AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Mind eater писал(а):
А то что у tREFI такое максимальное значение + остальные напряжения на памяти - они они в рамках нормы, чтобы не заботиться о дополнительном обдуве?
До 1,45в на памяти - можно не заботиться об доп. обдуве. Для того tm5+бублик и тестируются, чтобы память нагреть дополнительно от видеокарты - сымитировать игровые и жаркие условия (tREFI теряет стабильность при нагреве чипов).
Да, хороший бин. А про samsung c-die судя по отзывам, можно сказать "лишь бы XMP держали"...
Согласен... поэтому я в первом своем посте интересовался про эти микроновские бины... стоит или нет, (так как уже писал, что имею отвратительный опыт разгона самсунга с-дай)... и не хотелось без надежды опять залезать в это болото.... это же как наркотик, если начнешь хрен потом остановишься ))) Вот и сейчас не могу остановится.... решил дожать (свой пресет на 4000 18-18-20-38) вторички и третички по максимуму и главное чтоб при этом IO-L остались 6-6 (одинаковыми по рекомендациям... ) tRAC с 40 на 38. tWR-tRTP с 16-8 на 12-6 соответственно (и в этом случае сработала формула tWRL= tRTP... о чем вопрос будет ниже) tRRD_L с 6 на 4 tCKE с 6 на 4 ну и.... в итоге профита от дожима практически нет, но ведь главное это процесс))). А вот по поводу RTL блока, (просто мои наблюдения) при ASRock Timing Optimization=Enabled тренировка проходила так- пример при всех остальных равных. RTL 65-66 / IO-L 7-6 или 65-67 7-7, а с ASRock Timing Optimization=Disable тренится RTL 65-66 / IO-L 6-6 что мне кажется более удачно. (да, во время тренировки нужно накормит хорошими напряжениями иначе вообще каламбур будет) (скрин с дожатыми вторичками, третичками и тренировкой с ASRock Timing Optimization=Disable
Вложение:
Снимок.PNG [ 297.7 КБ | Просмотров: 6028 ]
Вот есть вопрос по поводу tRAC, в общем не понял по какой формуле его правильней считать tRAS = tCL + tRCD + 4(2) или tRAS=tRCD+tRTP+12 (в моем случае оба нормально работают... но все-же какой правильнее) И на сколько важно правило tWRL= tRTP (видел в ответах anta777) . Благодарю..... ПС: чет прям руки чешутся попробовать (залезть в блок ODT) и в первые поиграть с сопротивлениями .... может на 4000 cl16 - rcd18 можно будет завезти стабильно? )) ... я же говорю... сложно остановится... ))
Такой вопрос: часто вижу у тех кто тут постит свою память, что разница между CL и RCD/RP составляет 3-4 и даже 5 единиц. Получается RCD/RP ниже не опускаются или не нужно ниже? Я у себя выставлял только первички (остальные auto), то CL и RCD/RP пытался сделать минимально стабильными. И вот думаю, может это как-то не правильно? Например, CL15 уже с ошибками получается и может правильнее RCD/RP поднять и тогда CL можно будет опустить или так не работает?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Mosfet писал(а):
Получается RCD/RP ниже не опускаются
Чрезмерное снижение приводит к нестабильной работе памяти или к отказу запуска ПК. Значение зависит от производителя чипов, ревизии, а так же от их качества (самые низкие у самой дорогой памяти на чипах samsung b-die). Как правило не зависят от напряжения, зависят от частоты.
Mosfet писал(а):
так не работает?
Не работает, потому что эти тайминги не зависят друг от друга, работа этих таймингов происходит последовательно.
tCL - время между подачей команды на чтение и началом передачи данных tRCD - время необходимое для активации строки банка tRP - время необходимое для закрытия строки, после чего можно активировать новую
Здравствуйте уважаемые форумчане! Получиться ли подружить G.Skill Aegis 3200 и G.Skill Ripjaws 3200? оба 2x8 в сумме будет 32. Спасибо
Не знаю как насчет G.Skill, а у меня Patriot Viper Steel 4000 МГц (19-19-19-39) и Patriot Viper Steel 3866 МГц 18-22-22-40 в купе 32 гига памяти, работают вместе уже года три, настроил их на 3600 МГц поджал тайменги работают все четко, но у меня оба комплекта на чипах Samsung b-die.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.11.2022 Фото: 12
С Наступившим! Подскажите пожалуйста, есть ли где ошибки или так оставить? Память Kingston Fury Renegade DDR4 3600 МГц 2x32 ГБ (KF436C18RB2/32) вольтаж - 1,36 на 3900мгц уже не стабильно. https://ibb.co/cC1HDzq Иногда смотрю тут на латенси у пользователей на скринах, даже с более низкими частотами у людей бывает 50мс и ниже, я же не могу добиться даже ниже 60.
_________________ 14900k+Arctic LF3 420+MSI Z790 Edge Ti MAX+5090 Palit GameRock
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Pashkenty писал(а):
Подскажите пожалуйста, есть ли где ошибки или так оставить?
tREFI = 65535.
Pashkenty писал(а):
на 3900мгц уже не стабильно.
Значит надо поднимать напряжения, поднимать тайминги и т.д., но я бы так оставил.
Pashkenty писал(а):
даже с более низкими частотами у людей бывает 50мс и ниже, я же не могу добиться даже ниже 60.
Если поколение процессора до Alder Lake с более маленьким кэшем L3, то да там ~50нс норма, для алдеров 60нс (сначала поиск информации идет в кэше, потом в памяти, и чем он больше, тем дольше, кэп). Ниже немного можно сделать, если ring (и частоту кэша L3) поднять (у вас на скрине = 3600), но на 12м поколении он выше частоты e-ядер не поднимается. Поэтому чтобы его поднять, надо либо е-ядра разгонять, либо их отключать. Меняется только множитель ринга (частота памяти 3787), цифры не ровные, потому что разгон по шине на моей м.п.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2016 Фото: 12
Всех приветствую! И с наступившим!! Сидел я с разогнаным процом + XMP (8700к@5.0GHz + DDR4 3200 14-14-34 1.35v), но тут моча в голову ударила в праздники и решил я разогнать память по нормальному. *Память G.skill tridentZ 3200cl14* Немного покурив данный раздел, понял что мне легче всего будет настраивать по гайду "для начинающих блондинок". Первым делом сбросил биос в сток, обновлять не пришлось, ибо прошивка последняя (2701). Сделал преднастройку биос, проц и кэш оставил в стоке. Выставил напряжения: DRAM Voltage 1.55, VCCIO 1.33, SA 1.35. Поставил принудительный обдув на память (промышленный 120мм вентилятор с питанием от 220В). Суммарно, где-то дня 3-4 неспеша, шаг за шагом все делал, попутно прогоняя TestMem5 с пресетом extreme@Anta777 (2 часовой). Периодически запускал мемтест + OCCT 3d standart (1 час), хз можно ли так делать, у какого-то ютубера посмотрел. В данный момент имеем следующее: DRAM Voltage 1.50, IO 1.23750 и SA 1.28750 (снизил напругу на память до 1.5в, но толком не тестил, прогнал только 2часовой Экстрим от Анта777) 4133 16-17-37 С RTL IOL особо не парился, ибо нифига не шарю (а может быть зря), материнка мне выставила что-то типа 65-67RTL и 13-13IOL, я просто все эти значения уменьшил на 5. Скрины приложил. Прошу указать где я накосячил , куда дальше двигаться, что снижать а что повышать? До каких пор примерно снижать напряжения и как потом все-это протестировать кроме тестмем5 и ОССТ?
_________________ Core i7-8700K@5.0Ghz скальп+жм | Asus Maximus X Code | 16ГБ G.Skill@4133CL16 | 1080Ti Aorus Xtreme | Corsair SF750 | AIO 240mm ID-Cooling | CoolerMaster Q500L
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2016 Фото: 12
Не знал что есть тесты, запускаемые не из под винды.. Приятно узнавать что-то новое Прогнал GSAT с параметром h1(1 час), прогнал кранчер 30 минут с параметром stress VST, насчет прайма не знаю в каком режиме запускать (blend?) и какой продолжительности, думаю может на ночь поставить его. p.s. уже нетерпится вернуть разгон проца с кешем и сесть тестить в играх) PUBG
_________________ Core i7-8700K@5.0Ghz скальп+жм | Asus Maximus X Code | 16ГБ G.Skill@4133CL16 | 1080Ti Aorus Xtreme | Corsair SF750 | AIO 240mm ID-Cooling | CoolerMaster Q500L
Комментарий к файлу: сейчас. по таблице. стабильно. но нестабильно на 14х по таблице было ощутимо быстрее и отзывчивее. 3600@16.jpg [ 99.7 КБ | Просмотров: 5059 ]
Сейчас этот форум просматривают: Pavel414 и гости: 22
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения