AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.08.2021 Фото: 105
cel10 писал(а):
Gear Mode выставлен в авто, видимо плата сама ставит 2.
Нет. HWinfo показывает Gear 1
Gear1
cel10 писал(а):
Попробуйте следующее, оставьте одни первички и частоту, выставьте gear1 и cr2. Напряжения dram 1.45, vddq 1.35, sa 1.3 и пробуйте так стартовать.
Я выше вставил скрины - при 19-22-22-42 все остальное на авто - не стартует выше 3200. Добавил вторичку как в гайде - не стартует.
тайминги
Скрин напряжения тоже приложил
вольтаж
cel10 писал(а):
Если старта не будет, идите вниз по частоте.
Еще раз, при настройках: Gear 1 CR2 19-22-22-42 Напряжения dram 1.45, vddq 1.45, sa 1.35 Стартует только на 3200 и ниже. Но при этом 3200 работает при: Gear 1 CR1 16-18-18-36 Напряжения dram 1.35, vddq авто, sa авто
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.08.2021 Фото: 105
Ramforce писал(а):
Это не он. А по факту скорее всего КП не вывозит больше 3200.
Кто не ОН?
Данные модуля
Что за КП не вывозит?
Добавлено спустя 3 минуты 22 секунды:
BOBKOC писал(а):
DDR-4 на платформах Intel. Статистика разгона, советы, обсуждение результатов. #17670083
О чем это, как к моему вопросу относится? Я что как-то не так спросил - чтобы мне присылать ответы на чужие вопросы?)
Вот скрин проверки данных модулей мемтестом на Ryzen 5800X плата B450.
Мемтест
Вторичные тайминги я даже не трогал, все стояло на авто. Но модули спокойно работали на 3600 при 1,35v 18-19-19-38 CR1 Почему на Z690 при таймингах 19-22-22-42 и 1,45v они не стартуют выше 3200?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.08.2021 Фото: 105
Ramforce писал(а):
Dmitriy54Не Samsung b-die. Кит ADATA Spectrix D60G?. КП - Контроллер Памяти в процессоре, бывают неудачные.
Вот модуль
A-Data XPG Gammix D10 AX4U3200716G16A-DB10
Я прекрасно знаю о разнице B-die есть хорошо разгоняющиеся K4A8G085WB-BCPB, а у меня K4A8G085WB-BCRC. На платформе AMD она заводилась на 3733 и была стабильна на 3600. На интел даже 3333 не хочет стартовать - ни то, что систему грузить.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.03.2019 Фото: 15
Dmitriy54Тайфун может врать, что было неоднократно. По данной памяти мало инфы, но по отзывам читал пишут Samsung м-die. Нормальный B-die с таймингами 3200 16-20-20, 2х16, да и по бросовой цене... чудес не бывает.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.08.2021 Фото: 105
Ramforce писал(а):
Dmitriy54Тайфун может врать, что было неоднократно. По данной памяти мало инфы, но по отзывам читал пишут Samsung м-die. Нормальный B-die с таймингами 3200 16-20-20, 2х16, да и по бросовой цене... чудес не бывает.
Да при чем здесь это? Вопрос совсем в другом. Работала-работала эта память на 3600 при смене платформы отказывается работать выше 3200. Я не хочу покупать G.Skill и смотреть опять на частоту 3200 ))) Изначально писал в ветку материнок Gigabyte -но перенесли сюда.
Добавлено спустя 10 минут 18 секунд:
Ramforce писал(а):
По данной памяти мало инфы
Да яндекс выдает полно страниц с разгоном плашек разных вендоров с чипами K4A8G085WB-BCRC - все они работают на 3600
Доброго дня! Купил Kingston HyperX FURY Black [HX432C16FB3K2/32] - 3200 16-18-18 Сыпала ошибками в тестах на 3200, сдал На замену думаю взять следующие, цена одинаковая:
i5-12600 из-за заблокированного vccsa может не взять 3600, однако я не знаю: возможно ли что в нестандартном профиле 3200 FURY Renegade не сможет стабильно работать; наборы чипов и контролер собирают под определённые профили, а остальные режимы на удачу?
Ребята, привет всем. Кто сталкивался с тем, что загрузка в Биосе стала висеть долго? Ну как долго..секунд 30-40. Случилось после обесточивания ПК. Т.е. он включается, все работает.
Это может быть как то связано с разгоном памяти? Ошибок ТМ5 нет, бсодов нет, глюков нет.
Ребята, привет всем. Кто сталкивался с тем, что загрузка в Биосе стала висеть долго? Ну как долго..секунд 30-40. Случилось после обесточивания ПК. Т.е. он включается, все работает.
Это может быть как то связано с разгоном памяти? Ошибок ТМ5 нет, бсодов нет, глюков нет.
Настройки биос может сбросились в авто (если менял), как результат долгий тест
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 31.08.2016 Фото: 4
Приветствую и прошу помощи. Уже несколько дней не могу разобраться, что я делаю не так.
Имеется 12400f MSI MSI PRO B660M-A и две разносортные двухранговые 16Gb планки (crucial ct16g4dfd8266 и kingston HX432C16FB3K2/32). При совместном использовании при выставлении частоты >2400, одна из них отключается и биос/винда видит только 16Gb (хотя при этом определяются обе). На 11400f подобной проблемы не было и они без танцев с бубнов стартовали на 3200cl16.
По отдельности же они гонятся вплоть до 3466/3800 gear1 без каких либо проблем.
Официальный представитель
Статус: Не в сети Регистрация: 12.10.2016
avenger30rus писал(а):
Имеется 12400f MSI MSI PRO B660M-A и две разносортные двухранговые 16Gb
Добрый день! Рекомендуем обновить BIOS, а также с двумя разными планками и в такой конфигурации нагрузка на контроллер памяти возрастает. Возможно потребуется ручное повышение напряжение на DRAM до 1.35-1.4V. Мы бы также рекомендовали немного повысить напряжение на параметр SA, но Intel искусственно прописало и ограничило его на отметке 0.9V на младших процессорах, включая Core i5-12400F, что может и является причиной нестабильной работы обоих планок.
_________________ Интересующие вас вопросы по продукции компании MSI присылайте в личные сообщения или на почту RUSupport@msi.com
Добрый день! Рекомендуем обновить BIOS, а также с двумя разными планками и в такой конфигурации нагрузка на контроллер памяти возрастает. Возможно потребуется ручное повышение напряжение на DRAM до 1.35-1.4V. Мы бы также рекомендовали немного повысить напряжение на параметр SA, но Intel искусственно прописало и ограничило его на отметке 0.9V на младших процессорах, включая Core i5-12400F, что может и является причиной нестабильной работы обоих планок.
А может подскажите для плат Msi mag b560 tomahawk wifi безопасно допустимые вольтажи на IO2 и SA
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения