AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Victor91rus Я не исключаю. Просто КП может чередовать команду активации наилучшим образом(RRD_S), но на практике запросы формируются как получится. Необходимые данные могут лежать в одной строке, могут в разных строках одного банка, в другом банке той же группы, в другом банке другой группы. Ещё их вообще может в памяти не быть(ошибка или почти бесконечная история с доступом к диску, записью в память и тп). Вы не можете напрямую кодить машинными командами (крыша поедет ещё когда попытаетесь написать и реализовать Hello World...) сразу же идеальный код, который будет идеально паралеллиться как на цп так и на памяти. Это миф, в лучшем случае это будут максимально оптимизированные ассемблерные вставки. И это без учёта "многозадачности"... В итоге конвеер просто формирует очередь запросов и пытается её распределить наилучшим образом. Я уверен, что там мешанина активаций из RC, RRD_S, RRD_L. И как следствие чтение\запись в этой мешанине.
FAW применяется к любой активации. Чисто теоретически можно предположить ситуацию с огромным FAW и маленьким RC, что выльется в FAW>RC*4 и он будет применяться. Ну пропал у вас RRD из переменных, это ничего не изменило. Я же говорю практически будет мешанина из разных активаций. RRD_S рассматривают как самый оптимистичный вариант - всё. Именно поэтому чем больше FAW тем сильнее он влияет, а минимальный вообще ничего не делает.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Зачем передергиваешь факты? WRRD зависит от WTR, это есть и в той таблице, что я привел. Еще раз перечитай, что я писал. RDWR не зависит от WTR! И ни RDWR, ни WRRD не зависят от CCD!
Добавлено спустя 1 минуту 10 секунд: BL не зависит от CCD, это CCD зависит от BL!
Добавлено спустя 7 минут 27 секунд: Для тех, кто хочет сам разобраться. В стандарте есть на странице 134 подраздел, определяющий минимальные тайминги RDWR и WRRD для разных групп: 4.25.6 Read and Write Command Interval Table 53 — Minimum Read and Write Command Timings Смотрите и изучайте.
На предыдущих страницах рассматриваются разные частные случаи, а эта таблица подбивает конечный вывод из написанного на предыдущих страницах!
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
anta777 писал(а):
RDWR не зависит от WTR!
а почему тогда при изменении WTR (WRRD) может меняться RDWR при неизменном tCWL ? и да посчитал по формуле CL-CWL+RBL/2+1tCK+tWPRE получается: 14-14+8/2+6+1 = 11 а RDWR стоит 10, получается tCKE игнорируется или как ? tWPRE всегда 1
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
tCK - это далеко не tCKE. И tWPRE тоже не равно 1. Ни у кого от изменения WTR(WRRD) на форуме еще не менялся RDWR. RDWR меняется от изменения tCWL, при понижении CWL возрастает RDWR. И материнские платы для интел не следуют строго стандарту JEDEC. К формулам WRRD(RDWR) нужно прибавлять 2(3) такта.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Так ну с примером я и правда промахнулся. WRRD отличный от вашей формулы не нашёл. Возможно МИНИМАЛЬНЫЙ тайминг действительно будет как на формуле, но это не значит что он больше не может быть. Я думаю, что тайминги разделены не просто так и для них правило SG>=DG никуда не делось. CCD это задержка ячейка банка(n) - ячейка другого банка. Я где-то написал что BL зависит от CCD? CCD не может быть меньше BL(4), а вот больше запросто.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Ну типичные значения весьма неплохо знать. Чтобы сначала выставить например SG и потом сразу понятно что DG пойдёт также или ниже (или наоборот, без разницы).
Имеем следующего пациента - G.Skill Ripjaws V F4-3200C14D-16GVK (xmp 14-14-14-34-560-2Т, 1,35v) Удалось запустить и стабильно эксплуатировать со следующими настройками (см. вложение)
Проблема в том, что при выключении ПК и повторном включении (на холодную....на след день) он не всегда может подхватить установленную частоту и тайминги...сбрасывая настройки памяти на jedec 2133. При этом, если зайти в биос и ничего не правя перегрузить ПК, он с легкостью подхватывает установленные настройки. TestMem5 проходит без ошибок. Из игр не выкидывает. Память греется до 51 град. В чем может быть проблема? где подкрутить?
Vcore - 1,3V fix, LLC1 (установлено в биосе); 1,296V - по мониторингу HWiNFO VCCIO - 1,22V (установлено в биосе);1,24V - по мониторингу HWiNFO VCCSA - 1,25V (установлено в биосе); 1,280V- по мониторингу HWiNFO DRAMM - 1,39V (установлено в биосе); 1,408V - по мониторингу HWiNFO
В биосе ручками установлены: - все первички - из вторичек: tWR-22 (в авто ставит 24), tRFC-650 (в авто ставит 560, мемтест в этом случае закидывает ошибками), tWTR_L - 13 (в авто ставит 17), tRTP-13 (в авто ставит 15), tCWL-15 (в авто ставит 17), все остальное в авто (от загрузки к загрузке значения не меняются) - из третичек: tREFI - 65535 (в авто ставит 11430, мемтест в этом случае закидывает ошибками), tRDWR_sg - 13 (в авто ставит 15), tRDWR_dg - 13 (в авто ставит 15), tRDWR_dr - 13 (в авто ставит 15), tRDWR_dd - 13(в авто ставит 15), tWRWR_dg - 4 (в авто ставит 6, аида в этом случае показывает провал по скорости копирования)
p.s. -пробовал tWR ставить 26 (чтобы соблюдалось условие tWR=2хtRTP=2х tWTR_L) - ситуацию не меняет, на холодную не запускается. -пробовал ручками ставить rt-l, io-l, iol offset, rtr delay - ситуацию не меняет, на холодную не запускается. После непродолжительного прогрева и перезагрузки подхватывает данные, установленные руками, тайминги. -если установить руками rt-l init (по формуле =iol+iol offset+2tCL+10), то вместо нормальных rt-l, io-l, в авто выдает рандомные значения, почти вдвое отличающиеся для каналов А и Б.
Сетап: i7 8700K @4.8Ghz/Be quiet Dark Rock PRO 4/ASRock Z370 Extreme4, bios v 1.80/G.Skill Ripjaws V F4-3200C14-16GVK (xmp 14-14-14-34-560-2Т, 1,35v); OC 4300Mhz 19-19-19-34-650-2T/Palit GeForce GTX 1080 GameRock/ LG 34UC89G (144Hz)/Rapoo E9070/Acer Predator Cestus 510
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 25.02.2017 Фото: 0
Agiliter спасибо здорово помогли. Я подошел к вопросу следующим образом: ваш пост+те формулы, что тут находил.
table
#77
VCCIO =VCCSA =1.2В, DDR = 1.4В. Что-то решил не трогать, просто уже надоело может завтра продолжу, если будет настроение. Пока не хочется часа на 4 тест запускать, минут 40+ крутился memtest86 и все нормально, может на ночь запущу еще. Таки memtest86 мне намного больше нравится чем testmem, последний находил ошибки после 30-40 минут тестирования, memtest же находит за первые 3-5 минут пока первые 6 тестов бегут, так я сразу с 15-16-16-36 перешел на 15-17-17-35 и так далее.
Если верить AIDA64, то я мог вообще не заниматься этой фигней а вот linx прибавил чуть более 10% из-за памяти
Сейчас этот форум просматривают: Itselfish и гости: 8
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения