AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Оставлю пожалуй тут. Как ответ Знатокам про "лимиты кп в геар 1" на локнутых камнях
12500_GEAR1
Вложение:
4000_геар1.jpg
Карху из галкой FPU если че. Позже запощу еще парочку скринов "про лимиты". Только в Геар2.
а прайм95 в стрессе памяти и контроллера без ошибок? я вот тож думал 4100 для своих хуниксов стабильны, в итоге прайм спустил меня с небес на землю (на 3900)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
Vitalic писал(а):
Во время настройки TM5 Extreme1@anta777 всегда ОК, AIDA stress test памяти ошибок тоже не видел. Но когда всё "настроил" и хотел начать искать напряжения, запустил OCCT и ошибки сразу посыпались и тест сам остановился.
Какой конкретно тест OCCT ? Там вариантов тестирование великое множество. Мог контроллер памяти процессора нагреться. И вообще от процессора могла нагреться память.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
а за двуранги где ответ или 4х8Gb однорангов если маманя 4слотовая.
Когда на руках будет B660 mortar MAX там и прочекаю.
CHiCHo писал(а):
А ежели там вольтмод хардовый?
Хуже
Цитата:
Сказал А, скажи Б
Будет и Геар 2. Написал что попозже.
shareoff писал(а):
а прайм95 в стрессе памяти и контроллера без ошибок?
Ок прогоню. Но не сегодня уже. Запарился я сегодня пересобирать систему. Бедный ВРМ Когда 12900к в плате стоял. Камень тротлил на MCL.
Genrix писал(а):
А если тестировать не в одноканале?
Моя твоя не понимать . Там двухканал. Загугли как мамка выглядит. Там 2 слота только.
Продолжим. Вот такая латентность и аида на чистенькой винде
lat_12500_cr1
Вложение:
латенткр14000.jpg [ 412.4 КБ | Просмотров: 1011 ]
А тут для сравнения тот же профиль только cr2 выставил. ЧТо б знали мы за чем мы гоняемся - включая кр1.
lat_12500_cr2
Вложение:
kfnrh24000.jpg [ 419.28 КБ | Просмотров: 1011 ]
Как видим 1 нс в аиде и 2 в MLC . По псп нет выигрыша в GEAR1. ( главное в GEAR2 не включать кр2 - там будет не только по латентности но и по псп просидка сильная) Вставляем 12900к в данную плату и прогоняем тот же профиль. Результат для корреляции ( писал про тротлинг потому только на 20000 инжекции латентность в MCL)
Как видим только запись стабильна. Раздутые кеши бустят чтение и копию выше теоретических. Не смотря на 10 сегментный кристалл ( 8 ядер и 2 групы маленьких) - латентность на порядок ниже из теми же настройками чем на чистом 6 ядернике) . "Ну тут частоты выше ядер и ринга та и маленькие мож чтото да накидывают " - Скажете вы. Правильно. Отключаем мелкие , ужимаем к формуле 41/37 ( именно так на Heavy AVx ведет себя 12500) . Результат - вуаля
lat_12900k_cr1_41/37_e_off
Вложение:
12900uzat.jpg [ 457.4 КБ | Просмотров: 1011 ]
Тут уже наш флагман немножко скукожился. Хоть и псп никто не отменял но частотная формула давала приоритет в задержке. И даная инфа будет нам очень кстати когда 12500 уедет по шине вверх ( на B660 mortar MAX естественно). Для адекватной оценки занижения латентности так как шина из аидой на алдере делает чудеса.
Ну раз уже 12900к из даными хайниксами подружился в Геар 1 То для ставнения результат в Gear2 на другой плате ( скрины стаба этого профиля уже выкладывал на 12100f - лень листать)
lat_12900k_GEAR2
Вложение:
9998989.jpg [ 422.35 КБ | Просмотров: 1011 ]
Микроны ddr5 А-die нервно курят в сторонке
Продолжение следует ...
Последний раз редактировалось 2500K_2 07.08.2022 22:47, всего редактировалось 1 раз.
Едем дальше. Лирическое отступление Изучая B660 прайм ддр4 в геар 2 постоянно натыкался на странную "невидимую стену" в виде ртл . Дело в том что максимальный RTL на алдере из ддр4 в геар 2 - 52. Его можна повысить - запустив cr2 до 54 - но выше просто стена. Плата не тренит высокие CL + из ростом частоты ртл сам по себе увеличивается даже на одинаковом сл. Ограничение на 1.8 вольт не дают "вкукурузить" по полной . Плата как бы удерживат и не пускает выше Наблюдая за результатами других оверов моя теория подтверждалась. много результатов на 4 димм платах - а там как мы знаем результаты еще хуже по РТл. ДАже имея микроны REV-B у которых ниже CL ( а значит и RTL ) Результату нету выше. А нужен ли результ выше? На постоянку не оставишь 1.9 в да и ддр5 уже для таких частот придумана. Ну и что я хочу от 4 слойной платы? 7200 ? как на Z590 унифи-Х да еще без экстремального охлаждения? Ответ - это просто энтузиазм. Так до скольки мы сможем дойти? Чисто на частоту для скриншотика. Не более. 5600 на прайме бутались но только из соблюдением правила ртл. Мси же меня удивила. Правда и тайминги кукурузные сильно( что cr2 что ССD_S - 5) но нам же для частоты и скриншотика.
УРа ртл 58. Неужели. Но на ложку мёда - бочка дегтя На такой частоте без должного охлаждения память перестает держать tfaw 16/ отваливается Wrwr_sg/_dg и тд . Но как уже есть. Мы на воздухе в летнюю жару. Хоть и радик нехилый прикрутили к плашке. 5800 не бутались на 2 планках как я только напруги не наваливал. Ну что поделать- вытягиваем одну. Тут уже можна дать ответ на вопрос почему именно в канале А на частоту едем. Кто внимательный тот поймет
5800_cr1_1dimm
Вложение:
тест5800.jpg [ 494.4 КБ | Просмотров: 1450 ]
Cl26 да еще из CR1 ( Кто то уже догадался где новая стена? Правильно - ртл 58. сл26 из кр2 не забутает просто плата хоть ты тресни.)
Мы не останавливаемся . Хоть кп уже на пределе , плата тоже , Планки- не знаю . На 12500 мне не удалось забутать как не накручивай. Меняем на 12900k ( кто очень внимательный и изучал скрины их предыдущего поста поймет почему ) Vdd- 1.9v TX vddq- 1.55v SA - 1.0v RTT WR-80 Park- 80 Odt read delay - 8
DDR4_5866
Вложение:
5866тест.jpg [ 599.22 КБ | Просмотров: 1450 ]
5866 да еще в CR1 Да да 1 планка , из кукурузными таймингами из неюзабельными вольтажами Только одно но - каждый день видите мем тест на таких частотах ддр4? Да и все таки это воздух а не вода или сухой лед наконец. Хотя от стакана на память не отказался бы после такого опыта теперь Запустим тест поавторитетней
В конце 2 цикла комп намертво завис, на выгрузке из оперативной памяти . Хоть 2 цикла ровно без ошибок. Повторять уже не стал. И так уйму времени убил из тех крох что свободны теперь. Как для самой дешевой b660 msi неплохо. 4 слойная доска ведь. Но я знаю что можна лучше( и даже подсказок понаоставлял в посте - дерзайте ) . Посмотрим что мортара макс нам покажет. А может и на Z790 двухдимку наконец асус или мси сделают на ддр4. Посмотрим. Спасибо за внимание. C вами был 2500k_2 из новым 12500k .
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.01.2004 Откуда: Ростов-на-Дону Фото: 4
Если кто хочет использовать GSAT для тестов ОЗУ чтобы не насиловать лайв систему сильно нестабильной озу, и при этом не хочет пользоваться левыми сборками загрузочных флешек, то есть такой дистрибутив линукса, где GSAT уже есть прям в дистре - kaisenlinux.
Тут картинки
Навести мышку на диск и скачать дистр #77 Записать его при помощи Rufus на флешку. При загрузке с флешки в первом меню выбрать English, во втором default загрузку. Загрузится дистр за 3 секунды, в режиме коммандной строки, без GUI, там GSAT есть уже, вот скрин с виртуалки. Сами параметры запуска приложения тестирования разумеется нужно будет вводить руками каждый раз. #77
_________________ 12400|224XT|MSI PRO B660M-A DDR4|4x8Gb@3466|KFA2 3060-12X|Deepcool PQ650M|Corsair 200R|Win11x64
Добрый день! У меня мать asus z390h gaming, i7 9700k разогнан до 4.9. и хотелось бы разогнать оперативную память. Вроде как выставить настройки для разгона в bios нашел, а как выставлять все тайминги ума не приложу, сколько не смотрел ничего понять не могу. Может ли кто-то помочь с моей оперативкой если не сложно? помощь нужна в расчете всех этих цифр... скриншоты памяти прилаются! Все 4 планки одинаковые и отличаются только сирийником. (4х4)=16.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.10.2004 Откуда: Саранск Фото: 25
hack749 Ну, для начала вбей руками какие-нить 20-24-24-48 и вольтажи на ддр 1.4, vccio и sa по 1.3 и пробуй взять максимально возможную частоту. А потом уже начнешь настраивать тайминги по таблице из фака.
hack749 Ну, для начала вбей руками какие-нить 20-24-24-48 и вольтажи на ддр 1.4, vccio и sa по 1.3 и пробуй взять максимально возможную частоту. А потом уже начнешь настраивать тайминги по таблице из фака.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.08.2017 Откуда: Краснодар
VictoR_VK Вбил, только ср1 оставил, вот что получилось
Вложение:
20220810_102219.jpg [ 4.53 МБ | Просмотров: 970 ]
Добавлено спустя 37 секунд: поясните пожалуйста за параметр SA VID , я так понимаю это вольтаж на контроллер памяти ? На моем 12400 он 0.921v , посмотрел у других на скринах есть там 0.950v +, я так понимаю чем больше вольтаж тем лучше будет гнаться память, правильно ???
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.10.2004 Откуда: Саранск Фото: 25
tourer2jz писал(а):
На моем 12400 он 0.921v , посмотрел у других на скринах есть там 0.950v +, я так понимаю чем больше вольтаж тем лучше будет гнаться память, правильно ???
Ну, на твоем проце(не К) вроде нельзя этот вольтаж поднимать...
tourer2jz писал(а):
Ну...если сказать как есть , у меня не хватило мозгов понять что с этой таблицей делать
В зеленые строки надо вбить нужные параметры как указано. Я обычно вбиваю уже готовые первичные тайминги и одинаковые частоты что бы таблица сама не считала что там должно получится по основым таймингам на желаемой частоте.
Сейчас этот форум просматривают: Роман7007 и гости: 36
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения