tRFC4 не имеют физической реализации, потому их в некоторых версиях BIOS, отсутствуют эти значения всегда, всегда оставляйте эти параметры в Авто, так-же в Авто, оставляйте tCWL.

6. Худший модуль памяти (требующий большего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.

7. При желании протестировать память избыточным тестом в TM5 с конфигом 1usmus_v3 меняем количество 3-х циклов в "mt.cfg", "cycles=3" скажем на 8 или более

8. Если нет бута на частоте памяти 3800Mhz, то проверяем возможности IF вашего CPU, для этого выставляем частоту памяти на 3200Mhz, а IF например на 1900, пробуем загрузиться...

9. Краткая методичка по настройке памяти от The KMS: Краткая инструкция...

Гайд по основным нововведениям DRAM Calculator for Ryzen от 1usmus

Гайд по разгону памяти для новичков от lDevilDriverl.

Сопротивления ProcODT, RttNom, RttWr, RttPark.

Для процессоров 4000 серии с APU Renoir

- Micron B-Die: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... 4.1276765/
- Hynix CJR, Hynix 8Gbit DDR4 CJR "C-Die" (H5AN8G8NCJR): https://www.hardwareluxx.de/community/f ... 06340.html
- Crucial Ballistix DDR4-3600 32GB (2x16GB) [BL2K16G36C16U4R]: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... w.1264873/
- Hynix MFR, AMD Radeon R7 (R748G2133U2S): https://www.overclockers.ru/lab/85777/o ... -0-6a.html
- Hynix MFR, Kingston: http://club.dns-shop.ru/hardware/%D0%94 ... -Kingston/
- Hynix AFR, AMD Radeon R9 (R948G3206U2S): https://www.overclockers.ru/lab/86046/o ... -0-6a.html
- Micron A-Die: https://www.overclockers.ru/lab/85288/o ... 0-0-6.html
- Micron D-Die / Spectek: https://www.overclockers.ru/lab/85658/o ... -0-6a.html
- Samsung C-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84886/obzor-i-testirovanie-chetyreh-modulej-operativnoj-pamyati-ddr4-2400-samsung-m378a1k43cb2-crc-obemom-8-gbajt-kogda-amd-vystupaet-luchshe-intel.html
- Samsung E-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84775/o ... 0-0-6.html
Таблица TRFC для разных типов памяти

xyligano - J-die
RoMiLiUs - J-die

Series
Not determined
Part Number
3200 Series
Serial Number
111000EEh
JEDEC DIMM Label
16GB 2Rx8 PC4-3200AA-UB1-11
Architecture
DDR4 SDRAM UDIMM
Speed Grade
DDR4-3200AA
Capacity
16 GB (16 components)
Organization
2048M x64 (2 ranks)
Register Model
N/A
Manufacturing Date
November 11-15 / Week 46, 2024
Manufacturing Location
Taipei, Taiwan
Revision / Raw Card
0001h / B1 (8 layers)
DRAM COMPONENTS
Manufacturer
Hynix
Part Number
H5AN8G8N?[F/J]R-XNC
Package
Standard Monolithic 78-ball FBGA
Die Density / Count
8 Gb / 1 die
Composition
1024Mb x8 (64Mb x8 x 16 banks)
Input Clock Frequency
1600 MHz (0,625 ns)
Minimum Timing Delays
22-22-22-52-74
Read Latencies Supported
28T, 26T, 24T, 23T, 22T, 21T, 20T...
Supply Voltage
1,20 V
SPD Revision
1.1 / September 2015

MCH Full Check → Enabled
SB Clock Spread Spectrum → Disable
CPU Power Duty Control T.Probe → Extreme
MRC Fast Boot / Memory Fast Boot → Disabled

Первичные Тайминги:
1.) # Latency / tCL =
2.) Trcdrd / tRCDRD =
3.) Trcdwr / tRCDWR =
4.) DRAM RAS# PRE Time / tRP = tRC – tRAS
5.) DRAM RAS# ACT Time / tRAS = tCL + tRP, или tRC – tRP
6.) Trc / tRC = tRAS + tRP, или tRAS + tRCDRD
Вторичные Тайминги:
7.) Trrds / tRRDS = tRRDS ≤ tRRDL
8.) Trrdl / tRRDL = tRRDL ≥ tRRDS
9.) Tfaw / tFAW = tRRDS×4
10.) TwtrS / tWTRS = tWTRS ≤ tWTRL
11.) TwtrL / tWTRL = tWTRL ≥ tWTRS
Третичные Тайминги:
12.) Twr / tWR = tRTP×2
13.) Trcpage / tRCPAGE = Auto
14.) TrdrdScl / tRDRD SCL = 4, 5
15.) TwrwrScl / tWRWR SCL = 4, 5
16.) Trfc / tRFC =
Single Rank-8Gb +8:248, 256, 264, 272, 280, 288, 296, 304, 312, 320...
Dual Rank-16Gb +16:248, 264, 280, 296, 312, 328, 344, 360, 376, 392...
17.) Trfc2 / tRF2 = Auto
18.) Trfc4 / tRF4 = Auto
19.) Tcwl / tCWL = tCL. Можно Auto
20.) Trtp / tRTP = tWR:2
21.) Trdwr / tRDWR = от 8, 9, 10, 11, Можно Auto, при большом V нестабильны?
22.) Twrrd / tWRRD = 1, 2, 3, Можно Auto, при большом V нестабильны?
23.) TwrwrSc / tWRWR SC = 1
24.) TwrwrSd / tWRWR SD = 6, 7
25.) TwrwrDd / tWRWR DD = 6, 7
26.) TrdrdSc / tRDRD SC = 1
27.) TrdrdSd / tRDRD SD = 4, 5
28.) TrdrdDd / tRDRD DD = 4, 5
29.) Tcke / tCKE = 1
Тайминги 23-29, Single Rank на низких (у меня) до 4066Mhz можно отключить 1