AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
tourer2jz писал(а):
поставил 26623 скорости остались прежними а задержки упали
Так и должно быть, при оптимальном значении нет "лишних" тактов до начала нового цикла. Влияние на скорость мизер, но всё же.
angeleo писал(а):
А разве коррекция ошибок не фишка ECC памяти?
В буквальном смысле да, ошибки именно памяти. В нашем случае имеются ввиду ошибки в результате потерь в линиях между памятью и контроллером. Как это работает загадка, точно ещё никто не описал.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.05.2021 Откуда: Big Shell Фото: 4
Ну, вроде все. Оставляю свои конечные результаты для людей с похожим конфигом. Таких в теме, со скринами и итогами, всего пару постов нашел, на которые я ориентировался, надеюсь и мой кому то поможет, в дополнение к гайдам в шапке. 10400f+h510+2666cl15 (3200cl16) R-die micron. Цель была только ужать тайминги.
Вложение:
до и после2.png [ 651.71 КБ | Просмотров: 1912 ]
Вложение:
до и после1.png [ 228.95 КБ | Просмотров: 1912 ]
TWRPPE - 27 TRDPRE - 6 tREFIx9 - 127 OREF_RI - 64 TXP - 4 PDD - 0 IO - 0.95w SA - 1.05w DRAM - 1.3w --------- Ужималось по таблице из шапки + советы + под себя. tCWL и зависимые посчитаны с поправкой на нечетное число, четное не ставится. Нолики для удобства. tREFI макс потому что обдув и низкое напряжение. RTL блок по гайду из шапки + свое. Тренировался за третичками, после построения блока чуть скорректировал вручную для красоты и зафиксировал. Вернул MRC FastBoot, Round Trip и Turn Around в авто. Тестировал в superlight2, universal2, extreme, occt cpu/memory/linpack, aida stress (без гпу). Игры assetto corsa, rdr2. Неделя - полет нормальный. Всем спасибо
_________________ Asus h510m | 10400F | 2666cl13 | 6700XT RD | Be quiet SP 600 | Samsung 980 Pro 512 | FHD&240Hz Who are the Patriots ? La-li-lu-le-lo !
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
В общем память пока пошла 3630МГц на тех же 15-19. Напругу поднял до 1,46в/0,74в для надежности. ТМ5 Экстрим пройден. В общем я не ожидал от MSI такого и я понять всё не мог почему такая нестабильность плавающая, странная то работает, то не работает и ругал плохой контроллер памяти. Хорошо, что на днях практически наугад тыкнул этот параметр.
Множитель памяти 133 или 100 На что это вообще влияет, в шапке описание расплывчивое, что это значит, если поставить 133, можно лучше ужать тайминги или выше частоту взять, а может снизит нагрев или как вообще?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Shigobik писал(а):
На что это вообще влияет, в шапке описание расплывчивое, что это значит, если поставить 133, можно лучше ужать тайминги или выше частоту взять, а может снизит нагрев или как вообще?
Влияет на более старых процессорах (часто память лучше гналась и была более стабильна на частоте 133), на современных нет. Сам у себя проверял - без разницы.
Влияет на более старых процессорах (часто память лучше гналась и была более стабильна на частоте 133), на современных нет. Сам у себя проверял - без разницы.
Подтверждаю. Лично для меня как множитель бесполезен, но он помогает взять чуть большую частоту в тех случаях когда невозможно растолкать шину. Кстати походу головоломка с моей памятью решилась и как обычно всё было прощё. КП ЦП просто не работает стабильно на частотах выше 4ггц, хоть и пытается делать вид что это не так. Не знаю почему дошло до меня не сразу, я же сама давала описание: То запускается, то нет, то стабильно весь день работает, то сыпет ошибки сразу и много. Очевидные симптомы срыва парика у контроллера, который я проигнорировала почему-то
_________________ Asus Tuf Z690 Plus D4 Intel I5 13600K G.Skill TRIDENT Z [F4-3200C14Q-32GTZSW] 32 ГБ ATI RX 6800XT Red Debil
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
angeleo писал(а):
КП ЦП просто не работает стабильно на частотах выше 4ггц
Ну главное получена заветная цифра, ведь ради нее весь сыр бор и бессонные ночи. А я свою память раскочегарил аж до 3630 - оказалось м.п. просто на АВТО не выставляла напряжение DRAM VTT, оно всегда было стоковое 0,6в для памяти на 1,2в. Так что я свой дзен на 3600 тоже достиг
Поздравляю. Я за веткой слежу немножко. Даже полезла в свою асус поискать этот пункт, но что-то не нашла, хотя вроде как в Tweaker Paradise что-то подобное есть
_________________ Asus Tuf Z690 Plus D4 Intel I5 13600K G.Skill TRIDENT Z [F4-3200C14Q-32GTZSW] 32 ГБ ATI RX 6800XT Red Debil
В общем память пока пошла 3630МГц на тех же 15-19. Напругу поднял до 1,46в/0,74в для надежности. ТМ5 Экстрим пройден. В общем я не ожидал от MSI такого и я понять всё не мог почему такая нестабильность плавающая, странная то работает, то не работает и ругал плохой контроллер памяти. Хорошо, что на днях практически наугад тыкнул этот параметр.
Не пробовал у себя опустить с 6 до 4 tRRD_L? Или от его понижения толку нет вообще?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Shigobik писал(а):
Не пробовал у себя опустить с 6 до 4 tRRD_L? Или от его понижения толку нет вообще?
Да я не любитель зажимать все тайминги в упор. Пробовал как-то tWR поставить на 12. Увидел в игре на текстурах мелькнуший глюк, до и после такого не видел, и вернул всё назад, вроде стабильно, но зачем оно надо?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.04.2010 Откуда: Куба
rvspost писал(а):
память лучше гналась и была более стабильна на частоте 133
Я эту выдумку не подтверждаю, специально проверял на z390. 100/133 практически разницы нет, если не считать, что на 100 потребление мощности памятью меньше на мизер, а если стабильность на грани, то на 133 ошибок чуть больше.
Добавлено спустя 8 минут 9 секунд:
Shigobik писал(а):
Не пробовал у себя опустить с 6 до 4 tRRD_L? Или от его понижения толку нет вообще?
Если нужна нестабильность и ошибки, толк есть. 4 это минимум для RRD_S (строки в разных банках), на переключение строк в одном банке времени нужно больше, значит tRRD_L должен быть больше. О чём и намекают буквы: S (short, короткий), L (long, длинный).
Всем, категорически здравствовать! Подскажите что сделал не так , где улучшить можно? Память Patriot Viper 4 Blackout [PVB416G413C8K] samsung b-die. CPU 13600k #77 Спасибо заранее.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
flint77 писал(а):
samsung b-die
что-то тайминги конские. И советую для этого мортара макса руками прописать DRAM VTT = половине напряжению на модулях. Может и на СL16 пойдет. Какое напряжение на памяти?
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения