AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Garik14 писал(а):
с оглядкой на конкретные чипы
Это просто охренеть какой важный нюанс. Бывают совсем плохие чипы, как правило на ОЕМ плашках, которые даже на 1.4 уже могут отлететь. Впрочем это плашки без XMP, сами себя они не уничтожат.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.02.2011 Откуда: DPR
AlexPower писал(а):
На 1.5В удалось выжать 4000cl15
на самом контроллере то какая напруга при етом всем... SA -? DQ -?
Dimych82 писал(а):
До 1.5 как я понял безопасно.
ну как безопасно... на профильных баликах при 3866 -1,44-1,45 при прогоне TestMem5 - радиаторы памяти, в частности в верхних их частях, прогревались до 52 по цельсию (через пирометр) и ето при том что на морде профильного корпуса стоит вода 360 +на радиаторе воды еще одна из двух 140 вентилей дула в сторону планок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.11.2020 Откуда: Истра
ztaz Ну я про Bdie. И в шапке написано: VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
на самом контроллере то какая напруга при етом всем... SA -? DQ -?
Dimych82 писал(а):
До 1.5 как я понял безопасно.
ну как безопасно... на профильных баликах при 3866 -1,44-1,45 при прогоне TestMem5 - радиаторы памяти, в частности в верхних их частях, прогревались до 52 по цельсию (через пирометр) и ето при том что на морде профильного корпуса стоит вода 360 +на радиаторе воды еще одна из двух 140 вентилей дула в сторону планок
SA у меня 1.3В, DQ 1.4В , при меньших значениях уже ошибки
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
Dimych82 писал(а):
я не знаю, это в шапке
Там речь идёт о безопасном напряжении Vdram для контроллера памяти, и если этому верить, то вывод правильный.
Dimych82 писал(а):
Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
Но это не значит что для самой памяти "1.8 V неопасно" !!!
Dimych82 писал(а):
А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V.
А это бред, vref - опорное напряжение (искусственная средняя точка). Если напряжение в ячейке памяти чуть ниже, для контроллера это логический ноль, чуть выше - единица. Изменение vref от оптимального для контроллера напряжения приводит к ошибкам, ноль из памяти может считываться как единица или наоборот. (Точный ручной подбор vref в биос может значительно улучшить стабильность.)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
AlexPower писал(а):
Вложения:
Мда, красиво на заборе написано. А вы хоть задумывались, что забор вам пишет? Какова максимальная теоретическая (т.е. без реальных задержек) псп DDR4 на частоте 4ГГц в двуканальном режиме? 64Гб/c, а у вас что нарисовано на заборе? С латентностью тоже самое...
Agiliter писал(а):
Бывают совсем плохие чипы, как правило на ОЕМ плашках, которые даже на 1.4 уже могут отлететь.
Да пусть жарит, его же память. Бессмысленно и беспощадно.
Мда, красиво на заборе написано. А вы хоть задумывались, что забор вам пишет? Какова максимальная теоретическая (т.е. без реальных задержек) псп DDR4 на частоте 4ГГц в двуканальном режиме? 64Гб/c, а у вас что нарисовано на заборе? С латентностью тоже самое...
Agiliter писал(а):
Бывают совсем плохие чипы, как правило на ОЕМ плашках, которые даже на 1.4 уже могут отлететь.
Да пусть жарит, его же память. Бессмысленно и беспощадно.
Заметьте, это не я на заборе написал, а АИДА) Не зря её Buildzoid называет кривой программой, раз она так высчитывает... Мне главное, что тесты на стабильность проходит без вопросов, что там аида пишет пофиг. И про память Вы совершенно верно написали - это моя память, как хочу, так и жарю
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
AlexPower писал(а):
что там аида пишет пофиг
Так и надо мерять в реальных программах: вот бенч киберпанка с памятью на 1,5в, а вот с памятью на 1,45в. Ну и сюда запостить... чтобы мы поржали от разницы фпс
Так и надо мерять в реальных программах: вот бенч киберпанка с памятью на 1,5в, а вот с памятью на 1,45в. Ну и сюда запостить... чтобы мы поржали от разницы фпс
Я в игры не играю. В компе даже видюхи нет. А вот в синтетических тестах типа Y-cruncher или Geekbench прирост с ростом напряжения и частот очевиден, значит он существует, синтетика его и измеряет. Вы еще скажите мол давайте посмотрим на разницу во времени запуска игр с обычного ссд и мега-крутого типа самсунг 990 Pro, естессн разницы не будет и Ваш вывод будет мол самсунг говно. Не занимайтесь ерундой, все вы любите цЫфирки в аиде, вот я их и выложил, было бы к чему придираться, когда сами назвали виртуальную реальность (игру) реальной программой
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
AlexPower писал(а):
А вот в синтетических тестах типа Y-cruncher
в вы в аиду и кранчеры играете, тогда вопросов нет.
AlexPower писал(а):
реальной программой
У вас синтетика головного мозга? Игры - это реальные приложения, в которых важна производительность системы. Игры используются повсеместно и повседневно, наряду с браузерами. Это реальные приложения, для которых покупаются компьютеры. Если вы купили память для аиды и кранчера, то я вам сочувствую... нет, мне пофиг
в вы в аиду и кранчеры играете, тогда вопросов нет.
AlexPower писал(а):
реальной программой
У вас синтетика головного мозга? Игры - это реальные приложения, в которых важна производительность системы. Игры используются повсеместно и повседневно, наряду с браузерами. Это реальные приложения, для которых покупаются компьютеры. Если вы купили память для аиды и кранчера, то я вам сочувствую... нет, мне пофиг
Для меня реальная программа - это та, с помощью которой можно зарабатывать деньги, у меня таковая есть, а Вы и дальше продолжайте в игры играть
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.04.2015 Откуда: Сочи
Всем привет подскажите что можно по фиксить в таймингах сижу уже неделю перед сном втыкаю в эти тайминги не могу успокоиться взял на свою голову под закат поколения b-die называется)) моделька G.Skill TRIDENT Z [F4-3200C14D-32GTZKW] 32 ГБ смущает момент что при играх в какой нибудь кибербаг плашки греются до 51 градуса и начинаются микрофризы редкие тест мем проходит если ставить максимальные обороты корпусный вертухи которая смотрит на ЦП. Брались 4000 mhz с такими же таймингами и даже лучше, но напряжение уже 1.480 что-то не хочется на по стоянку оставлять нашел вот компромисс вроде как, но все равно в играх до 50 градусов доходит, а вертуху не хочется на максимум ставить гудит люто на 1400оборотах. Жду каких то советов по таймингам напряжению и как температуры можно скинуть во время игрушек. Еще у меня каким то чудом запускается все это дело на VCCIO 1.15 VCCSA 1.2 но тогда RTL IO-L может завышаться на 1-2 о чем это говорит? что не хватает напруги все таки? Тест мем все так же проходит если температура 52 градуса не переваливает на плашках.
когда комп долго работает без перезагрузок и на четвертый день начинает глючить это какие тайминги перекручены, tRFC и tREFI? может это вообще космические лучи?
ну там не то что бы именно на четвертый день, просто бывает глючит, я так понял из-за больших аптаймов. активное охлаждение на плашках есть, extreme1 проходит
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
kraftwerk писал(а):
подскажите что можно по фиксить в таймингах
Уменьшить нагрев и избавиться от микрофризов может только ослабление таймингов. Для начала я бы попробовал увеличить tFAW, затем уменьшить tREFI, в крайнем случае tCL=16 и уменьшить напряжение... Или добавить отдельный вентилятор на память.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.03.2017 Откуда: Москва/Вешняки Фото: 11
kraftwerk писал(а):
Всем привет подскажите что можно по фиксить в таймингах
поставь tCL=16 ибо остальное(tCWL&tRAS) у тебя от него осталось, + попробуй СR1(если что спустись по частоте), может и напругу снизишь(при СR2 так точно, а при СR1 по обстановке)
Последний раз редактировалось BOBKOC 06.05.2023 22:13, всего редактировалось 1 раз.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения