AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Зяба Наверно, это таблица перевода секунд в герцы. Напряжение там оказалось вообще как затычка вместо CCD_S который крутить нельзя. Короче я устал. Всё что делают таблицы перевода Герц в секунды описаны в определении Герц в учебнике по физике за 8 класс. А также в википедии. Деление, умножение и округление тоже можно в учебнике по математике найти. Если вы не понимаете вот эти две вещи, то просто не пишите ничего. Герц Секунда
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.04.2015 Откуда: Нижний Новгород
Зяба так взялись бы и помогли. А то ощущение, что тут все только требуют что-то доделать, что люди делают из личной инициативы по доброй воле. А форумчанам надо все на блюдечке с голубой каемочкой.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.04.2018 Откуда: Пермь
Agiliter писал(а):
"сделать хорошо"
спасибо, порадовал старика)))
MeDd писал(а):
так взялись бы и помогли.
я к сожалению в этом мало что понимаю, поэтому и написал, что "непонятно де ничего", я ведь говорю со стороны конечного пользователя, если можно так выразиться, и лично мне многое непонятно, опять же видя явные ошибки в таблице. хотя возможно, кроме рук, еще глаза косят) без обид
_________________ 8700k@4,8/Z370 Gaming K6/Deepcool MAELSTROM 240T/Thermaltake Smart Pro RGB 850 Вт /F4-4266C19D-16GTZR 2х8/RX 6800XT 16Gb/980 Pro 1Tb
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 25.02.2017 Фото: 0
Как всегда все такие умные, а объяснить как считаете tRFC никто не может Спросил что за формула у anta777 в ответ 4 других с ссылками и расчетами. Да что ж такое.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.04.2015 Откуда: Нижний Новгород
anta777 кстати, в копилку. У меня на gigabyte z390 aorus master нет возможности выставить tREFI 65535. Максимальное значение 65534. Не знаю, за что они его так урезали.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.04.2015 Откуда: Нижний Новгород
d3ma у него в таблице все вроде бы внятно написано, нет? Берешь в наносекундах значение, переводишь в такты, подставляешь. В таблице указано, что взято 175нс, т.к. меньше не у всех работает. Лично я для себя поставил 160нс. Перевести легко можно, вписав в нужную ячейку маленькой таблички.
Добавлено спустя 7 минут 6 секунд: d3ma ты хочешь понять почему так или получить результат?) Чтобы получить результат нужно делать так, как написано в таблице. Чтобы понять почему так, нужно провести изыскания, которыми занимался anta777, читать форумы англо, японо, немецкоязычные. Выискивать формулы. Проверять значения. Общаться с представителями производителей оперативной памяти. Читать другие источники. Разобраться, как переводить из нс в такты. Герцы в наносекунды. Может быть даже определиться для себя, как связаны герцы и беккерели.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Зяба Для корректной работы памяти конденсаторам необходимо время на зарядку, Нужны задержки между командами и данными чтобы они не накладывались друг на друга если передача идёт по одним и тем же контактам, нужны задержки чтобы шумы не забивали полезный сигнал, конденсаторы со временем теряют заряд и тд. Короче любая фигня требует время. Это время разное даже на одной и той же партии чипов, не то что модулей поэтому и не существует готового универсального решения, только типовые. Так вот это дополнительное ВРЕМЯ на очень широком диапазоне частот примерно одинаковое при примерно одинаковых температурах.
Но задержки вы указываете в тактах, а не в наносекундах. Чтобы перегнать большое количество таймингов из тактов в наносекунды и обратно для другой частоты и написана эта таблица. Всё. Ещё раз Герцы, такты и секунды это единицы измерения времени, периода Вы можете вообще убрать Герцы и такты и оперировать только секундами. Только такты из настроек никуда не денутся. Да вы можете перегнать свои 4.8ГГц на процессоре в наносекунды. Получите интервал за который выполняются инструкции (сколько инструкций за единицу времени (или за такт) выполняется это уже вопрос посложнее). Вообще что угодно измеряемое в Герцах можно перевести в секунды, минуты, часы, без разницы. Герц это производная единица измерения из секунды.
anta777 7.8 это микросекунды. 7800 наносекунды. 7800 наносекунд на частоте 2400. 7800*1.2ГГц=9360тактов. Проверяйте в JEDEC. Считается как и всё остальное.
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 25.02.2017 Фото: 0
MeDd а, т.е. 175нс, ну вот и высянили, что в =ROUNDUP(B2*175/2000,0) - В2 - частота памяти, 175нс, 2000 - половина от частоты. 175 что-то непонятно откуда, которое не у всех работает, т.е. формулы все приблизительные.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.04.2018 Откуда: Пермь
Agiliter спасибо что потратил время, что такое время и в чем оно может измеряться, я конечно знаю, все же "высокое" образование имею) но вот в настройках памяти, к сожалению, применить эти знания не могу. я с пол года бился, чтоб запустить свою на 4266 (штатной так сказать) выше чем 3900 не хотела. благодаря нескольким умникам с форума, недуг удалось победить, 4266 пошла, даже кой какие тайминги подзадушил, но чуйкой чую что коряво. вот смотрю в таблицу, а вижу фигу, всего то. для 4400 указаны первичные 19 19 19 39 (прям как на моей) но сильно сомневаюсь, что так сможет, если только на георе или апексе может. 1,4 вольта то же сильно сомневаюсь, даже для 4266 и поджатыми таймингами, уже как минимум надо (мне) 1,42-1,43.
_________________ 8700k@4,8/Z370 Gaming K6/Deepcool MAELSTROM 240T/Thermaltake Smart Pro RGB 850 Вт /F4-4266C19D-16GTZR 2х8/RX 6800XT 16Gb/980 Pro 1Tb
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 24.06.2019
подскажите пожалст, че еще cстоит подкрутить? дело в том, что добавил еще пару планок, то есть 4на8 щас. тестил-тестил и бац,в 5 цикле в 6 тесте,который первым идет,вылезла одна ошибка трфц приподнять или фав? 2 конеш не оч хотелось-бы еще поднимать,хоть кальк и советует 30 с чемто . на память выставлено 1.445. сок на картинке. кстате удалось загрузится при 48 прок одт,даж на 43 стартует.
Вложение:
4х8.jpg [ 91.69 КБ | Просмотров: 606 ]
_________________ Crosshair VI Hero_R7_1700,3900mhz_4x8gb b-die_3500mhz_palit_GTX 1070
Последний раз редактировалось qwerttttyy 09.07.2019 15:02, всего редактировалось 2 раз(а).
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Зяба Вы смотрите внизу на профили вытащенные из XMP или других источников в качестве образца. Там кстати в описании всё это и указано. Это просто дополнительная информация, оно никаким образом не гарантирует, что у вас будет так работать. Ещё раз эта таблица не даст вам готовый разгон. Это просто набор информации с образцами, типовыми значениями.
Основное её назначение в самом начале или на втором листе: Работает у вас память на 3200 с подобранными таймингами и вы хотите попробовать например 3400 с такими же задержками (в нс). Вбили 3200 и текущие задержки и получили готовые задержки для 3400(обратно тоже работает). Она не решает проблему с подбором напряжений, не решает проблему с подбором максимальной возможной частоты (хотя косвенно и с частотой может помочь). Вы пытаетесь найти ещё и напряжение и частоту максимальную автоматически. Оно к сожалению не попадает под то что можно легко посчитать.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2004 Откуда: Россия Фото: 38
anta777 Задал из винды tWRPRE=27, получил tWR=7 (в ATC=7, АМТ=24 и это 24 зависит от tWRPDEN=45 походу), TestMem5 0.12 с конфигурацией Heavy5opt By anta777 пройден этой ночью без ошибок все 3 цикла. Сейчас вобью в BIOS, и повторю тест, заодно камрад просил температуру модулей памяти снять в HWINFO и т.п. Выложу тут, если будет всё ОК. Вот собственно (для начала):
TB (Read), TB (Report in clock cycles), TB (Report in nanoseconds), ATC, AMT (Timings #1), AMT (Timings #4), AIDA (Тест кэша и памяти)
LinX, TestMem5, HWINFO, Prime
anta777, только какой прок от такого низкого tWR, расскажи плиз, я в устройстве памяти не очень соображаю, но вроде ещё обучаемый
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.04.2015 Откуда: Нижний Новгород
d3ma в формуле не ясно что за число 2000? Это никак не половина частоты, т.к. она бы тогда была ссылкой на ячейку. но тут это константа. вникаем глубже. Тайминг = Округление (эффективная частота памяти*175/2000,0) Т.к. реальная частота в 2 раза ниже эффективной, то нужно Частоту эффективную поделить на 2. Далее, наносекунды, в которых мы измеряем задержку. Вспоминаем школу. Что нужно делать, когда у тебя разные величины в одном уравнении? Перевести их в единую систему измерений, т.е. СИ. Память у нас в Мегагерцах, тайминг в наносекундах. Думаем. Гуглим. Наносекунда 10 в -9 степени секунд. 1 Мегагерц = 1 в 6 герц. Переводим в уравнении все в единую систему. Зачеркиваем нолики. Просто Андрей не стал расписывать 2000, как 2x1000.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Попробую описать простую операцию как используются WR и RTP.
Запись в закрытую строку завершающаяся командой PRE. RCDWR+CWL+BL(данные тут)+WR+RP Если RAS > RCDWR+CWL+BL+WR, то полное время будет RAS+RP.
То есть вот так. max(RAS+RP, RCDWR+CWL+BL+WR+RP)
Чтение из закрытой строки завершающееся командой PRE. RCDRD+CL+BL(данные) С чтением хитрее. RTP+RP начинаются параллельно с CL после RCD. RAS тоже никуда не делся.
То есть max(RAS+RP, RCD+RTP+RP, RCD+CL+BL) На счёт корректности RCD+CL+BL у меня сомнения в данном случае, я даже не уверен что оно будет работать если окажется самым большим из вариантов.
Некоторые тайминги даёт скручивать в 0 просто потому, что они идут параллельно и по сути перекрываются другими.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
binarycraft писал(а):
anta777 Задал из винды tWRPRE=27, получил tWR=7 (в ATC=7, АМТ=24 и это 24 зависит от tWRPDEN=45 походу), TestMem5 0.12 с конфигурацией Heavy5opt By anta777 пройден этой ночью без ошибок все 3 цикла. Сейчас вобью в BIOS, и повторю тест, заодно камрад просил температуру модулей памяти снять в HWINFO и т.п. Выложу тут, если будет всё ОК. Вот собственно: * тут будет скриншот * anta777, только какой прок от такого низкого tWR, расскажи плиз, я в устройстве памяти не очень соображаю, но вроде ещё обучаемый
Какой у тебя CWL? И поставь в биосе tWRPDEN=27, он должен быть равен tWRPRE. И на какой частоте у тебя tWR ужалось до 7? И какая память, напомни, пожалуйста. Польза низкого tWR изучалась подробно в работах доктора Ли. Тестирование шло в разных приложениях с разными значениями tWR. От снижения получается значительный выигрыш.
Сейчас этот форум просматривают: ПерешелВ7класс и гости: 35
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения