MANUFACTURING DESCRIPTION
Module Manufacturer:   Micron Semiconductor (Xi’an) Co., Ltd.
Module Part Number:   8ATF1G64HZ-3G2R1
DRAM Manufacturer:   Micron Technology
DRAM Components:   D8BPJ (MT40A1G8SA-062E:R)
Component Design ID:   Z41C
DRAM Die Revision / Process Node:   R / 14 nm
Module Manufacturing Date:   Week 31, 2021
Manufacturing Date Decoded:   August 2-6, 2021
Module Manufacturing Location:   Xi'an, China (MXA)
Module Serial Number:   3084B65Fh
Manufacturing Identification Number (Lot Number):   DPARRHK001
Module PCB Revision:   1
PHYSICAL & LOGICAL ATTRIBUTES
Fundamental Memory Class:   DDR4 SDRAM
Module Speed Grade:   DDR4-3200AA
Base Module Type:   SO-DIMM (68,60 mm)
Module Capacity:   8 GB
Reference Raw Card:   A2 (8 layers)
JEDEC Raw Card Designer:   Micron Technology
Module Nominal Height:   29 < H <= 30 mm
Module Thickness Maximum, Front:   1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back:   1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks:   1
Address Mapping from Edge Connector to DRAM:   Standard
DRAM Device Package:   Standard Monolithic
DRAM Device Package Type:   78-ball FBGA
DRAM Device Die Count:   Single die
Signal Loading:   Not specified
Number of Column Addresses:   10 bits
Number of Row Addresses:   16 bits
Number of Bank Addresses:   2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing:   2 bits (4 groups)
DRAM Device Width:   8 bits
Programmed DRAM Density:   8 Gb
Calculated DRAM Density:   8 Gb
Number of DRAM components:   8
DRAM Page Size:   1 KB
Primary Memory Bus Width:   64 bits
Memory Bus Width Extension:   0 bits
DRAM Post Package Repair:   Supported
Soft Post Package Repair:   Supported
DRAM TIMING PARAMETERS
Fine Timebase:   0,001 ns
Medium Timebase:   0,125 ns
CAS Latencies Supported:   10T, 11T, 12T, 13T,
14T, 15T, 16T, 17T,
18T, 19T, 20T, 21T, 22T, 23T, 24T, 25T, 26T, 28T
Minimum Clock Cycle Time (tCK min):   0,625 ns (1600,00 MHz)
Maximum Clock Cycle Time (tCK max):   1,600 ns (625,00 MHz)
CAS# Latency Time (tAA min):   13,750 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min):   13,750 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min):   13,750 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min):   32,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min):   45,750 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min):   350,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min):   260,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min):   160,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min):   2,500 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min):   4,900 ns
Write Recovery Time (tWR min):   15,000 ns
Short Write to Read Command Delay (tWTR_S min):   2,500 ns
Long Write to Read Command Delay (tWTR_L min):   7,500 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min):   5,000 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min):   21,000 ns
Maximum Active Window (tMAW):   8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC):   Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant:   Yes/Yes
Supply Voltage (VDD), Min / Typical / Max:   1,16V / 1,20V / 1,26V
Activation Supply Voltage (VPP), Min / Typical / Max:   2,41V / 2,50V / 2,75V
Termination Voltage (VTT), Min / Typical / Max:   0,565V / 0,605V / 0,640V
THERMAL PARAMETERS
Module Thermal Sensor:   Not Incorporated
SPD PROTOCOL
SPD Revision:   1.1
SPD Bytes Total:   512
SPD Bytes Used:   384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh):   3A77h (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh):   4C30h (OK)
PART NUMBER DETAILS
JEDEC DIMM Label:   8GB 1Rx8 PC4-3200AA-SA2-11
Classification:   DDR4 SDRAM
Module Type:   260-pin SO-DIMM
Module Speed:   DDR4-3200 22-22-22
Die Revision:   R
PCB Revision:   1
Package Type:   FBGA
Frequency   CAS   RCD   RP   RAS   RC RRDS RRDL WR WTRS WTRL FAW
1600 MHz   28   22   22   52   74   4   8   24   4   12   34
1600 MHz   26   22   22   52   74   4   8   24   4   12   34
1600 MHz   25   22   22   52   74   4   8   24   4   12   34
1600 MHz   24   22   22   52   74   4   8   24   4   12   34
1600 MHz   23   22   22   52   74   4   8   24   4   12   34
1600 MHz   22   22   22   52   74   4   8   24   4   12   34
1466 MHz   21   21   21   47   68   4   8   22   4   11   31
1333 MHz   20   19   19   43   61   4   7   20   4   10   28
1333 MHz   19   19   19   43   61   4   7   20   4   10   28
1200 MHz   18   17   17   39   55   3   6   18   3   9   26
1200 MHz   17   17   17   39   55   3   6   18   3   9   26
1067 MHz   16   15   15   35   49   3   6   16   3   8   23
1067 MHz   15   15   15   35   49   3   6   16   3   8   23
933 MHz   14   13   13   30   43   3   5   14   3   7   20
933 MHz   13   13   13   30   43   3   5   14   3   7   20
800 MHz   12   11   11   26   37   2   4   12   2   6   17
800 MHz   11   11   11   26   37   2   4   12   2   6   17
667 MHz   10   10   10   22   31   2   4   10   2   5   14