AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.12.2012 Откуда: VRN
Paul_Noble писал(а):
Мучался всю ночь
=) угараю с вас, память вообще не влияет ни на что, я вот сидел на 3733 с ошибками, причем целых полгода играл, вообще пофигу нестабильности не было никакой, спустился на 3200 и разницы нигде нет, как играется во все так и играл, в слепом тесте и не отличишь, а покажется что 3000 быстрее 4000 конфуз выйдет
Добавлено спустя 2 минуты 43 секунды:
ered писал(а):
Я конечно не специалист, но думаю тебе надо в шапке темы взять таблицу с таймингами и выставить все тайминги вручную. латенси упадет. сам проверял.
хмп надо ставить, она какието вещи содержит полезные, так вот у меня например без включенной хмп, память ни в сток частоте, ни в разгоне не грузится вообще комп
_________________ ARM64 Новая легенда: Внимательный Пад 2022
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.11.2002 Откуда: New Mexico, USA Фото: 42
Paul_Noble писал(а):
3866mhz 14-15-14-31 cr1 gear 1 напруга 1.55v - меньше не стартует
Попробуй сменить на CR=2. Большинство модулей не способны вытянуть единицу на высоких частотах. А во-вторых стоит попробовать сначала расслабить тайминги (скажем так до 18) и штурмовать частоты, а потом уже ужимать тайминги. А вообще дело может быть и в КП с настройками напряжений процессора. Мой проц например туго гонится после 3600, а на 8600К эта же память легко брала 4400.
Добавлено спустя 4 минуты 27 секунд:
Dimych82 писал(а):
Вообще где-то читал что выше 45 градусов ОЗУ уже не есть хорошо.
Бывает, но далеко не у всех. У меня есть 4 комплекта на B-die. 3 из 4х плюют на температуру, 70+ всё в порядке. Один из них даже тестировал с 1,75в ради рекордов - без проблем. 4й начинает сыпать ошибки при 55 и требует активного охлаждения для разгона.
Бидоны. Гир 2. Два дня промудохался с ними. В Гир 1 память поехала только на 3333мГц сл13, явно не самый удачный КП попался, что меня несколько расстроило. Пришлось экспериментировать с Гир 2: и таки да, тут результаты вполне устроили.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.12.2008 Откуда: Тула Фото: 0
Попалась мне в руки свежая память Kingston KF426C16BB1K2/32. Интересны чипы - Samsung E-die, Kevlar 16 nm на новом тех. процессе. Кто-нибудь щупал такие, есть смысл мучать? Старые ревизии на 20нм вроде не показывали чудес. На форуме ничего не нашёл про Kevlar 16нм.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 01.03.2021 Фото: 1
Верно ли утверждение, что при настройке таймингов памяти число значения tREFI должно быть кратно 1024? По аналогии с tRFC, где лучше кратность 8 или 16, в зависимости от плашек памяти...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.11.2014 Откуда: Москва
Цитата:
AlastorCrow Бидоны. Гир 2. Два дня промудохался с ними. В Гир 1 память поехала только на 3333мГц сл13, явно не самый удачный КП попался, что меня несколько расстроило. Пришлось экспериментировать с Гир 2: и таки да, тут результаты вполне устроили.
З.Ы. напруга - 1.47
VCCSA какой при 3333мГц - 0.920V небось? Ты не пробывал добиться, у явно не самого удачного КП, питания хотя бы VCCSA - 0.982(6)V? А потом начать мудохаться с шиной через Гир 2?
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 03.02.2023 Фото: 1
Всем привет. К материнке MSI z690 tomahawk wifi ddr4 и камню i7 12700KF (работает в стоке, без разгона) приобрел комплект DDR4 Kingston FURY Beast Black RGB [KF436C18BBAK2/32]. Чипы - SK Hynix. Память установлена в двухканальный режим (2 и 4 слот). Решил разогнать память вместо использования XMP. Своими кривыми ручками получилось сделать 3733 (множитель 133) под напряжением - 1.35, остальные параметры напряжения и материнки в авто. Тайминги выставлял только первичные. Первоначально выставил как в XMP 18-22-22-39 CR2. Позже уменьшил до 17-20-20-39 CR2 под 1.35В и выставил tFAW 20. Остальные тайминги в авто. Работает в режиме Гир 1. Тест мем5 проходит без ошибок.
Подскажите, что еще можно сделать для улучшения памяти, так как далек от разгона памяти от слова совсем. Информация о таймингах, тестах памяти и напряжении во вложении.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 27.12.2020 Фото: 1
Здравствуйте уважаемые гуру оверклокинга. Хочу попросить совета у более опытных товарищей касательно моей первой работы - оптимизации таймингов памяти. Для пробного камня решил не поднимать частоту, а посмотреть - будет ли хоть какой-то видимый прирост от более грамотной настройки ОП, чем на стоке. На заводских настройках XMP3200 показывает скорости в среднем 44.5К, 45К, 40К соответственно read/write/copy. Память: Kingston HyperX FURY Black (HX432C16FB4K2/32), плата: MSI Z490-A PRO, напряжения: DIMM - 1.35, VCCSA - 1.18, VCCIO - 1.15 ТМ5 Экстрим проходит без ошибок. Друзья, посмотрите пожалуйста скрины и укажите мне на мои ошибки, коли они имеются... Заранее благодарю.
всем привет, купил 16гб плашку самсунг к своим 48гб, как только поставил через полчаса словил перезагрузку(не видел бсод ли это был, но скорее всего), вытащил три свои плашки, стал проверять новую мемтестом 2 с половиной прогона ошибок нет, как нет их в тестах аиды, винды и тм5, после тестов отошел, через 20 мин прихожу вижу рябь на экране, т.к. пк подключен через встройку думал кабель отошел, но нет проверил он завис, что это может быть, есть идеи? щас после запуска открыл браузер опять завис, у меня стоит разгон 3200, попробую сбросить и поставить планку в другой слот
p.s. в тесте тм5 конфигом экстрим анта ошибок нет, а вот если просто без настроек запускаю показывает больше 10, стоит ли этому верить? учитывая ни одной ошибки в мемтесте в 3 часа
Подскажите как правильно прописать обведенные значения в ручную ? У меня ничего не получается, плата не стартует. Загружается только с этими значениями в авто.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 27.12.2020 Фото: 1
Ramforce писал(а):
tRDRDsg/tWRWRsg=6, tREFI выше
Ramforce, tREFI я ставил конечно и много выше, и результаты там гораздо более "вкусные", но я боюсь ставить сильно высокий тайминг ибо думается мне, что это чревато сильным нагревом планок. Как я понял эти параметры работы памяти - tRFC отвечает сколько память перезаряжает ячейки (простой, "отдых"), а tREFI - соответственно непосредственно работа до цикла tRFC. Получается планка работает гораздо больше от стока (у меня 12480) и куда как меньше времени на перезаряд, так сказать "отдых". Отсюда и рост нагрева, без нормального охлада, а датчика температуры в моих бюджетных планках - нет. Так мне видится, но может мои размышления и неверны...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
Michutka2007 писал(а):
tRFC отвечает сколько память перезаряжает ячейки (простой, "отдых"), а tREFI - соответственно непосредственно работа до цикла tRFC
Всё верно, только при tRFC максимальное потребление тока и соответственно нагрев, это далеко не "отдых" по сравнению с остальным временем tREFI. (tRFC входит в цикл tREFI, который и начинается с tRFC)
Нагрев проявляется в появлении или увеличении количества ошибок при тестировании, не стоит бояться увеличения tREFI и уменьшения tRFC, пока ошибок нет.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения