AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Добрый вечер Послушался я совета rvspost, и решил уйти на частоту 3600. Пару дней тестов, и вроде бы все хорошо. Почему пишу "вроде бы" - потому что не уверен все равно в правильности сделанного хоть и тесты проходит все. По этому хочу снова попросить посмотреть мои характеристики и дать совет вдруг если нужно что-то подправить и тд. И подскажите по поводу латентности, она в норме или завышена? Заранее спасибо за ответы.
Благодарю за поддержку... Да рецепт как готовить я в принципе знаю... я имел в виду стоит ли время тратить на эти чипы (может кто уже был с ними знаком в разгонном потенциале) или просто забить XMP и забыть... просто на свои профильные (samsung C-die), в свое время потратил очень много времени а выхлопа было с гулькин хрен..... ))), и конечно же пожалел потраченного времени
Ну в общем поковырял немного в нете про эти чипы и.... появилась надежда что время потрачу не зря.... приступил... был приятно удивлен учитывая плотность 2X32gb. Попозже выложу полный отчет (для статистики или для .....), а пока есть вопрос по поводу тренировки... см скрин.
Вот при всех равных может тренировка пройти как на 1ой (RTL-D0 равны. IOL-D0 не равны), а может как на 2ой (RTL-D0-не равны. IOL-D0 равны)так какой же в моем случае более корректный и к чему так сказать стремится (плата ITX, соответственно только два слота под DDR ... из за этого у меня путаница, на какие именно значения в ртл блоке смотреть ) Все значения D1 по любым раскладам у меня не меняются... это 71 и 4 .
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
timlaki писал(а):
Вот при всех равных может тренировка пройти как на 1ой (RTL-D0 равны. IOL-D0 не равны), а может как на 2ой (RTL-D0-не равны. IOL-D0 равны) так какой же в моем случае более корректный и к чему так сказать стремится
Всё в норме. ИМХО, лучше исходить из результата после включения на холодную (бывает при перезагрузке норм, а при включении - сбой). После всех тестирований выключить ПК, включить, зайти в BIOS и включить MRC Fast Boot, чтобы отключить тренировку. Или просто тренировку не отключать, если не напрягает время загрузки. Command Tristate — это функция, которая снижает энергопотребление динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), позволяя ей переходить в состояние низкого энергопотребления, когда она не используется. Exit On Failure - Настройте выход при сбое для этапов обучения MRC.
Добрый день, trefix9 - 111 trefi - 56783 нормальное соотношение? увидел это значение в сообщениях годичной давности, может что изменилось с того времени по формулам расчетам
Добрый вечер. Стабильности на 3600 так и не удалось достичь, но удалось достичь ее на 3866. Извините что наглею - но не могли еще раз глянуть на настройки мои, может быть что-то нужно подкорректировать и т.д. ? Заранее спасибо.
rvspost Благодарю за развернутый ответ) И, в общем получилось так.... (небольшой отчет... может в будущем кому и поможет) Память Corsair CMK64GX4M2D3600C18 (2x32gb) c чипами Micron 16 Gb Rev-B (Z22A / 17 nm). Родной XMP профиль - 3600 18-22-22-42 Остановился на двух вариантах (пока не решил каким пользоватся)... напруги, вторички и третички почти идентичны. 1й) 4000 18-20-20-40 CR-2 1.34v 2й) 3800 16-18-18-36 CR-1 1.34v
Экспериментировал и разгонял память сразу на уже разогнанном проце до 5GHz (знаю что не правильно, но как есть) CL16 на 4000 тоже идет нормально, но тогда напряжение нужно поднять до 1.42 (по-моему игра в этом случае не стоит свеч.... хотя.... )
Заводится и на 4133... и если сделать все по феншую со стоковым процом и тд и тп, наверно можно и больше выжать..(но мне кажется что для моего проца и 4000 за глаза) В общем остался очень доволен оперативкой .. .учитывая объем и напругу при которой она разогналась и ужалась. Как думаете... на каком варианте лучше остановится... ну или может где что еще поправить... ужать... или ослабить, буду рад любым наставлениям ) Заранее благодарю...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
timlaki писал(а):
В общем остался очень доволен оперативкой .. .учитывая объем и напругу при которой она разогналась и ужалась.
Да, хороший бин. А про samsung c-die судя по отзывам, можно сказать "лишь бы XMP держали"...
timlaki писал(а):
Как думаете... на каком варианте лучше остановится...
Это всё субъективно, в принципе все варианты рабочие, но я бы остановился на 3800 - тайминги ниже, напряжение ниже, латентность такая же. Не думаю что где-то, кроме аиды, разницу в псп можно будет заметить.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
Приветствую, подскажите можно ли оставить такой разгон на постоянку? Kingston FURY Renegade [KF436C16RB12K2/32] 32 ГБ, Hynix D-die DIMM=1.39v, SA=1.23, IO=1.21 tWRPRE=36, tXP=4, tWRPDEN=36, PDD=0 (значения из таблицы)
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2018 Откуда: Беларусь, Минск
Всем доброго времени суток! Товарищи, имею доску M9H на 2003 биосе от M10H (то бишь на моей чип Z270 с поддержкой всех плюшек от Z370), а к ней в придачу камень i9-9900KF, и два набора памяти 2х16: Crucial Ballistix BL16G30C15U4B.16FE и G.Skill TridentZ RGB 3600C16D-32GTZRC. Исходя из шапки темы и вводных данных имеем: Баллистик работает в ХМР на 3000 МГц при 15-16-16-35 на 1.35В, G.Skill же держит XMP на 3600 МГц при 16-19-19-39 на тех же 1.35В. Вопрос следующего рода: хочу получить толковую оперативу на 4000 МГц с меньшими телодвижениями, верно понимаю, что стоит оставить Баллистики и с ними шаманить? Или с Г.Скиллом удастся также взять желаемую частоту? Тему прокурил достаточно, но хочу услышать мнение от гуру. Ну и подскажите тогда уж до кучи первички для Баллистика на 4000 МГц, и какие ещё параметры крутить, помимо вольтажа на 1.45 для оперативы
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
rvspost писал(а):
Можно, только tREFI = 65535 поставить
На тех же значениях напряжений, при tREFI = 65535 - память в авто уже плохо тренируется. Я так понял, что нужно больше дать на sa/io? И в бенче Аиды64 похожие значения производительности/латентности получаются. В общем и целом, похоже плата живет своей жизнью, сейчас оттренировалась с tREFI = 65535 нормально (как на скрине выше) Буду пробовать снижать sa/io. На предыдущих балистиксах, плата плохо реагировала на ручной ввод значений. Иногда (хоть и редко но), ловил конкретные зависания в играх, лечившихся ребутом ПК только. В итоге сделал тренировку в авто, и все было норм. А вообще на моем скрине выше, тренировка в авто вроде нормально получилась? И еще такой момент, CR1 на двурангах это скорее роскошь? Я конечно выше 1.39 (при 3866) на память не давал ради него Ну и может еще зависит от платы или кп камня.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Mind eater писал(а):
Буду пробовать снижать sa/io.
Не зажимайте напряжение впритык ни на процессор, ни на память, всегда давайте запас ~0,02в, ничего от этого не помрет, зато стабильность повысится. А то тут проходит, там не тренируется и вылетает...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
rvspost писал(а):
Не зажимайте напряжение впритык
Ну я всегда ищу минимальное стабильное и добавляю сверху немного. А то что у tREFI такое максимальное значение + остальные напряжения на памяти - они они в рамках нормы, чтобы не заботиться о дополнительном обдуве?
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения