AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 14.05.2024 Фото: 3
anta777 На одном фото xpm, который автоматом ставится, на втором руками сделал, дополнительно с тестами в аиде. Как и говорил, изначально xpm ставится с первым таймингом 19, хотя на памяти написано 16. Возможно глюк в мамке.
Возможно, кому-нибудь пригодятся мои результаты настройки достаточно популярных, относительно недорогих одноранговых модулей с 16-гигабитными чипами Hynix CJR - модулей из комплектов Kingston KF436C18BBK2/32. Речь идёт о 64 ГБ памяти, поэтому используются 4 модуля, 2 комплекта. Те же модули, предлагаемые отдельно, по одному (KF436C18BB/16), ничем не отличаются от "комплектных".
1. Двухканальный режим с топовым процессором Comet Lake:
H16C, CML, 4000-18-22-22-42, no RAM cooling
#77
2. Немного лучший результат, но с дополнительным охлаждением памяти:
H16C, CML, 4133-18-22-22-42, RAM cooling
#77
3. Для сравнения, результат с отборными 16-гигабитными Micron Rev. B (Crucial BLM2K16G40C18U4B) на том же железе:
M16B, CML, 4133-18-19-19-39, no RAM cooling
#77
Разница, как видите, незначительна и категорически непропорциональна разнице в цене рассматриваемых модулей.
4. Те же модули Kingston, но теперь в 4-канальном режиме с достаточно производительным древним процессором Broadwell-EP на недорогой китайской материнской плате:
H16C, BDW-EP, 2400-13-14-13-30
#77
5. "Контрольный замер" - отборные Samsung B-die (G.Skill F4-4000C16D-32GTZRA) на брендовой плате с тем же процессором:
S8B, BDW-EP, 2400-11-10-10-28
#77
Здесь разница заметна больше, но и платформа такая - чуть ли не в два раза дороже.
По результатам могу сказать, что эти модули Kingston - весьма неплохой вариант для широкого спектра платформ. Нужно только не забывать, что этот вывод относится только к варианту KF436C18BB с чипами Hynix. Там "лотерея": кроме таких, попадаются ещё варианты с какими-то слабо годными чипами Micron, а также с совсем негодными чипами Samsung. В связи с этим, покупать такие модули "вслепую", не глядя на расположенные на них наклейки с содержащим информацию о производителе чипов кодом, категорически не рекомендуется. Нужно либо заранее просить продавца прислать фото наклейки, либо иметь возможность вернуть или обменять товар.
А разве на кингстонах как то указывается, какие чипы памяти стоят?
На наклейке, в строке, начинающейся на "десктопных" модулях DDR4 с "ExM" (x - какая-нибудь буква), следующая, 4-я буква обозначает производителя чипов: H - Hynix, M - Micron, N - Nanya, S - Samsung. Буквой K обозначаются чипы с маркировкой Kingston на корпусах, чем бы они ни являлись на самом деле. Следующие за этой буквой две цифры обозначают количество чипов, установленных на модуле: 04 - 4, 08 - 8, 16 - 16. Следующий символ отражает месяц года, в котором изготовлен модуль (1-9,A,B,C -> 1-9,10,11,12). За ним следуют две последние цифры года производства.
Зная количество чипов и ёмкость модуля, можно почти достоверно рассчитать ёмкость одного чипа и количество рангов. Возможно, в последующих символах этой строки как-то закодирована и серия чипов (CJR, Rev. E, B-die и т.п.), но по тому количеству разных модулей Kingston, на которых я имел возможность прочитать данные с наклейки, никакую устойчивую закономерность выявить не удалось. Пример маркировки:
KF437C19BB1/16, 16GB, 2R, Hynix DJR (H8D): код EPMH1682208
#77
Здесь мы видим строку, начинающуюся с "EPM". Дальше в ней читаем "H16", что значит 16 чипов Hynix. Следующие "822" говорят нам о том, что модуль изготовлен в августе 2022 года. Так как это 16-гигабайтный модуль, а разрядность шины DDR4 равна 64 битам, то почти наверняка мы имеем дело с двумя рангами из стандартных (1Гx8) 8-гигабитных чипов. Возможен вариант и с одним рангом из микросхем с 4-битной шиной (2Гx4). Такой мне попадался однажды - правда, по ряду признаков, это были поддельные модули.
Да, те модули, о которых я вчера рассказывал (комплекты KF436C18BBK2/32), промаркированы как ESMH0822320 и ESMH0852320.
4-я буква обозначает производителя чипов: H - Hynix, M - Micron, N - Nanya, S - Samsung.
Ради интереса глянул свои с чипами Nanyaиз этого поста - маркировка EPMK1672302 ... производитель не сходится. А ранговость Кингстон обычно указывает на офф.сайте.
4-я буква обозначает производителя чипов: H - Hynix, M - Micron, N - Nanya, S - Samsung.
Ради интереса глянул свои с чипами Nanyaиз этого поста - маркировка EPMK1672302 ... производитель не сходится.
Почему не сходится? Буква K обозначает чипы с маркировкой Kingston. А их производителем может быть кто угодно - Nanya в том числе. Модулей с такой маркировкой нужно по возможности избегать. Потому что она фактически официально заявляет отсутствие информации о производителе чипов, "легализует лотерею".
Всем привет. Сейчас имеется такой комплект Kingston FURY Beast KF432C16BBK2/16, включил XMP и больше не трогал ничего, работает 3200 CL16. Хочется создать 32 гб, на днях могу докупить такой же комплект, поставить и забыть на какое-то количество времени Есть ли смысл полностью менять ОЗУ и ставить 3600 МГц - сильно ли много получится прироста (примерное в процентах)? Насколько я понял, с моим процом прирост получится максимум в районе 3-5%, поэтому и смысла не вижу полностью менять. Разгонами не увлекаюсь, достаточно просто включить XMP и все. Заранее спасибо за ответы!
Всем привет. Сейчас имеется такой комплект Kingston FURY Beast KF432C16BBK2/16, включил XMP и больше не трогал ничего, работает 3200 CL16. Хочется создать 32 гб, на днях могу докупить такой же комплект, поставить и забыть на какое-то количество времени Есть ли смысл полностью менять ОЗУ и ставить 3600 МГц - сильно ли много получится прироста (примерное в процентах)? Насколько я понял, с моим процом прирост получится максимум в районе 3-5%, поэтому и смысла не вижу полностью менять. Разгонами не увлекаюсь, достаточно просто включить XMP и все. Заранее спасибо за ответы!
Есть вероятность, что 3600 на 12400 проце будет с такими таймингами, что задержка будет выше, чем на 3200. Тут только если важна именно псп, а не задержки. Ну и 4 планки в разгон, если вдруг, не факт что смогут
Доброго дня! имею такой "странный" парадокс, память g skill 4266 cl19,настраиваю по таблицам на уровне 3866 cl15 и 4133 cl16, ошибок нет по синтетическим тестам,но в играх (PUBG) появляются фризы,особенно во время стрельбы, если же выставляю авто тайминги типа 4200(3866,3600) сl22,то фризы пропадают,но получаю меньше фпс и небольшой инпут лаг по ощущениям,куда рыть?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.02.2017 Фото: 1
i3-8350k, asus z170i, PVB416G440C8K (x.m.p. 4400MHz; 18-26-26-46; 1.45v) память на 4 GHz 16-22-40, 1.45v, VCCIO 1.2v. проходит все тесты, работает стабильно потом через какое-то время не запускается, чего ей может не хватать? настройки никакие не меняю
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.08.2005 Откуда: Калуга Фото: 5
aramikkkk писал(а):
я проверял температуры,максимум до 48 градусов грелась память
Какое напряжение при ужатых таймингах? И какими тестами проверял стабильность? У меня с нагревом ошибки лезли через пару часов теста, с пресетом экстрим.
_________________ 13600K/Giga z790m aorus/4090 FE/2x24GB DDR5 7600@7200/Noctua NH-U12A/970 pro 1TB/980 pro 2TBx2/Seasonic TX-1000
я проверял температуры,максимум до 48 градусов грелась память
Какое напряжение при ужатых таймингах? И какими тестами проверял стабильность? У меня с нагревом ошибки лезли через пару часов теста, с пресетом экстрим.
1.45 и при ужатых и при обычных использую) экстрим два раза подряд гоняю - 0 ошибок.
Доброго времени суток! С подробным разгоном сталкиваюсь впервые, по гайду из шапки дошел до этапа с вторичками. Вроде +- настроил и поставил ТМ5 экстрим конфиг анты перед сном. Утром посмотрел все норм время теста 7:30 второй круг, ошибок нет. Примерно через час моник потух и сразу включился, и был звук подключения устройства(как будто видюха и какое-то устройсто/ва отвалились). Экран черный, только курсор есть и его можно перемещать, но я пока ничего не нажимал на всякий. ПК звучит так же, винты в средней нагрузке, мне кажется что тест идет дальше только я этого не вижу:( На текущий момент примерно 10 часов теста должно было пройти, и вот не знаю резонно ли ждать еще ~2-3, или забить ведь по гайду 1.5 часа стабильности надо?
Раньше было 2/16 от gskill пока одна не сдохла, ну решил по максимуму сделать апгрейд памяти для работы с 3д пакетами, изначально не хотел париться на счет разгона, а просто подрубить xmp и дальше работать. Но не тут то было, ни первый ни второй xmp профиль не работал корректно, сыпались ошибки в ТМ5, далее решил попарно их проверить - все отлично с xmp, все 4 в стоке тоже проходят тест. Покурив разные форумы понял что топология матери не позволяет работать памяти при при значениях от этих xmp. Сделал вывод что не буду сдавать память, т.к. надо еще упороться чтобы найти подходящую и беспроблемную. Решил что методом ручного подбора найду частоты и тайминги, для корректной работы.
1. На счет таймингов есть смысл tRas на 55 поставить или пофиг? Может быть что-то не так выставил? 2. По поводу черного экрана, с чем это могло быть связано, подозрения на напряжение но какое в биосе куча их? 3. Обязательно ли экстрим конфигом гонять память? на 128гб тест очень долго идет. Может есть какой - побыстрей? 4. Тут возможно ошибаюсь, поправьте если что, но есть смысл крутить третичные тайминги и проводить тренировку, кроме как для выжимания соков? Или можно остановиться и ничего страшного не произойдет? (пока писал это, снова был звук подключения устройства, моник не выключался но все также черный)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.05.2010 Откуда: забыл уже Фото: 7
всем привет! взял с рук память, выставил 3600 все работает, 3733 синька. стоит что либо делать или забить и так норм? #77
_________________ Субфакториал !n определяется как количество беспорядков порядка n, то есть перестановок n-элементного множества без неподвижных точек.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.04.2012 Откуда: Москва Фото: 31
Решил апгрейднуться на 64 Гб для фото-видео приложений. Взял вместо 2х16 Гб Kingston fury renegade на Hynix DJR эту память https://www.ozon.ru/product/kingston-fury-operativnaya-pamyat-renegade-rgb-ddr4-3600-mgts-2x32-gb-kf436c18rb2ak2-64-1357586593/. Ожидал, что так же будет на DJR, а оказалась на Hynix CJR, но вроде как на новом степпинге 16 Gb C-die (Canopus / 15 nm) / 1 die , по итогу заработала на настройках DJR для 32 Гб кита. Я доволен, т.к. ожидал ухудшения разгона для 64 Гб кита. Из минусов, планки заметно легче и радиатор тощий, вес одной планки более чем на 10 грамм меньше. Напряжение пришлось снизить с 1.5 до 1.45 В и поставить обдув, т.к. выскочила ошибка в ТМ5 и по тепловизору между радиатором и текстолитом было 62-63 градуса. На комплекте с DJR вообще не было перегревов на 1.5В. С обдувом и при 1.45В теперь 45 °С.
Тут кто-то имел дело с новыми CJR? Может что-то можно донастроить?
_________________ Z690 TUF/14700K DELID+LM5.5/4.3/4.9/ALF III 360 PRO/64Gb@4133CL18/MSI RTX4080S/RMx650W/ TT CORE P3 PRO
Я бы попробовал tRTP/tWR = 7/14 или даже 6/12, tRRD_L = 4, tWTR_S = 3 или 2, tRDWR* = 11 или 10, tCKE = 6. Скорее всего, tRFC при этом придётся немного увеличить. И лучше, если это будет число, кратное 8 - например, 560 или 552. Ну и, конечно, нужно попробовать увеличить частоту. Хотя я почти совсем не знаю Raptor Lake, но предполагаю, что 4000-4133 на 4 рангах в сумме он уж точно должен тянуть.
Цитата:
Напряжение пришлось снизить с 1.5 до 1.45 В
Если это действительно настоящие 16-гигабитные чипы CJR, то на такой частоте и с такими таймингами, как у Вас, в таких напряжениях нет никакой необходимости. Модули на этих чипах должны спокойно работать в таком режиме с напряжением питания порядка 1,36-1,38 В. А 1,45 В здесь было бы уместно для чего-то вроде 4266@CL18. Более того, завышенное напряжение вполне может вызывать некорректную работу - и не только в результате перегрева чипов. Некорректность может выражаться, в числе прочего, и в нежелании памяти работать на более высокой частоте. Что же касается оценки "оригинальности" модулей, то посмотрите, что написано относительно чипов на наклейках (о расшифровке см. здесь).
Сейчас этот форум просматривают: Максим и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения