AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
_________________ «Не давайте святыни псам и не бросайте жемчуга вашего перед свиньями, чтобы они не попрали его ногами своими и, обратившись, не растерзали вас»
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.12.2006 Откуда: Екатеринбург
Здравствуйте. Взял дополнительные 2 модуля по 8gb F4-3600C14D-16GTZRA, к уже имевшимся (достались в подарок). Полагал запустится без проблем на 3800, но даже на 3733 сыпят ошибки в тм5, причём напряжение ставил вплоть до 1,55. Результат одинаковый. 2 модуля отдельно спокойно берут 3800 (в любой паре). Материнка gigabyte b550 aorus elite v2. Проц 5600х
Что посоветуете? Поднимать тайминги, если да, то какие в первую очередь?
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 14.10.2021
Помимо не найденного параметра tXP(4), надо что-то еще править ? Щас "вроде" нормально, правда ТМ5 не гонял, но игры без крашей и рендер видео без ошибок.
#77
Если больше нечего править, тренировку памяти выключить в биусе ?
_________________ i7-8700k 5 GHz • Asus X Hero • 2x16Gb 3600 MHz • Palit RTX 4070 Ti GameRock Classic OC • Corsair AX1200 • 27" Asus PG279Q • Win 10 LTSC x64 21H2
timlaki А что вы хотели от самой дешёвой дешманщины Kingston, я вот тоже надеялся получить на чипах hynix, но у меня попалась nanya, но теперь я вижу, что мне ещё повезло, по сравнению с вами, моя память хотябы 3556 берет на 16-17-18 и остальные тайминги неплохо ужать удалось
Да я то в принципе особо и не питал надежд.. хотя и купил ее в свое время не дешево...а на сколько я понимаю, линейка перредатор, сама фирма позиционирует как "топовую"на ступень выше чем фьюри (как было до продажи бренда хайперХ)... а по факту это ничего не значит... и под красивые массивный радиаторы они пихают такое ...овно... (как в моем случае) что даже производителя чипов маскируют под своим брендом ))).... есть только упоминание С-Дай.... и если погадать, то кто из производителей чипов имеет чипы С-дай !? самсунг, хьюникс ?? у микрона и наньи вроде нет таких..... или же.... ???
BOBKOC писал(а):
вот и поставь там 7ки( или 8ки) и параллельно tCCD_L=им , а соотв им 4ки трогать не надо
anta777 писал(а):
RRDL=6
Благодарю, скорректировал... а вот по поводу tCCD_L... где его найти и с чем его едят.... в биосе есть MRS tCCD_L ... я не уверен что это он.... И все таки.... чувствую есть не большая не стабильность... запускаешь тест ТМ5, проходит.... еще раз запускаешь через некоторое время и одна, две ошибки могут вылезти...экстрим может пройти а потом на деволтном поймать ошибку... не могу эту грань нащупать.... в чем проблема. Еще бывает запустишь тест (любой пресет) и словишь ошибку на первых минутах... закрываешь...сразу запускаешь его же по новой... и тест пройден без ошибок.....мистика.... В ехстриме ловлю ошибки в тесте под номером 2... может это поможет определить, где загвоздка...
Вложение:
444.PNG [ 72.26 КБ | Просмотров: 514 ]
Еще вопрос по поводу тренировки.... замечаю что она при одинаковой настройке таймингов бывает разная... подскажите какая из них более коректная, правильная.... (к чему я должен стремится) на примере 2х разных настроек. (лекбез из шапки про РТЛ блок почитал.... но все равно есть недопонимание).
Вложение:
999.PNG [ 273.55 КБ | Просмотров: 514 ]
Вложение:
099.PNG [ 533.23 КБ | Просмотров: 514 ]
....еще момент.... если материнке дать выставить тайминг tCWL в автоматическом режиме, то она всегда его выставляет нечетным... в зависимости от первичных таймингов 13, 15, 17 .... может ли это что то значить....
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.04.2006 Откуда: Moscow
timlaki Насчёт ошибок в tm5, попробуйте снизить напряжение до 1,380 мне это помогло избавится от ошибок, ибо память банально перегревалась, было 1,450в, а это много.
Добрый день! Я новичок в разгоне оперативной памяти, по совету купил комплект на чипах Самсунг B-Die как лучшие для разгона, и тут встал вопрос: а какое максимальное напряжение на эти чипы подойдет для ежедневного использования? Где-то прочёл, что для этих чипов и 1.5В вроде как нормально при хорошем обдуве, но так ли это? Не могу пока определиться, от какого напряжения плясать, подскажите плиз безопасные лимиты для моей памяти, люди знающие! Буду очень признателен. Память DDR4
Последний раз редактировалось AlexPower 04.05.2023 17:25, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.12.2005 Откуда: Москва
AlexPower Плясать можно начинать с 1.45в, как мне кажется. Искать на этом напряжении сначала частоту и первички, а потом уже все остальное.
_________________ i7-10700k / MSI Z490 UNIFY / G.Skill (F4-3200C14D-32GTZ) / MSI 3070ti Gaming X Trio Straight Power Platinum 750W / Dark Rock Pro 4 / Pure Base 500DX
AlexPower Плясать можно начинать с 1.45в, как мне кажется. Искать на этом напряжении сначала частоту и первички, а потом уже все остальное.
Ну я так в принципе и хотел начать с 1.45В, у меня больше вопрос о том, до скольки разумно повышать напряжение при разгоне и выше какого уровня лучше не ставить...хочется выжать побольше из планок, раз уж это би-дай, но не знаю пределы для ежедневного использования в рабочей машине.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.11.2020 Откуда: Истра
AlexPower У меня 1,45 в XMP профиле. До 1.5 как я понял безопасно. У меня стоит 1.47 при 24 в комнате больше 40 градусов без обдува не намерял пирометром.
AlexPower У меня 1,45 в XMP профиле. До 1.5 как я понял безопасно. У меня стоит 1.47 при 24 в комнате больше 40 градусов без обдува не намерял пирометром.
Благодарю за ответы. Выставлю максимум на 1.5В и буду работать с этим напряжением, мы тут оверклокеры в конце концов или где) Заодно соберу тогда что-то типа статистики по деградации чипов от такого напряжения, будет оно или нет, потом может поделюсь сам опытом, в конце концов такой комплект стоит всего сотню баксов и уж пару лет должен прослужить даже на завышенном напряжении, а если деграднёт, то опущу уже до 1.45 или даже до 1.4 и подберу частоты для этого напряжения или куплю новый комплект. Будем посмотреть. Но если у кого есть комплекты на B-Die, тоже делитесь опытом, на каких напряжениях работаете, будет интересно почитать) Вообще вот тут написано, что для би-даев безопасно до 1.55В, так что полтора думаю нормально будет для хорошего разгона https://github.com/integralfx/MemTestHe ... 20Guide.md
полтора думаю нормально будет для хорошего разгона
Не факт, не всегда больше лучше для разгона... Опытные гонщики стараются получить максимальный разгон при минимальном напряжении.
На 1.5В удалось выжать 4000cl15 , думаю не самый плохой результат, выше по частотам не позволяет мать либо неудачный контроллер памяти процессора, тупо не стартует, пришлось на 4000 ужимать тайминги. Если у кого-то есть такие же результаты, поделитесь, при каких напряжениях работает память, будет интересно сравнить.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
Garik14 писал(а):
все зависит от охлаждения, если оно в норме, то 1.5В далеко не предел
Нагрев это следствие, я о том, что иногда при превышении по напряжению некоего порога, память начинает хуже работать вплоть до ошибок. Всё нужно подбирать и проверять, а не ставить максимум наобум с уверенностью что так лучше.
Сейчас этот форум просматривают: CHiCHo, Mizael и гости: 19
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения