AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2018 Откуда: Мозырь, РБ
MarkLevinson процитирую anta777: "Незапуск на холодную - это не стабильность". У Вас все вторички от балды выставлены. Тесты стабильности какие гоняли? testmem5 с каким конфигом, если гоняли? RRD_L/S попробуйте ниже, 6/4 например tFAW=RRD_S*4 WRRD_sg можно з попробовать 29, тогда WTR_S тоже поправить до 8. Да и напряжение для 4266 можно поднять еще.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.02.2016 Откуда: Минск Фото: 0
Таки взял 4 самсунга по 16 гигов, "дай" уже какой был - M378A2K43CB1-CRC. Попались вполне свежие и из одной партии.
Вложение:
newRAM.png [ 33.95 КБ | Просмотров: 791 ]
Долго не пристреливался, сходу взяли 3200 с таймингами 17-18-18-36-2 на 1.35 В, vccio 1.1, vccsa 1.175.
даже чуть больше 3200 из-за шины на авто
Вложение:
cachemem.png [ 91.91 КБ | Просмотров: 791 ]
cpu-z
Вложение:
sams64.png [ 44.87 КБ | Просмотров: 791 ]
Прайм95 хотя бы за 10 минут не вылетал. 3333 или 3200 на 16-16-16 уже не стартовали. Не знаю, можно ли рассчитывать на большее. В теме про выбор пишут:
Цитата:
выше 3200С14-3200С16 (и с повышением напряжения выше 1.35В) все двуранговые плашки греются хорошо и использовать их с разгоном выше в тесных корпусах без обдува не выйдет
Цитата:
Безрадиаторные плашки типа Samsung OEM лучше либо не мучать разгоном
Это реально так опасно? Корпус не тесный, вдув три 140-овки на ~800 оборотов, выдув одна на ~1040. P. S. Обнаружился странный глюк с LinX - любая версия по факту тестирует 32 гига памяти, даже если вручную задать например 62000 мегабайт. Как только нажимаешь "старт", цифры сразу меняются на 31000 с чем-то.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.01.2013 Откуда: РФ Фото: 998
Remarc, ну так ведь, по тесту аида64, 3533 16-18 19-36 лучше чем 3400 16-18-18-36, а тем более лучше чем 3200 16-18-18-36 ))) А вот с ужатием таймигов у меня ничего не получается, например та же частота 3400 с 16-17-17-34 не работает нормально, выдает ошибки.
_________________ B550M Steel Legend 5800X 4100/1.075 ALF III 240 AES 3800 CL16 32 Gb KFA2 RTX 3080Ti SG Legion GX PRO 850W Gold 970 EVO+ 2х2тб LG 27GL83A-B JONSBO D30
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
Leon75 писал(а):
Remarc, ну так ведь, по тесту аида64, 3533 16-18 19-36 лучше чем 3400 16-18-18-36, а тем более лучше чем 3200 16-18-18-36 ))) А вот с ужатием таймигов у меня ничего не получается, например та же частота 3400 с 16-17-17-34 не работает нормально, выдает ошибки.
при одинаковых таймингах само собой,но кпд у тебя падает,смотри твоя память 3533 и мои микроны на 3200 почти одно и тоже,только кпд по псп у моей 97%-95%-90%,у твоей 91%-87%-77% Процессоры AMD Ryzen 1000-й серии (Summit Ridge\Zen\14nm\AM4) #16058200 кроме первичных есть еще и вторичные тайминги,их надо тоже снижать
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
проверил. Что-то у меня ощущение, что trrd_sg < 6 просто игнорируется. Вместе с ним игнорируется и TFAW < 24. Надо проверить что я проверил. линкс, аида, 7zip не видят разницы. 4-4-16 = 4-6-16 = 4-6-24
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Leon75 Если у вас RC в авто то без разницы что вы сравниваете. С таким же успехом можно на интеле выставить 3600 14-14-20-60. anta777 BL4 BC2 BL8 имеется ввиду 8 "эффективных" тактов. целых тактов там всего4. Это же DDR, а не просто DRAM. И к RRD это не имеет никакого отношения. RRD отвечает только за активацию ячеек, после активации идёт RCD и CL.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Ты как всегда не прав, пишешь, не изучив тему. Читай: стр.19, fig.19 https://www.micron.com/-/media/client/g ... _guide.pdf "The tRRD limitation would only apply to every other access, which is to the same device. The minimum time between every other access is limited by burst length (BL/2 * 2 = 8 clocks). This value is greater than the seven clocks needed to satisfy tRRD; therefore, tRRD is no longer a constraint. However, the four-bank activate window (tFAW) remains the limiting factor." Добавлено спустя 3 минуты 19 секунд:
Victor91rus писал(а):
проверил. Что-то у меня ощущение, что trrd_sg < 6 просто игнорируется. Вместе с ним игнорируется и TFAW < 24. Надо проверить что я проверил. линкс, аида, 7zip не видят разницы. 4-4-16 = 4-6-16 = 4-6-24
У меня самый лучший тест реального tFAW - это время прохождения testmem5, когда снизил tFAW (параллельно с tRRD), то время прохождения значительно уменьшилось.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.04.2015 Откуда: Нижний Новгород
anta777 прошу прощения, а с таблицей с формулами вашим общим творчеством с еще одним товарищем с форума все пока заглохло? Не подскажете, последний вариант где-то можно изучить?
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 24.06.2019
d3ma писал(а):
Вместо двух часов 1ч 50 минут?
тут ничего смешного нет. я вот вчера крутил таиминги. ставил их в автомат(фав был при этом 32 или 37,не запоминал) и ручные,фав-16. это две оч приличные разницы. тм5 цикл проходит значительно быстрее.
_________________ Crosshair VI Hero_R7_1700,3900mhz_4x8gb b-die_3500mhz_palit_GTX 1070
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
anta777 Это ограничение распространяется только на один вариант организации чипа памяти x16 с 2 KB страницами памяти. На x8 он не распространяется никак.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Таблица 6 прямо над тем текстом что вы привели с ограничениями таймингов в зависимости от организации. Раз всё так гладко, что нужно обязательно упираться в 8 тактов зачем там 4 по вашему?
Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot], Litmus и гости: 24
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения