AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Решил заняться разгоном оперативной памяти, но меня смущает в биосе пункты VCCIO и VCCIO2. Как я понял это особенность материнских плат от гигабайт 5хх чипсета. Какое напряжение нужно регулировать при разгоне? Или вообще оба?
это особенность процессоров 11-го поколения, на 10-м нету VCCIO2 (что, по всей видимости, и к лучшему, лично у меня 11-е поколение с памятью работает гораздо хуже чем 10-е) В основном именно VCCIO2 и надо регулировать, а вообще все 3, и VCCA может повлиять, многое зависит от конкретного экземпляра процессора/связки проц-мать..
это особенность процессоров 11-го поколения, на 10-м нету VCCIO2 (что, по всей видимости, и к лучшему, лично у меня 11-е поколение с памятью работает гораздо хуже чем 10-е) В основном именно VCCIO2 и надо регулировать, а вообще все 3, и VCCA может повлиять, многое зависит от конкретного экземпляра процессора/связки проц-мать..
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
SlasheR при чем здесь Асус или не Асус... У меня тоже 49.3-52 латенси и может увеличиться с меньшими таймингами. Это процессоры такие, так работают с конкретной памятью
G.Skill TRIDENT Z F4-3200C14D-32GTZKW 32 ГБ на ASUS TUF Z690-PLUS Wi-Fi D4 с i9-12900K на воздухе в стоке с лимитом 200 ватт
у тебя нет проблемы что при частоте выше 4000, например 4100, при заходе в биос все виснет и реально зайти только с раза пятого, когда в системе все стабильно?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.10.2013 Фото: 40
iDarkEmpire писал(а):
у тебя нет проблемы что при частоте выше 4000, например 4100, при заходе в биос все виснет и реально зайти только с раза пятого, когда в системе все стабильно?
Зависаний в самом биосе не было. В биосе иногда бывают большие лаги при навигации по меню, не знаю связано ли это с неверными таймингами или нет. А ты сопротивления подбирал для 4000+? У меня без подбора сопротивлений на 4000+ вообще не заводилась.
ps я не знаю как производить тренировку на z690, на z490 тренировал по инструкции, на 690 найти не могу. И на этой плате в нижнем слоте pci-e не работает мой древний PCI-e SSD RevoDrive X2,только в верхнем и то если нижний слот тоже занят какой ни будь старой картой
Имеется память CMR16GX4M2C3200C16 (2x8) и CMK16GX4M2A2666C16 (2x8). Оба набора плашек +\- одного поколения.
CMR16GX4M2C3200C16 с завода имеет XMP: 1.35v 16-18-18-36 @3200 SK Hynix Single Rank
CMK16GX4M2A2666C16 с завода имеет XMP: 1.2v 16-18-18-35 @2666 * * *
И на обеих плашках с завода зашит одинаковый SPD: 1.2V 15-15-15-36 @2133
По разным тестам из сети CMK16GX4M2A2666C16 стабильно работает на 1.2v 18-19-19-38 @3200, 1.2v 16-18-18-35 @2933, 1.3v 18-22-22-22-41@3600, 1.36v 18-21-21-36 @3600, 1.35v 17-20-20-36 @3200, 1.35v 18-22-22-22-41 @3600
Вроде как... 1.35v считается безопасным напряжением для памяти DDR4. Мамка ASUS PRIME Z390M-PLUS
Как думаете, можно их подружить в каком-то адекватном формате на @3200? В первую очередь важна стабильность, но не хотелось бы терять много производительности на таймингах. 4 планки, да ещё и разные.... но вроде как на @2666 16-18-18-35 они уж точно должны взлететь. Cpu-Z и Aida64 что-то не пишет производителя чипов на @2666 плашках. Поле пустое просто. Не думаю... что там DRAM чипы одинаковые.
Последний раз редактировалось AleyJ 21.03.2022 14:45, всего редактировалось 1 раз.
Очень странные дела творятся. Пытался разогнать память на Gigabyte Z590 Gaming X. Выставляю вольтаж, тайминги, частоты. Система грузится, тесты проходятся без ошибок, но скорость упала в разы. На всратом XMP 3200CR2 45к+. Там же, при любых частотах и таймингах от 3200 до 3900 скорость не выше 35к. Латентность при этом падает немного.
Выставил тайминги ниже чем профиль, частота та же (3200 только CR1) - 35к скорость. Как это лечить?
Прошивка биоса f4 Память Ballistix e-die 2x8 (BL2K8G32C16U4W) XMP 16-19-19-36-cr2 3200 Процессор i5-10600kf 4.9 и 4.6 ring
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.06.2009 Откуда: отовсюду
Прошу подскажите по процедуре: скачал GSAT, залил на флешку Руфусом, сделал флешку первым загрузочным устройством, перезагрузка - процесс побежал до этого окна. Дальше ничего до бесконечности.
Системная плата Hero 11, BIOS 1302, память 4по 8 Гигабайт Гскил B_die. Память и процессор уже разогнаны - всё работает, тесты пройдены. Сопротивления подобраны эмпирически 80 - 40 - 40. Решил посмотреть может по науке будет получше.
Сейчас этот форум просматривают: Swordya и гости: 14
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения