AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
vcore повысить попробовать. В остальном играть в том числе с тренировкой памяти, чтобы добиться высоких частот.
Я пробовал 1,35 и это без разгона проца. Выше наверно не стоит. Про тренировку памяти я конечно прочитал, но пока не очень разобрался, типо материнка должна сама сделать верную, а потом надо вбить эти значения?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.03.2006 Откуда: Moscow Фото: 263
GothicAlex писал(а):
Я пробовал 1,35 и это без разгона проца.
GothicAlex писал(а):
Выше наверно не стоит.
Не факт. Разгон памяти сильнее нагружает проц - штатных вольтажей логично может не хватить, тем более, неизвестно, насколько удачный проц. Сколько по частоте бустит проц в штате при прогоне ТМ5? Я бы поставил 1,38 и смотрел.
Не факт. Разгон памяти сильнее нагружает проц - штатных вольтажей логично может не хватить, тем более, неизвестно, насколько удачный проц. Сколько по частоте бустит проц в штате при прогоне ТМ5? Я бы поставил 1,38 и смотрел.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.03.2006 Откуда: Moscow Фото: 263
GothicAlex Немного. Тогда надо изменять memory vddq. Сначала тренируем, ставим no trainig, потом повышаем memory vddq. Если не выставить но трейнинг, то не будет бута при повышении memory vddq. Наш соконфетник поделился такими нюансами на МСИ
Немного. Тогда надо изменять memory vddq. Сначала тренируем, ставим no trainig, потом повышаем memory vddq. Если не выставить но трейнинг, то не будет бута при повышении memory vddq. Наш соконфетник поделился такими нюансами на МСИ
Поставил no trainig. По калькулятору Init нужно 71. На этих процах я так понял задержки IOL скрыты. Как проставить остальное, я что-то запутался
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
GothicAlex С калькулятором не всегда совпадает. Но тренировка ровная даже сейчас,лучше пока на нее забить, поставить ноутрайнинг и крутить все остальные параметры. Сопротивления тоже можно покрутить, но эта материнка сама их ищет правильно для работы, но не всегда правильно с точки зрения правил Для частот до 4000 например блок сопротивлений тренируется 80-0-120, что есть не по правилам, нор другие параметры просто тупо не работают! Так же как выставляется правильно 80-34-48 на частоте 4000, но эти значения не работают ни в какую на частотах отличных от 4000 и ниже
Добавлено спустя 8 минут 57 секунд: По поводу конфигов ТМ5... На новой системе память холоднее чем на апексе - 33 градуса против 40, возможно сказывается то что память ре стоит друг к другу рядом, стоит дальше от процессора и дальше от видеокарты и это благотворно влияет на прохождение тестов... В общем, теперь при запущенном майнинге, у меня тест карху крутит без ошибок до 4000, дальше надоедает. Проходит без проблем тесты абсолют и универсал, а вот экстрим оказался проблемным. Причем экстрим отдельно без майнинга проходит без проблем, но с майнингом - ошибки есть, причем подруливая напряжением на память добился что ошибок может возникнуть всего 1-2, ошибки похожи на рандом или надо какой-то параметр подкрутить до стокового универсального, возможно TREFI или TRFC. Пока вот так:
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
CHiCHo писал(а):
Неплохо получилось. 4000 надо брать)
Не... 4000 с 16 таймингами не идёт, а на больших уже не интересно, тут видимо проц не может. Говорят что из 6 штук 12700 только один пошел 4000 Гир 1, остальные 3800-3900. 3900 в гир1 не идёт с cr1 точно, поэтому останусь на 3800
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2007 Фото: 0
Cyborg писал(а):
Говорят что из 6 штук 12700 только один пошел 4000 Гир 1
Значит мой дохлик с sp73 один из 6 ти Скорее надо биосы подождать, на предпоследнем выше 3733мгц вообще ни на каких таймингах и вольтажах старта не было. А на последнем биосе пошла гир1 4000 с 15 таймингами, tm экстрим, карху 6000% и memtest86 - всё
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
MaxBuger А память у Вас какая? Думаю, что бин получше моего, поэтому и моя не едет 14-14-14-28, а только 15- поэтому для 4000 только 16-16 должно работать. Потому что память она если над других поколениях ехала с какими-то таймингами, с такими и на 12 поколении поедет. тут роляет КП проца. SP вообще не показатель, особенно для КП - потому что SP скорее для ядер - оно определяет на сколько низком напряжении поедет проц. По биосам - я писал - только самый первый дает бут на 4000, остальные как прибитые на 3600, пока криво... Да и криво хотя бы потому что нельзя без отклюенной тренировки трогать ничего - небут практически гарантирован... И еще, что из напряжений крутили, SA, VDDQ, память? С отсутствующим IO не до конца понятно что из напряжений надо крутить...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2007 Фото: 0
Cyborg А вольтаж на память пробовали 1.55+ ? У меня sa 1.36в, vddq 1.41в, память пока с запасом 1.55в, лень уже искать минимум, итак почти неделю потратил, самый гемор был поймать sa и vddq их tm экстрим не ловит, а вот карху и memtest86 ловят. На следующем биосе уже ещё раз к снаряду подойду, есть что ужать и по вольтажу на память и по таймингам.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения