Любой вопрос с проблемой настройки памяти, подкрепляйте скрином ZenTimings, обязательно указываем DRAM Voltage. Убедительная просьба заполнять профиль и подпись на форуме, указывая свои комплектующие.
Что нужно для настройки и разгона памяти -->
1. Читаем одну на выбор статью от, ✔ 1usmus или ✔ i2hard, а так-же статью по работе Dram Calculator от ✔ i2hard, устанавливаем необходимое программное обеспечение из шапки темы, смотрим примерные результаты разгона памяти из шапки, для понимания пределов возможностей вашего железа. Загружаем картинки с запросами на этот форум через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler".
2. Не используем XMP профили, это как правило, настройки для систем на базе Intel, за очень редким исключением, соответственно режим XMP протестирован на совместимость именно для Intel, к тому же, заводская настройка не блещет идеальным подбором таймингов и напряжений и можно получить примерно до 20-30% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также использование профиля XMP, чревато завышенным вольтажом на контроллер памяти.
3. Правильная установка модулей – A2+B2 (для двух модулей).
4. Перед настройкой частоты и таймингов рекомендуется установить принудительное охлаждения на модули памяти, особенно для памяти с чипами Samsung B-die, повышение температуры памяти выше 48°, может сопровождаться дополнительными ошибками, не связанными с неправильной настройкой таймингов, что затруднит их поиск и общую настройку памяти.
5. tRFC2 и tRFC4 не имеют физической реализации, потому их в некоторых версиях BIOS, отсутствуют эти значения всегда, всегда оставляйте эти параметры в Авто, так-же в Авто, оставляйте tCWL.
6. Худший модуль памяти (требующий большего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.
7. При желании протестировать память избыточным тестом в TM5 с конфигом 1usmus_v3 меняем количество 3-х циклов в "mt.cfg", "cycles=3" скажем на 8 или более
8. Если нет бута на частоте памяти 3800Mhz, то проверяем возможности IF вашего CPU, для этого выставляем частоту памяти на 3200Mhz, а IF например на 1900, пробуем загрузиться...
Посты с исковерканными названиями процессоров, чипов и вендоров оперативной памяти (например: Рязань, Самса, Балики и так далее), будут удаляться. Если вам тяжело переключить раскладку и вместо ”Райзен”, напечатать Ryzen то без обид потом.
✔ Все картинки и видео убирайте под спойлер, иначе ваш пост будет удалён , загружаем картинки с запросами на этот форум, через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler". ✔ Посмотри как это делается
Как вставить картинку в своём сообщении, жмем сюда и смотрим гайд!
#77
Абсолютно безграмотные пользователи, дающие вредные советы - Флирт
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
larkess писал(а):
Спасибо, дорой приеду с работы буду опять колдовать...попробую установить dram calcalator и слизать оттуда настройки. Просто я думал купил оперативу, включил ХМР профиль и забыл.... Но получается так нельзя( только хуже
заодно можно выставить и uclk=mclk xmp это для интела и пользоваться им обычно не рекомендуется,в шапке темы об этом сказано
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.11.2005 Откуда: Волгоград
Remarc писал(а):
заодно можно выставить и uclk=mclk xmp это для интела и пользоваться им обычно не рекомендуется,в шапке темы об этом сказано
Да я в целом вручную раньше всегда выставлял всё, кроме вторичных. Там всегда Auto оставляю. С этой поступил также, вручную выставил первичные тайминги (ниже тех что в хмр), выставил частоту 3600, а вторичные также оставил Auto. Но видимо они там огромные, я не знаю... Я не ожидал что такое может быть, что память частотой на 600 больше, может оказаться медленней моих старых патриотов. Честно пока не особо представляю, смогу ли я настроить это как нужно. Оперативки такой нет в программах типа DRAM Calculator, соответственно, я нигде не возьму нужные мне показатели таймингов. Я знаю только что чипы Hynix, а какой именно Хуникс без понятия.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
larkess писал(а):
Честно пока не особо представляю, смогу ли я настроить это как нужно. Оперативки такой нет в программах типа DRAM Calculator, соответственно, я нигде не возьму нужные мне показатели таймингов. Я знаю только что чипы Hynix, а какой именно Хуникс без понятия.
основные чипы hynix cjr и djr лучше отталкиваться от тех что хуже,у нас к сожалению статистика маленькая,поздно стали ее делать,потом куратор куда-то пропал
Вот такую картину имеем на новой оперативе. По синтетическим тестам быстродействие оперативы возросло с 2900 до 3400 попугаев (passmark, в сравнении со старой оперативкой 3000мгц патриот). По фактическим тестам в играх ФПС упал на 5%. Помогите, что тут настроить еще. fclk я поставил 1800, тут вроде все ок стало.
Добавлено спустя 25 минут 26 секунд: Короче, я не дожидаясь ответов решил выставить сам тайминги которые мне подсказал Dram Calculator 1.7.3, прогнал тесты, в синтетических тестах производительности оперативки показатель подрос, а в игровых тестах как было так и осталось. Максимальный ФПС всё равно меньше, чем на моей старой оперативе. Не имею ни малейшего представления, по каким причинам такое возможно...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
larkess , это ARDOR GAMING Reaper [DGSB432GB3600C18DC] 3600 МГц (18-22-22-38) 1,35В, single rank. Видимо ты его и купил, как и хотел. Запусти Thaiphoon Burner, надо знать что за чипы. Тогда сможем помочь. Предположу, что там Micron J-die (Z21C / 17nm), тогда должно брать так 3800 MHz 16-17-17-21 1,4В, или 4200 MHz 18-19-19-21 OC 1,45В. Напряжение можно поднимать до 1,5В. ProcODT: 36.9-48 Ω, CAD_BUS: 24-24-24-24, Напряжение DRAM: 1.4-1.45 В; Напряжение SOC: 1.1-1.15 В; Power Down Mode — отключить; для стабильности GDM (Gear Down Mode) пока оставить включенным (экспериментируй). Вторичные и третичные тайминги пока можно в Auto и посмотри что выставила МП. Либо калькулятор, либо таблицы.
Тайминги tRFC, tRFC2 и tRFC4 в DDR4
1. tRFC (Refresh Cycle Time) Базовый параметр для обновления одной группы банков Типичное время: 350 наносекунд (для DDR4-3200)
2. tRFC2 (Two Bank Refresh Cycle Time) Обновление 2 банков одновременно Значения на 35-50% меньше tRFC (пример: 210ns) Используется в режиме "2x Mode" для параллельной обработки
3. tRFC4 (Four Bank Refresh Cycle Time) Параллельное обновление 4 банков Самые короткие значения (пример: 140ns) Активируется в "4x Mode" для максимальной эффективности
Значения tRFC2 и tRFC4 обычно меньше, чем tRFC, потому что обновление происходит в параллельных группах. Это улучшает производительность, уменьшая задержки. Однако точные значения зависят от плотности памяти и производителя. Меньшее время -> выше производительность, но меньше стабильность. Энергопотребление снижается пропорционально количеству обновляемых банков.
tREFI слишком мал. Это у всех Ryzen так? С таким tREFI высокой ПСП не получить. Ставим кратно 1024 и кратно 8.
Обязательно соблюсти:
RTP=WR/2 обязательно, и только четные значения (включен GDM). FAW=RRDS*4, снижаются парно. Обязательно так. RDPRE=RTP RP ≥ CL WTRS ≥ RRDS RRDL ≥ RRDS WTRL ≥ RTP CKE ≥4, при PD disable - не работает. WRRD_SG = CWL+6+WTRL WRRD_DG = CWL+6+WTRS WRPRE = CWL+4+WR WRWRDR=WRWRDD ≥ 5 CWL=CL (бывает CL-1 или 2)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.10.2022 Фото: 10
Bigsun писал(а):
CWL=CL (бывает CL-1 или 2)
Я так понимаю у ddr5 на хайниксах -2 от cl всегда судя по скринам zt ? и похоже к ddr4 на djr тоже, у меня по умолчанию мп так и хочет ставить. Не могут же инженеры мси ошибаться ? 😁
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
larkess писал(а):
fclk я поставил 1800, тут вроде все ок стало. Короче, я не дожидаясь ответов решил выставить сам тайминги которые мне подсказал Dram Calculator 1.7.3, прогнал тесты
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
CD-Vega писал(а):
-2 от cl всегда... и похоже к ddr4 на djr тоже
Все верно, для DJR/JJR можно ставить CL-2. Но все зависит от частоты. Для DDR4 от 3800 МГц и выше - такое уже не работает, на этих чипах.Если расслабить tWTRs - то работает, но не знаю предел частоты на AMD. На CJR можно ставить CWL = CL -1. Но есть нюанс. CL=CWL позволяет ставить очень низкие tWTR. Что будет лучше в совокупности для ваших DRAM - нет однозначного ответа, надо тестировать.
Давно не крутил настройки в БИОС, подскажите, CLDO VDDP voltage, VDDP voltage и VDDP standby voltage - в чем разница между ними, вроде же все за память отвечают? Или нет? При разгоне фиксировать надо тот, который CLDO VDDP voltage, остальные в авто?
4 двуранга на ам4 это не котенок чихнул. Плюс двуранги бидаев это не одноранги, они и на apu с двумя кп ооочень редко выше 4000 идут, да и то 2 планки. В конкретном 5950х кп выше не тянет, судя по всему. Так что сам бы 3733 оставил. Есть еще вариант gdm off, он по скорости будет +- как 3800сл16, но поскольку кп/планки на грани, то на холодных запусках могут быть приколы, хотя тесты пройдут.
Можно заморочиться - по одной планке во 2 слот и найти, сколько минимального vdimm каждая хочет на 3733сл16(с фикс таймингами на жипеге из поста). На каждой планке достаточно одного прохода анта экстрим. Лучшую планку(с min. vdimm) поставить в 4 слот, худшую в 1 слот, ну и остальные по аналогии - чем дальше от проца, тем меньше vdimm. На daisy chain плате это с приемлемой вероятностью позволит запустить память на шаг выше, если разница существенная. На t-topology тоже наверняка будет работать. Вообще, на 4 планках лучше такое практиковать изначально - если выше и не пойдут, то vdimm/vsoc скорее всего получится уменьшить.
Только к остальным расслабленным таймингам(на пробном запуске 3800) wtrl лучше ставить макс и обязательно искать пару rdwr/wrrd - 8/2, 8/3, 9/3(4), 10/5(4)
На дейзи чейн 3 слот самый дальний по длине проводника, если верить, что сигнал последовательно идет с 4 слота. Поэтому лучшая планка должна идти в 3 слот, чуть хуже в 4, самая плохая во 2, оставшаяся в 1, опять же, если сигнал со 2 слота идет на 1
это возможно не тянет IF проверяется включением делителя,может помочь подъем vsoc vddg и pll,если стабильно то на zen3 надо ставить синхрон частот 3866 mem 1933 IF, 4000 mem 2000 IF
stiki1332 писал(а):
Есть какие-нибудь рецепты у добрых людей или здесь мертвый вариант и оставаться на 3733?
сначала проверить IF может или нет 1900+ ,затем проверять память cad_bus поменять на значения из калькулятора там 4-5 вариантов есть,proc odt поменять в +- 16 в шапке темы значения тоже есть,проверить каждую плашку может или нет 3800+
Едет вот такое за 5к MRZNVMS-V1605B от гиги - без ничего, тока мать c охладом, в оргстекле. Под серверок дома.
С барахолки ищу 2х8Гб 3200. Samsung или Crucial, думается. Заведется ли 3200 (при 2400-2667 там по дефолтам) ? Сильно ли криво будет с односторонними плашками SAMSUNG M471A1G44AB0-CWE по сравнению с M471A1K43DB1-CWE и M471A1K43EB1-CWE ? И, вообще, насколько для ноутов/миников критичны односторонние плашки (кроме нагрева, очевидно)? И попадаются пары по дешевке именно M471A1K43DB1-CWE + M471A1K43EB1-CWE. Народ добавляет, потом сливает. Нормально в паре будет работать? Тайминги хорошо ужмутся при родных 2667 на плате, например - чтобы Vega8 лучше шустрила ?
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 24.09.2009 Откуда: SPb
самсунг C-DIE. 4 планки по 8 гб.3600 xmp.про разгон даже не думаю.улучшить латентность да скорости добавить чутка.ужатием таймингов.что посоветуете.про C-DIE на фороме вообще ни чего.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Andy-S писал(а):
На дейзи чейн 3 слот самый дальний по длине проводника, если верить, что сигнал последовательно идет с 4 слота.
Интересно, зачем тогда сначала ставят планки во 2й и 4й слот?
Схема от MSI
#77
Их ставят именно на самые дальние "концы" линий каналов памяти, используя модули в качестве терминаторов (проще говоря это такое устройство, которое мешает сигналу экранироваться назад в линию и наводить помехи). Если ставить в слоты 1 и 3, то рабочая частота модулей резко снизится, это потому что сигнал будет распространяться дальше, отражаться и наводить помехи уже с частоты ~3200+. Так что рекомендация "устанавливать память память в ближайшие к процессору слоты для лучшего разгона" верна только для DDR3 и низкочастотной DDR4, потому что выше по частоте начинают проявляться другие законы физики.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
x750 писал(а):
самсунг C-DIE. 4 планки по 8 гб.3600 xmp.про разгон даже не думаю.улучшить латентность да скорости добавить чутка.ужатием таймингов.что посоветуете.про C-DIE на фороме вообще ни чего.
снять с хмп и задать тайминги вручную ага 2 резалта есть и еще упоминания разные в теме,да вообще ничего
x750 писал(а):
тайфун: Скрытый текст zentimings xmp и аида: Скрытый текст
зачем тогда сначала ставят планки во 2й и 4й слот?
Потому что это ближайшие к процу каналы связи на дейзи чейн, длина проводника имеет значение. Чем больше задержка сигнала из-за длины, тем меньше тактов в единицу времени и ниже частота. По поводу переотражений сигнала и других помех спорить не буду, не вникал.
Если ставить в слоты 1 и 3, то рабочая частота модулей резко снизится, это потому что сигнал будет распространяться дальше, отражаться и наводить помехи уже с частоты ~3200+
устанавливать память память в ближайшие к процессору слоты для лучшего разгона" верна только для DDR3 и низкочастотной DDR4,
По поводу установки лучшей по напруге планки в дальний слот проверено лично на разных процах и двух 4х8Гб(одноранги) и 4х16Гб(двуранги) комплектах памяти на 4 слотовой дейзи чейн. На однорангах c 2400G запустились на шаг выше(стабилизировать не получилось), на двурангах с 4750G разница(вместе с подбором сопротивлений, иначе не стабилизировались на 3800) была 3666 vs 3800, но тут и у проца кп на каждый канал. Отличие обычно плюс шаг, но оно вполне реально. У stiki1332 тоже речь шла про 4х16Гб и 3733 vs 3800
потому и был такой совет для 4 двурангов. Плюс на одной частоте такая расстановка планок по вольтажу позволяет снизить vdimm планок, тут в теме были удачные опыты, да и у меня так было.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения