AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
CPU Intel Core i5 10400f Motherboard MSI MAG b560m Mortar Total Size 16384 MB Type Dual Channel DDR4-SDRAM 2666MHz 19 19 19 62 XMP 3000MHz 15 16 16 35 OC 4000MHz 16 22 22 42 Slot #2 Module: Crucial Ballistix Red 8192 MB P/N BL8G30C15U4R.M8FE1 Slot #4 Module: Crucial Ballistix Red 8192 MB P/N BL8G30C15U4R.M8FE1 DRam 1,45V SA - 1.24V IO - 1.24V
В общем после трех дней настроек и тестов вот мой отчет. И есть несколько вопросов. Все ли я правильно настроил? Настраивал в основном по гайду Scandaal`а из шапки и с таблицами от Anta777 от туда же. 1) В гайде в конце было снижение SA/IO напряжений. Скинул их с 1,35в до 1,24В. А Dram 1,45В оставлять? Пирометр показывал в среднем 35-43 градуса на планках, но думаю он врет градуса на 2-3. 2) Настроил первые, вторые и третьи тайминги. Четвертые не трогал. Не уверен что разобрался в тренировке. Вроде правильно блок RTL/IOL. Я так понял после настройки RTL/IOL memory fast boot не включать? 3) Почему Asrock timing configurator у RDWRsg/dg показывает 10, хотя я ставил 11? И в биосе слева тоже стоит почему-то 10. 4) Уже в последних тестах TM5 с конфигом Extreme1anta777 TM5 один раз было что тест просто прекратился. Окна о завершении теста нет. А тест идет. Уже когда часа прошло заметил в Диспетчере задач что нагрузки на процессоре и озу нету. Ошибок не было как и уведомления о завершении теста. Один раз почему-то AIDA64 выдала что версия не подходит под железо и в бенчмарке памяти 0 показывала. После перезагрузки все нормально. Но потом еще раз гонял этот конфиг все нормально. 5) Что в итоге делать с этими настройками? memory fast boot - disabled round trip latency - auto Turn around timing training - auto Turn around setting mode - auto Latency timing setting mode - auto safe boot retry - enabled Power down mode - disabled PPD - 0 P.S. Извините что много букв UPD В бенчмарке Лары крофт на рынке +14 фпс сравнивая с XMP.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
На msi turn around setting mode нужно отключать, чтобы плата не меняла ваши настройки. И ваши круциалы способны на большее. WR=2xRTP для обычного использования, нарушают правило для бенчей
Снижался кажется до 1,19В и ОС загрузилась со 2го раза, предварительно сделав проверку диска. Но OССT прошел нормально. Я накинул 0,02В и лег спать. Утром прошел еще раз Tm5 Extreme1 без ошибок и попробовав еще OCCT тест после 7 минут появился BSOD. Я и поставил 1,24В.
anta777 Вот я и хотел узнать, может гдето я ошибаюсь. Почему-то больше 4ГГц биос не загружался. Сейчас попробую поменять tWR.
В ТМ5 Extreme1@Anta777 после 17 минут вылезает 1 ошибка. Менял следующее. Round trip Latency - Enabled Turn Around Timing Training - Disabled tWR/_MR - 12/12 tRTP/_MR - 6/6 tCWL/_MR - 16/16 tCCDL/_MR 8/8 turn around timing setting mode - fixed Upd: Ошибка вылезает то через 3 минуты, то через 7, то через 17минут или через полчаса. upd: Пробовал менять местами планки. Ставил все тайминги, кроме первичных в авто все равно выше 4ГГц память не работает. upd: Попробовал в блоке настроек RTL/IOL "Latency timing setting mode" сменить auto на dynamic или fixed. Тут как минимум Лара Крофт запустилась. На dynamic на рынке минимум 123фпс. На fixed минимум 121фпс. Хотя и в первой сцене процессор местами на 80% грузился. Так что завтра попробую еще раз ТМ5 тест пройти.
Всем доброго времени суток. Система: ASRock Z490M Pro4 / i3-10105F / Crucial Ballistix 8GB DDR4 PC4-21300 BL8G26C16U4B / 1050Ti
Разгоном памяти занимаюсь с лета 21-го. ОЗУ покупался не кит (2 планки с разницей примерно в месяц, E-Die и D-Die). Микрон. Удалось со стока 2666 16-18-18-38 поднять до 3200 15-19-19-38. Латентность снизилась с 52-х до 45.
Напряжения: * DRAM = 1,4 * IO = 1,1 * SA = 1,05 (io/sa выставлял по простой таблице anta777: simplenov2020. Ввел частоты 2666-3200, таблица выдала такую напругу).
Обычно пользуюсь универсальным конфигом ТМ5, Экстрим проходил, но не на данном пресете, поэтому на 100% в стабильности не уверен (но из прог, игр и т.д. не выкидывает, bsod'ов пока нет).
Поясняющие скрины прикрепил.
Текущие частота и тайминги - безошибочные согласно ТМ5 Universal-2@LMhz.
Пробовал запускать на 3066 14-18-18-36. Вольтаж от 1,4 до 1,43 на память, io/sa от 1 до 1,15. ТМ5 показывал ошибки.
Также включал на 3333 16-20-20-40. Вольтаж на память (почему-то!) пришлось снизить до 1,37 (bandwith в биосе поменялся на 0-0-0-0, может, из-за этого, хз) - только при таком вольтаже с данными первичными таймингами ТМ5 проходил без ошибок. io/sa 1,15/1,15 (согласно таблице). На частоте 3333 удалось немного поджать tFAW (и связанные с ним тайминги): 6-4-24, и tRFC (до 520). Ничего более не снижалось: ни tWR, ни tRDRDsg/tWRWRsg до 6 (т.е. то, что я без проблем делал на меньшей частоте). В итоге отказался от 3333: латентность выросла, скорости (и смысла) в этом не увидел.
Один раз запустился на 3466 (1,4/1,15/1,2) с таймингами по умолчанию: краш и bsod на 1-х секундах проверки ТМ5.
CR1 на частоте 2933 (и, видимо, выше - не проверял), дает ошибки. Трейс Центеринг в биосе отсутствует.
Вопрос знатокам: * Можно ли из этой памяти выжать еще что-нибудь в принципе? Есть ли смысл спуститься на меньшие частоты (2933-2800) и ужать тайминги? Или все же по частоте попробовать подняться? Если Да - какие напряжения порекомендуете?
когда у человека 1050ti ...на какой черт ему разгонять память вообще выше 3200? один хрен всё будет упираться в ГПУ я к тому, что пережаривать КП процессора ради высокой частоты , не имея современное железо - нахрен надо?
Кажется это финальные результаты. Вроде теперь все правильно. По-моему дальше нет смысла гнаться за копеечными результатами. А выше 4 ГГц ехать ну не хочет. С температурой точно все ок. 38-43 градуса. memory fast boot - disabled round trip latency - enabled turn around training - disabled turn around timing setting mode - fixed Latency timing setting mode - dynamic Power down mode - disabled PPD - 0 Четверичные тайминги авто. У меня есть вопросы. 1) Я так понимаю что какая-то одна планка проблемная и т.к. она не едет выше 4ГГц то и вся пара не едет? И если гнать по одной, то какая-то все равно выше 4ГГц не разгонится? 2) Если каждая по отдельности вдруг разгонится выше 4ГГц то и вместе потом они чтоли смогут все таки разогнаться выше 4ГГц? Может у меня чипы калининградские? 3) Dram такой и оставлять?
Тогда для мизерного прироста только в бенчах можно пробовать: tWR=12, tRTP=6, tWTRL=6, tWRRDsg=26, tRDWRall=9
Ramforce tWR 12 на данной частоте идет с ошибками, уже пробовал. Без ошибок - если tRFC/tREFi ставить в "Авто". Почему то так. tWTRL=6 попробую (хоть это вроде как и против правила tWTRL=tWR/2).
tRDWR (задействованные) у меня не регулируются принудительно (т.е. если я в биосе впишу "10" - как сейчас, будет нестарт). Но попробую еще раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.03.2019 Фото: 15
Pavel414 Я про tWTRL=6 при tWR=12 и писал. Ещё раз повторю, из данного комплекта выжато уже всё, в вышеописанных таймингах прирост увидите мизер, только в бенчах и то не во всех.
Парни, имеются Баллики 2*16, ХМР 3600, одноранковые rev. B. Разогнал до 4000 на Gigabyte gaming X Z690, 12600К. Слегка просели показатели пропускной способности по L1-3, ну и латенси, думал будет поменьше. Подскажите, что еще подкрутить? Картинку прилагаю. Слева сток ХМР, в середине разгон до 4000, справа тайминги в разгоне.
Сейчас этот форум просматривают: Andy-S и гости: 22
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения