AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
А как узнать сколько бит у меня память? Видел где-то, что бывает 6 бит, и нужно рфс изменять кратным 6. Плата автоматом ставит 630, это число как раз кратно 6, или она может ошибаться в этом плане?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
SonOfSilence писал(а):
я могу настраивать сначала рфс, а потом уже рефи, или их нужно вместе выставлять?
Ставим максимальный рефи, подбираем значение рфс кратное 8. Если стабильности нет даже при рфс близком к дефолтному, грубо уменьшаем рефи вдвое или на треть и снова ищем рфс...
Добавлено спустя 6 минут 57 секунд:
SonOfSilence писал(а):
Видел где-то, что бывает 6 бит, и нужно рфс изменять кратным 6.
От типа памяти рфс не зависит, рфс это цикл, рекомендуется кратность 8, но можно ставить любое значение, в таком случае (грубо говоря) лишние такты цикла будут пропущены.
я могу настраивать сначала рфс, а потом уже рефи, или их нужно вместе выставлять?
xalexiv писал(а):
Ставим максимальный рефи, подбираем значение рфс кратное 8. Если стабильности нет даже при рфс близком к дефолтному, грубо уменьшаем рефи вдвое или на треть и снова ищем рфс...
А такой вопрос, я же могу выставить рефи 56268 сначала, а рфс оставить авто, и потестировать сначала так, то есть точно исключить рефи при рфс авто? А уже потом начать снижать? Так же по идее быстрее будет
могу выставить рефи 56268 сначала, а рфс оставить авто
Конечно можно, никаких запретов нет, тогда лучше начать с максимального рефи 65535 (кратность рефи 1024).
Ну вот, как я и говорил, не зря решил начать с него, tRFC 630 - auto, tREFI 56268 - через 7 минут теста 1 ошибка, температура максимальная всего 45 градусов была на памяти. Похоже придётся начать с уменьшения данного тайминга. Кратность 1024, но может есть какое-то значение по более, что влияет на ошибки? Ну, то есть сразу по 5 тысяч, например, уменьшать. А то так много времени уйдёт, а там уже потом подгонять. И кстати, 56268 же не кратно 1024, это таблица anta777 посчитала такое значение.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
SonOfSilence писал(а):
температура максимальная всего 45 градусов
Это температура датчика, локально температура кристалла в рабочей зоне может быть гораздо выше, ориентир отсутствия значительного нагрева - отсутствие ошибок.
Трефи подсчитывается так: (64/8192)*частоту памяти, так как она у нас DDR, то у тебя: 7.8125*1800
Поднять можно безопасно в 2 раза, в 4 раза, можно некратно поднимать, хоть по 1.
Хорошо, понял, сейчас тестируюсь на 27125. tCKE может повлиять как-то? Он у меня сейчас стоит 8, но можно же опустить до 4, думаю вот сразу опустить его или после уже этих тестов.
Добавлено спустя 4 минуты 32 секунды:
anta777 писал(а):
Трефи подсчитывается так: (64/8192)*частоту памяти, так как она у нас DDR, то у тебя: 7.8125*1800 Поднять можно безопасно в 2 раза, в 4 раза, можно некратно поднимать, хоть по 1.
Ой, кстати, забыл, тестировать РЕФИ и РФС лучше в y-cruncher, да?
Добавлено спустя 6 минут 59 секунд:
xalexiv писал(а):
SonOfSilence писал(а):
температура максимальная всего 45 градусов
Это температура датчика, локально температура кристалла в рабочей зоне может быть гораздо выше, ориентир отсутствия значительного нагрева - отсутствие ошибок.
Кстати, по поводу этого, я это понимаю, но если одно, датчик в прошлом тесте на полтора часа максимальную температуру показывал 47.3 градуса, а значит такую же, и даже выше, чем тогда, когда выпадали ошибки. Конечно, там неравномерное распределение, и всё такое, но что-то как-то странно это всё. Может 12400f просто уже с такими параметрами не вывозит 3600 частоту?
Добавлено спустя 14 минут 30 секунд:
anta777 писал(а):
Трефи подсчитывается так: (64/8192)*частоту памяти, так как она у нас DDR, то у тебя: 7.8125*1800
Поднять можно безопасно в 2 раза, в 4 раза, можно некратно поднимать, хоть по 1.
Подскажите, пожалуйста, вот я открываю y-cruncher, открывается консоль, что там нужно вписать, чтобы дойти до n32 и n64, я так попробовал потыкаться, но что-то не нашёл там таких параметров 27 минут в анта экстрим, с рефи 27125 прошли без ошибок.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
SonOfSilence писал(а):
датчик в прошлом тесте на полтора часа максимальную температуру показывал 47.3 градуса, а значит такую же, и даже выше, чем тогда, когда выпадали ошибки.
Для понимания логики: 1. чем выше температура тем больше разряд ёмкости ячеек памяти за счёт утечек. 2. tREFI - количество тактов (время) до очередного восстановления заряда. (значит при меньшем значении при более сильном нагреве заряд не будет утерян) 3. tRFC - количество тактов (время) восстановления заряда. (заряд должен успеть полностью восстановиться, но полезной работы нет - потеря скорости (tRFC входит в состав tREFI))
датчик в прошлом тесте на полтора часа максимальную температуру показывал 47.3 градуса, а значит такую же, и даже выше, чем тогда, когда выпадали ошибки.
Для понимания логики: 1. чем выше температура тем больше разряд ёмкости ячеек памяти за счёт утечек. 2. tREFI - количество тактов (время) до очередного восстановления заряда. (значит при меньшем значении при более сильном нагреве заряд не будет утерян) 3. tRFC - количество тактов (время) восстановления заряда. (заряд должен успеть полностью восстановиться, но полезной работы нет - потеря скорости (tRFC входит в состав tREFI))
Всё, понял, спасибо. Нужно теперь разобраться только с y-cruncher, как запустить то эти тесты
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
SonOfSilence писал(а):
сколько итераций/времени нужно прогнать его?
3 - 5 итераций (6 - 10 минут) достаточно для быстрой проверки. За это время память прогреется полностью, при первой ошибке тест прекращается. Т.е. по количеству итераций до ошибки можно понять, стало лучше или хуже.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения