AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: В сети Регистрация: 29.03.2017
Короче я уловил что там имеется ввиду. Там имеется ввиду, что чтобы обойти лимиты доступ-доступ для RRD предлагается использовать ДВА девайса (например двухранг или две планки на один канал). Отсюда и взялось ДВА BL. Обратите внимание на схему в которой в адресе фигурируют ДВА разных устройства. Если у вас будет RRD4 на одном устройстве то зачем вам два BL учитывать?
процитирую anta777: "Незапуск на холодную - это не стабильность".
Полностью согласен с данным утверждением, но есть подозрение, что где-то нужно малеха подкрутить и ПК сможет стабильно грузить на холодную.
nucl3arlion писал(а):
У Вас все вторички от балды выставлены.
Все вторички устанавливаются МБ, т.к. в биосе указано значение "авто". Руками установлен только: - tWR - 26 (чтобы соблюдалось условие tWR=2хtRTP=2х tWTR_L), вместо 24 - в режиме авто; - tRFC- 650 (в авто ставит 560), мемтест при значениях ниже 620 закидывает ошибками, при значениях 640...650 стабильно проходит мемтест и из игр не выкидывает. - tWTR_L - 13 (в авто ставит 17), условие tWR=2хtRTP=2х tWTR_L соблюдается - tRTP - 13 (в авто ставит 15), условие tWR=2хtRTP=2х tWTR_L соблюдается - tCWL - 15 (в авто ставит 17), условие tCL - 3..4 соблюдается все остальное в авто (от загрузки к загрузке значения не меняются) Если есть конкретные советы по уточнению вторичек, готов их услышать.
nucl3arlion писал(а):
Тесты стабильности какие гоняли?
Мемтест (профиль 1usmus_v2) + игры (которые прогревают память куда сильнее и нестабильность памяти проявляется в них явно). Подход к тестированию у меня таков. После изменения частоты/таймингов запускаю мемтест, гоняю его 1-2 мин (если, что-то криво установлено мемтест тут же выдает ошибки). Далее загружаю фортнайт. Если 2-3 часа жестких сетевых баталий держит в целом -"ОК". Далее разогретую в играх систему запускаю мемтест (2-3 раза), если нет ошибок, то в целом "ОК". Память при этом 51-52 градуса.
nucl3arlion писал(а):
RRD_L/S попробуйте ниже, 6/4 например
Пробовал. ПК не запускается с такими таймингами.
nucl3arlion писал(а):
WRRD_sg можно з попробовать 29
По мне, так изменение данного параметра бесполезное занятие. Как я вижу в режиме авто материнка его устанавливает в соответствии с формулой WRRD_sg = tCWL+6+tWTR_L. Если меняю значения tCWL и tWTR_L , то WRRD_sg всегда в режиме авто подтягивается до расчетных значений. Изменить его с 34 на 29 конечно можно...но к повышению стабильности это явно не приведет.
nucl3arlion писал(а):
WTR_S тоже поправить до 8.
Попробовал WTR_S установить 8 вместо 6, атоматом пересчитался WRRD_dg c 27 до 29. Ситуация с холодным стартом не поменялась.
nucl3arlion писал(а):
Да и напряжение для 4266 можно поднять еще
Изменил DRAMM с 1,39V (установлено в биосе); 1,408V - по мониторингу HWiNFO на 1,43V (установлено в биосе); 1,44V - по мониторингу HWiNFO. Ситуация с холодным стартом на текущих таймингах не поменялась.
FAW ниже 37 с данным напряжением не стартует (сейчас в авто режиме стоит 39). По рекомендуемой формуле tFAW=RRD_S*4 получается = 6*4=24. С таким значением у меня на частоте 4100 ПК не запускается...что уж говорить про 4300.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Для такого варианта чтения, как приведено в fig.19 RRD <8 не играет роли, для других вариантов чтения RRD<8 имеет смысл. И я считаю два девайса - это две планки, по одной на канал, а не двуранг или две планки на один канал.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.01.2013 Откуда: РФ Фото: 1004
Можно ли запороть озу, если напряжение питания озу не превышалось 1.35 вольта? Дело в том, что сегодня, ни тм5 ни линксом не проходит тест, даже хмр из коробки (3200 16-18-18-36), хотя вчера было все ок, даже на 3400 (16-18-18-36) спокойно проходил эти тесты... БИОС скидывал.
_________________ B550M Steel Legend 5800X 4100/1.075 ALF III 240 AES 3800 CL16 32 Gb KFA2 RTX 3080Ti SG Legion GX PRO 850W Gold 970 EVO+ 2х2тб LG 27GL83A-B JONSBO D30
Advanced member
Статус: В сети Регистрация: 29.03.2017
anta777 Читайте весь абзац несколько раз внимательно. Сначала там вводится предположение, обойти лимит доступ-доступ с помощью двух устройств. И дальше в контексте двух устройств говорится обо всём остальном. Про ранг и два модуля на канал там прямым текстом написано.
Цитата:
These constraints can be reduced further by using two device sworking together in a multirank, shared I/O bus configuration
Advanced member
Статус: В сети Регистрация: 29.03.2017
Короче не важно, что именно они предполагают под девайсом. Суть в том что ограничение для одного устройства 4 такта. Всё остальное попытки обойти ограничение больше 4 тактов. То есть если у вас 2 ранга то RRD<=8 может обходится кп с помощью чередования устройств. Я правда полагаю, что лимит в любом случае 4 такта, сомневаюсь что всегда можно чередовать как захочется, а не как надо процессору. Так что это не устраняет случаев RC и RRD.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Agiliter писал(а):
Читайте весь абзац несколько раз внимательно. Сначала там вводится предположение, обойти лимит доступ-доступ с помощью двух устройств. И дальше в контексте двух устройств говорится обо всём остальном. Про ранг и два модуля на канал там прямым текстом написано.These constraints can be reduced further by using two device sworking together in a multirank, shared I/O bus configuration
Вывод: для двуранговых планок RRD<8 нивелируется в некоторых ситуациях. Организация планок - х4,х8,х16, не играет никакой роли.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2004 Откуда: Россия Фото: 38
MarkLevinson RTL/IOL, хоть что-нибудь задавали, даже RTL INIT? Если ДА, то поставьте всё в авто, может пропадёт нестабильность при холодном старте. Если НЕТ, тогда мне, пока, больше предложить нечего.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.06.2010 Откуда: Астрахань Фото: 6
мср фаст бут надо обязательно ставить, чтоб материнка не перетренивала каждый раз. Но надо поймать и зафиксировать удачный тренинг, я так пару раз кривую треньку сохранял
_________________ Когда нет желания что-то делать, отложи на потом.
снизить частоту памяти до 4000 и искать стабильность
4200 с текущими таймингами на холодную запускается...4300 нет. Дальнейшее увеличение tRFC, более 650, и увеличение каких либо иных таимингов может повлиять на ситуацию с холодным стартом? если да, то какие таиминги ..куда крутить (не трогая первички)? binarycraft
binarycraft писал(а):
RTL/IOL, хоть что-нибудь задавали, даже RTL INIT? Если ДА, то поставьте всё в авто, может пропадёт нестабильность при холодном старте.
Ставил RTL INIT (по формуле =iol+iol offset+2tCL+10), в этом случае вместо нормальных rt-l, io-l, в авто выдает рандомные значения, почти вдвое отличающиеся для каналов А и Б. Пробовал ручками ставить rt-l, io-l, iol offset, rtr delay - ситуацию не меняет, на холодную не запускается. После непродолжительного прогрева и перезагрузки подхватывает данные, установленные руками, тайминги.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2004 Откуда: Россия Фото: 38
В шаблоне, в шапке темы, недостаточно данных, там не хватает: напряжений DRAM, VCCIO, VCCSA; желательно добавлять скриншот ATC. Может что ещё, сильно не задумывался.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
Waad писал(а):
Мда, думал в теме про выбор ddr4 будет оффтоп постить, а тут вообще проигнорили, аж на предыдущей странице мои вопросы остались...
Да двурангов тут мне кажется мало у кого. Я так понял их и гнать то смысла нет, надо тайминги ужать. Ну и напряжение попробовать для старта модно накинуть, а дальше по результатам думать... Посмотреть как будут греться, если в разгоне на првышенном врльтаже стартанет...
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
MarkLevinson писал(а):
4200 с текущими таймингами на холодную запускается...4300 нет. Дальнейшее увеличение tRFC, более 650, и увеличение каких либо иных таимингов может повлиять на ситуацию с холодным стартом? если да, то какие таиминги ..куда крутить (не трогая первички)?
Чтобы убедиться, что проблема с таймингами , а не контроллером и нехваткой напряжения на процессоре, памяти, IO, SA, нужно пересчитать все тайминги из настроек на 4200 вашей памяти на 4300, округлить такты в большую сторону, забить их в биос. При отсутствии старта проблема в каком-то напряжении.
Сейчас этот форум просматривают: Agiliter и гости: 8
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения