AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.01.2015 Откуда: Белгород Фото: 70
последний биос 7C80v1A перестало держать 4200 пришлось ставить из за Win 11 кто ставил у всех так?на 7C80v18 все нормально было Crucial Ballistix [BL2K8G26C16U4W]3200 32гб
Здравствуйте пишу немного не в тему может кто сталкивался у кого есть плата ^асус z390apex^ блок корсар рм650i пк где где-то около года работает можно сказать безупречно, но не тут то было)). нашёл ссд м2 с интерфейсом сата на 120гб ну думаю винду поставлю и буду пользоваться, поставил всё чётко заработало, но не в играх, начались синие экраны зависать начал и это всё именно в играх, убираю ссд оставляю м2 нвме всё работает, биос сбрасывал обновлял ничего не помогает, в чём прикол не ясно. хотя плата поддерживает м2 сата и м2 нвме или два м2 нвме. А главный вопрос в том что я собрался покупать ещё один м2 нвме на 1тб вот будут они в паре работать со вторым нвме или старая песня может начаться. И ещё на блоке один провод сата к нему подключены два жд на 2тб и один на 1тб, обычный ссд на 500 и (на 500 м2 нвме но он установлен около оперативки в соответствующий разъём)остальные сата кабеля утеряны, может из-за этого нагрузка на бп возрастает и это всё происходит, щас ссд м2 убрал всё норм несколько дней, до этого это ссд м2 стоял на другом пк и всё с ним было норм
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.11.2014 Фото: 0
HskR писал(а):
А так же оптимальные для них слоупы и сопротивления.
Хорошо что упомянули про слоупы, можете более подробно расписать как правильно подбирать слоупы а то с сопротивлениями разобрался и в процессе подбора, но вот слоупы не совсем понятно по скрину таблички с какого и по какое значение крутить для снижения SA and DQ вольтажа
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.02.2017 Фото: 6
Maks_Gailish писал(а):
Выставь режим command rate: Real N1 для 3200.
Спасибо за совет, пришлось поднять VCCSA,IO,DRAM на 0.1 чтобы завелась в CR1 Небольшой прирост по латентности есть, и по скорости памяти. Потестирую еще... в тестмеме5
Вообще пишут что в Gear1 разницы нет CR1 или CR2, вот не могу понять реально есть она или нет... один прогон в аиде показывает что есть, другой что нет
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.06.2006 Откуда: Samara
приветствую! Подскажите пожалуйста, можно ли ужать вторичные и третичные тайминги для большей производительности? не имею навыков в этом деле, первичные снизил как мог.
Разогнал свой Микрон (из разных партий) до 3333 Мгц. 16-20-20-40-CR2. Что интересного заметил: до этого память работала на 3200 / 15-19-19-38 с настроенными вторичками. Напряжение было: DRAM=1,4 IO=1,1 SA=1,05 (по таблице anta777)/
Когда перешел на 3333, некий "bandwith" (хз, что это такое), переменился с "0-1-2-2" на "0-0-0-0". При DRAM=1,4 универсальный конфиг ТМ5 показывал ошибку. Перешел на 1,37 - ошибок нет.
Далее, настраивал trfc/tref - 1 ошибку словил. Перешел на 1,36 - ошибок нет.
Сегодня решил немного ужать trrd/tfaw - показало 1 ошибку. Сделал 1,35 - ошибок нет.
Вопрос: при переходе за определенный уровень частоты, материнка (и ОЗУ) как-то по другому "относится" к напряжению?
Такое ощущение, что чем ниже ставишь вольтаж драм (на 3333), тем лучше она гонится в принципе.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
На такой частоте и таких первичных таймингах у микрон не нужно повышать напряжение выше 1.35. Повышение напряжения нужно для частот 4000 и выше и снижения tCL.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2007 Фото: 0
А нечётные первички как-то могут влиять на стабильность? Было настроено гир1 4000 мгц 15-15-15-32 с ужатыми по таблице вторичками и третичками. Все тесты стабильно проходились без ошибок: tm5 extreme и universal-2, karhu часа 4, единственное prime95 blend часа через 2 вылетал в синьку. Пару раз вылетала coh2 и bf5, но очень редко и не придал этому значения, а тут решил поиграть в God of war и начались постоянные вылеты(память на воде, максимум 33-35 градусов), перенастроил 4000мгц с 16ми первичками и вылеты прекратились. Сейчас сделал 3866 14-14-14-32. Tm5 extreme/universal-2, karhu - всё так же стабильно и игра не вылетает:
Вложение:
3866 14.jpg [ 85.99 КБ | Просмотров: 2575 ]
Какой толк тогда от всех этих тестов? Что ещё поджать можно?
На такой частоте и таких первичных таймингах у микрон не нужно повышать напряжение выше 1.35. Повышение напряжения нужно для частот 4000 и выше и снижения tCL.
Андрей, возможно вы правы, не спорю. Но тогда странно, почему на частоте 3200 Dram=1,37v показывал ошибку в ТМ5 (решилось поднятием вольтажа до 1,4).
Такие "требования" к вольтажу у материнки возникли, похоже, после автоматических перестроек dll на 0-0-0-0.
Получается, сейчас снижать напряжение на память - лучше? (сток: 1,2v, но правда, там и 2666-16-18-18-38)
Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot], telemeh и гости: 7
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения