AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
SadBlackFox здравствуйте у вас выставлено 1.2В на VCCIO - этот параметр ведь на разгон памяти никак не влияет в рокетах, зачем трогали? VCCIO2 - это напряжение контроллера памяти, оно влияет
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
Это жесть... Как же эти tRCDRP=16 сложно даются. Начал где-то три дня назад, до сих пор полной стабильности не нашёл. Сменил 3 биоса (кста, UPD: 2403 версия и правда шлак, ни высокой частоты, ни 1Т). С 4600-16-17 всё гораздо проще и можно даже идти выше по частоте. Но 4600-16-16 - это другое. Думал, обойдётся отбором VRef и ODT. Неа, отлетаю уже в GSAT'e. Думал, может, VCCIO/VCCSA/VDram не хватает. Тоже мимо. В TM5 отлетал на первых двух тестах (они как раз по напряжениям, что, казалось бы, странно). Потом воткнул тестовые Slopes, и вуаля, проходим #4, #12,#2 в Универсале. Потом даже прошёл его, включил OCCT, подвис на первых 10-и минутах. Ребут - ГСАТ - ошибки/зависание(намертво), TM5 - зависание. Начал перебирать slope offset. Хуже становилось, лучше - нет. И потом, чёрт меня дёрнул, крутануть CTRL-пару. И появились первые изменения. Вчера вечером первый раз выдержало 3 минуты GSAT'a. Потом 7 циклов Универсала (где-то на 8-ом цикле в тесте #0 дропнуло и зависло, т.е. время крутилось, а тесты - нет). Ребутнул - опять ошибки в GSAT'e, зависания в TM5. Сегодня ещё эту пару подкрутил, есть прогресс, в GSAT'e три раза подряд прошёл по три минуты, Универсал тоже, ОССТ теперь откатан. Рез-ты тестирования можете видеть ниже:
DR B-Die 4600-16-16 | Universal2 @LMHz + OCCT(SSE + Большой + Тяжёлый + Переменный) | Voltage (Load): Dram - 1.54 / IO - 1.36 / SA - 1.392
Вложение:
4600-16-16.png [ 523.74 КБ | Просмотров: 2002 ]
Всё ещё не стаб, но работаем. Уж не знаю почему требуется такая тонкая калибровка Slopes... Но будем трайхардить Откатываться на tRCD=17 не охота (и дело не в том, что оно что-то отъест (собсна, почти ничего и не изменится), просто ровный tRCD для меня - идеология B-Die). По Аидке всё очень сладко : 72000/71500/7000 при 34.3 ns. По рингу пока -100MHz, так что должно быть ещё лучше. И ещё: значения tRDRD_sg и tWRWR_sg "6" относительно "7" дают чуть лучшую копию (как мне показалось), но разом отжирает 1000 MB/s с записи. Так что я для себя "семёрки" выбрал пока. Поиск этого конфига ещё раз доказывает - бинниг - не панацея, а зачастую просто показатель на сколь малом VDram вы будете (или сможете) работать. Такие мысли пока...
Последний раз редактировалось despite 11.02.2022 18:50, всего редактировалось 1 раз.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 04.05.2019 Фото: 2
Конфиг: ASUS PRIME B560M-A, Intel i7 10700F, Crucial Ballistix RGB 16gb (2x8GB) DDR4 3200 BL2K8G32C16U4RL(e-die) IO/SA - 1.2V DRAM - 1.38V
тайминги+Aida
#77
Тайминг tWR выставляю в биосе четным число - 12, загружаюсь в систему и по какой-то причине тайминг становится нечетный - 13. Я так понимаю, что у меня где-то ошибка в остальных таймингах? Хотя вроде выставляю все по формула. Или я зря волнуюсь и это обычная практика?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
CHiCHo писал(а):
Для меня - низкий рфц. Ну никак и никогда мои планки..
Ты при 1.46в? рфц от напруги тоже на би-даях зависит ведь. Я просто ниже 1.488v не бывал:) Там было 164нс при 4000-15-1Т (20-го года трайденты без подсветки), у тебя где-то столько же. Норм. Замерял сколько тянет на 1.55в не выше 40°С?
Добавлено спустя 4 минуты 9 секунд:
CHiCHo писал(а):
зы нехилый такой буст по сравнению с 4400С17 - время прохождения универсала меньше ровно на 11 минут.
Шутишь? Да не, я просто всем тестам 1/5 времени срезал (изначально срезал только для абса с 1250% до 1000%, т.к. камень 10-ти ядерный, а потом решил, что на время экспериментов и остальные подрежу).
у вас выставлено 1.2В на VCCIO - этот параметр ведь на разгон памяти никак не влияет в рокетах, зачем трогали? VCCIO2 - это напряжение контроллера памяти, оно влияет
Да, уже понял, что играет роль только VCCIO2, когда стал напряжение до возможного минимума сдвигать. Кстати шину пришлось с 4.4 до 4.3 опустить, даже при высоком вольтаже нестабильно было.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.10.2005 Откуда: Баку Фото: 79
MSI Z690 A PRO DDR4 12600K GSKILL 2*16 Dual Rank Hynix DJR XMP 4000 18-22-22-42
Память заводится в Gear 1 на 4000. Я немного поднастроил вторичные тайминги, но все равно получается задержка в районе 55-56 нс
Понимаю, конечно, что тайминги не предел мечтаний, но все равно должно быть в районе 45. С gear 2 вообще получается не меньше 70нс. Что-то из таймингов которые не отображаются в Asrock Timing подкрутить? Или это норма?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.10.2012 Откуда: Минск/Беларусь
anta777 приветствую.. хотелось бы уточнить.. 2 по 8 гб- одноранки (стоит 3600-16/19/19/37/2).. В660 мать- 12500, Крушиалы красные (профиль по умолчанию 3200/16/18) что ставить (настраивать) или не ставить в _dr/ _dd? Спасибо..
Добавлено спустя 5 часов 31 минуту 41 секунду: Короче так.. 12500, бокс, встройка.. одноранки крушиалы (3200/16) 2 по 8 гб.
тыц
#77 #77 #77 #77
_________________ Помощь в скальпировании процессоров (Минск). http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=1636558#p1636558 WoT: IRSS_BY_Pashka
Сейчас этот форум просматривают: rAm86 и гости: 22
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения