AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Приветствую. Первичные тайминги осилил кое как, но вот вторички для меня оказались высшей математикой. Глаза лопнули, так толком и ничего не понял, поэтому прошу подсказки как и что уменьшать.
12400F+ 4 планки PVS416G440C9K
Нет жалания задрачивать каждый тайминг, рисковать "пережатием" и некорректной работой для прироста +1% . На канале i2HARD вообще видео что из вторичек много прироста дает trefi и tRFC, в общем кто в теме тот наверняка знает.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
tRC для максимальной производительности у DDR4 при разгоне нужно держать не больше 64, что тут может быть непонятного. У DDR5 - не больше 256 (32 банка,RRDS=8,FAW=32,BL=16).
Кто то может скинуть Asrock Timing Configurator 4.0.13 ? По ссылке из шапки пишет что файл не найден. Upd. Нашёл на другом ресурсе. Залил себе на диск. Если надо можно и в шапку добавить https://drive.google.com/file/d/1qFkS49 ... sp=sharing
И какая версия LinX сейчас актуальная ? Процессор 10400ф
_________________ Gigabyte b560m aorus pro + 10400f + crucial ballistix 3000cl15 red 2x8 (micron e die)
Для кого в шапке написано "Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16) эффективен только при tRC<=64"
Получается, если у меня штатные показатели XMP профиля 19-23-23-46, то расчетный tRC = 71. Память разгонять смысла нет? Это и причина большой латентности в моем случае... Но с другими таймингами память на запускается.
ПРавда, смотрю почти у всех стоит command rate 2, а у меня 1. Как это может повлиять на разгон?
Выше частота с cr=2. 19-23-23-41-2 нужно пробовать тайминги
Не стартует совсем. Никак. Плюс gear 2 + command rate 2 - есть заранее вопросы к производлительности.
Подскажите пожалуйста, на alder lake а именно процессоре 12400f может быть латентность в районе 55-60 это норма? Контроллер памяти в моем случае частоты выше 3433mhz не держит. В TM5 extreme не ошибки, а глухое зависание. На частоте 3433Mhz с таймингами cl15-18-18-32-CR1, напряжение 1,4, соответственно gear 1, латентность держится в районе 58-60. На частоте 4533Mhz с таймингами cl19-23-23-45-CR1, напряжение 1,47, соответственно gear 2, латентность держится в районе 68-69. Стабильно работают обе вариации.
Вопрос - что же лучше "прожимать" и оставлять, с учетом что работает все исключительно в игровом режиме.
Делал тесты в FarCry6, в итоге получил интересную картину. На минимальных настройках графики минимальный и средний FPS отличается на 2-3 в большую сторону при меньшей частоте и латентности, при ультра найтройках графики минимальный и средний FPS отличается на 1-2 кадра в большую сторону уже при бОльшей частоте и высокой латентности....
Короче я в ступоре. Подскажите направление, куда дальше "копать".
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 13.01.2017 Фото: 3
Память 3200 cl14 (b-die), доска z490-f gaming, bios 2403
Рандомные зависоны в играх с треском звука и перезагрузка компа, в событиях критич.ошибка 41(63), грешил на command rate 1. Изменил на "2", два дня все было отлично и вот вечером тоже самое, но дамп памяти не записал bdos. Ещё заметил что в "авто" доска давит на напряжение SA 1,248v. И как вообще на стриксах в ручную ставить напряжения на SA и OA, я вписываю рядом значение 1,17 и 1,16 соответственно, а Биос все равно ставит свои значения, так же и с напряжением на память.
Этот плавающий bsod стал происходить после смены процессора с 10400ф на 11600кф, до этого год система работала без нареканий
После подкрутки таймингов по табличке - получил реальный результат. Действительно, в gear 1 + cr 1 - получается производительность выше, чем в gear 2, даже с учетом разницы в частоте больше 1 Ghz.
На 15-18-18 вываливаются ошибки. Стабильность получена по 15-19-19 при 1.45в. Тест проходит. Посмотрите пожалуйста, что еще куда крутить, чтобы ужать дополнительно.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
WR=12 RTP=6 RDRDsg=6 WRWRsg=6 RDWR(все) должны идти ниже tREFI можно поднимать по 1000 до стабильного максимума (тестировать y-cruncher n32)
Добавлено спустя 4 минуты 33 секунды: BCLK=101 или 101.5 сколько плата держит сделать
Добавлено спустя 2 минуты 42 секунды: 15-18-18 на 3466 не могут давать ошибки, если стабильны 19-23-23 на 4533, что-то у вас не то
Добавлено спустя 1 минуту 11 секунд: Тайминги (стабильные) пересчитываются в наносекунды, затем приводятся к новой частоте памяти.
Добавлено спустя 30 секунд: tRFC и tREFI нужно ставить в авто при тестировании
Добавлено спустя 5 минут 34 секунды: У вас бракованная память, так как ее xmp-профиль гарантирует tCL=9ns tRCD/tRP=9.5ns Для 3466 - это 15.6 и 16.5 в тактах. Поэтому ваша память на дефолтном напряжении (1.35 вольт) должна брать на частоте 3466 16-17-17-34 без малейших проблем.
Добавлено спустя 3 минуты 34 секунды: Бывает память не держит FAW и RRDS, поэтому ставьте как в профиле RRDS=9 RRDL=11 FAW=48
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 31.07.2016 Фото: 0
Ребят, выручайте. Попала в руки MSI MEG Z590 Unify (не X, и не I, а обычная). Не могу на ней завести память на 3733Мгц в Gear 1 (B-die). Конские тайминги, вольтажи, CR2, переставлял планки - ничего не помогает. Нет загрузки. На 3600Мгц, кстати, плата требует выше напряжение на SA и IO2. Например, Z590 Aorus Master работает при 1.3В SA и 1.3В IO2. Unify заводиться начинает с 1.35В SA и 1.4В IO2 (всё, что ниже - или не грузит или грузит через раз с ошибкой 55). Это при том, что память и проц в системах те же самые. Заведомо известно, что камень может ехать на 3733Мгц в Gear 1 на Z590 Aorus Master и Maximus 13 Apex т.е. это не проблема контроллера памяти именно этого камня. Master и Unify обе Daisy Chain платы. С MSI платами дел не имел. Может что-то пропустил. На что можно еще обратить внимание?
Вот, этот же камень + память на Z590 Aorus Master, скрин сделан вчера:
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 34
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения