AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
bee_izv писал(а):
65024 и 023 попробовали?
Не пробовал - не кратно 1024.
Но ради интереса сейчас прогнал тест: tREFI - PhotoWorxx 63487 - 40308, 40313, 40313 (мои текущие) 65023 - 40286, 40289, 40285 65024 - 40274, 40268, 40271 После презагрузки у меня стало чуть больше, чем прошлый раз, хотя ничего не менял. При 40000 разница в пару десятков - мизер.
Последний раз редактировалось xalexiv 14.01.2022 21:17, всего редактировалось 1 раз.
anta777 или кто-нибудь Подскажите пожалуйста, от чего зависит скорость копирования, на некоторых скринах вижу, что она не отстает от чтения и записи, но у меня всегда значительно ниже.
Собрал 12600к, воздух на MSI edge Z690 DDR4 и память G.Skill F4-3600C14D-32GVKA попробовал встроенный в биос режим Try it memory - вот так по простому ничего из рядом не пошло... ((
Есть ли смысл крутить память? дайте совет или пример настроек, давно не занимался такими делами, совершенно отстал от темы!
anta777 доброй ночи, с последними настройками, тест с вашим heavy конфигом на 2 часа проходит без ошибок, но при запуске компа после выключения, как будто стартует (до появления картинки) дольше, секунд на 5, но не всегда. Если снизить напряжение на vccio\vccsa до 1.10-1.15 то вылезают ошибки на первых секундах, в итоге оставил на обоих 1.18, это ведь не критичные напряжения? На XMP мать автоматом ставила на VCCIO 1.37, VCCSA 1.29, а вот в колонке "стандартное напряжение", на VCCIO стоит 0.95, на VCCSA 1.05. п.с. как я понимаю, сейчас тренировка норм?)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
CHiCHo, я не писал, что она стабильна. 4600 мне не покорились, а вот 4533 16-17 начали получаться более-менее в @Universal2. Ни RTT, ни Slopes не помогали, начал крутить Vrer, пробовал от 0.55 и вниз, где-то на 0.52-0.515 мне удалось пройти тест (1.55VDram), хотя раньше и 1.58 не уезжало. На предельном разгоне много странностей вылазит, например то, что CL16 даётся бутнуть проще, чем CL17, туда же и команд рейты, твик моды, алгоритмы тренировок и прочее-прочее.
К сожалению, ту память(а была это F4-4000C19D-32GTZKK Декабрь 2020) и её конфиг я закончить не успел, продал выгодно, так выгодно, что вышел в плюс, купив F4-4000C14D-32GTZR Как говорится:"Наша песня хороша, начинай (тюнить) сначала."
Гляньте оверклок.нет, там люди клепают 4666-17 1.46в. А немцы вообще - один ради профита купил два комплекта 4000-14 и с каждого по лучшей плашке вытащил, настолько дотошно (он говорил, что у плашек что-то должно совпадать для взятия высоких частот, но я не запомнил). Поэтому (как я считаю) в разгоне важно всё: КП, биннинг, плата (особенно это касается экстремальных конфигов), а не только прямые руки. Это к слову о том, что 3200-14 не панацея.
К концу января, надеюсь, если успею, выложу отчёт по F4-4000C14D-32, что умеют, а что нет, потому что даже в ней, как и в своём КП, у меня нет полной уверенности, а надежды возлагаю серьёзные, хотя казалось бы, самый сильный DDR4 бин в мире...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.03.2006 Откуда: Moscow Фото: 263
despite писал(а):
я не писал, что она стабильна. 4600 мне не покорились, а вот 4533 16-17 начали получаться более-менее в @Universal2
Понял, спасибо, я просто и хотел знать. 4533-17-17 у меня стабильны любым конфигом на 1,52В, а даже ИОСА не очень высокие 1,34/1,35. А вот 16-17 даже 4400 не даются, увы.
despite писал(а):
купив F4-4000C14D-32GTZR Как говорится:"Наша песня хороша, начинай (тюнить) сначала."
Гляньте оверклок.нет, там люди клепают 4666-17 1.46в.
Это очень крутой кит, куда уж моему 3200С14. Поздравляю, должна пойти огонь! Мой проц даже с таким китом не поедет выше 4600, я думаю... Кит реально самый отборный!
2500K_2 писал(а):
VreF и RTT . Опорное сигнальное напряжение и сопротивления .Вот и весь секрет высоких частот на дуалах.
А ссылочку или полуготовый рецепт? 4600-то стартует даже лучше чем 4533, но толку-то...
Добавлено спустя 1 минуту 44 секунды:
despite писал(а):
CL16 даётся бутнуть проще
Кстати, да. 4533 при этом ровную тренировку дает, видимо, в ней дело.
BOBKOC Выше постом уже написана вся последовательность и значения. Подбор Rtt в шапке. Ничего нового тут не добавишь. Все индивидуально. Например на одном и том же камне, на одной и той же памяти ,одна и та же частота и тайминги но на разных платах было так Vrefca = 0.52 A/B ( по асусу , по мси перемножайте на vdd) на z490 ACE и в авто на z590 unify-X. В дефолте баланс - 0.5. Увеличивая делаете планкам хуже, у меньшая делаете хуже кп. Так что палка в двух концах. Не переусердствуйте . Главное знать границы 0.49 - 0.6 ( по асусу).
Я лично больше пользы от занижения VTT видел - легче переносят 1.6в.
2500K_2 можно написать какая связь между Vrev и VTT? Одно на асусе, другое на мси?
Нет это разные напряжения . VreF на асусах задается коэффициентом , а на мси вручную прописываешь вольтаж значение которого = Dram (aka VDD) * коэффициент ( например при драм 1.6в и vreF 0.52 надо прописать ручками на каждый канал 0.83в
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
CHiCHo, первые два, синхронно. Для начала переберите значения от 0.5 до 0.55, их там немного, т.к. инкремент 0.005в. PnoenixMDA вроде писал, что для CL16 и для CL17 разные врефы, но как знать..
Сейчас этот форум просматривают: lowkeysurf и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения