AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.05.2014 Откуда: Москва
Всем привет. Кто-то сталкивался с разгоном Kingston Fury KF3200C16D4/16G*2 на плате Gigabyte B660 Gaming X? Проц 12700. Мучаюсь второй день, кроме XMP ничего не стартует вообще. Модули во 2 и 4 слоте, VDDQ и DRAM Voltage ставлю 1.35. Попробовал кучу конфигов, какие только смог найти - ни один не запустился.
Всем привет. Кто-то сталкивался с разгоном Kingston Fury KF3200C16D4/16G*2 на плате Gigabyte B660 Gaming X? Проц 12700. Мучаюсь второй день, кроме XMP ничего не стартует вообще. Модули во 2 и 4 слоте, VDDQ и DRAM Voltage ставлю 1.35. Попробовал кучу конфигов, какие только смог найти - ни один не запустился.
Сделайте все по инструкции, тайминги из таблицы. Напряжения с запасом дайте.
Доброго всем, ломаю голову уже дня 3, сейчас система работает, но при проходе теста ехстрим от Анты, на 5-7 минуте зависает и уходит в перезагрузку Напряжение на память 1.35, что делаю не так и можно ли улучшить показатели по латентности? Понимаю что мать от гигов не особо подходит для разгона, но 3600 держит в порядке и работает, но в тесте зависает Эта память успешно работала на prime z790 plus на частоте 4200 на 1.45в у моего знакомого, но я не пытаюсь добиться этой частоты а просто стабильности на 3600
RDRDsg=WRWRsg=7 WR=16 WTRS=4 или 5 WTRL=8 RDWE(все)=12 И подбирать напряжения.
Спасибо, уважаемый Анта, попробую. Еще если не сложно можете подсказать напряжение vddq cpu нужно ли трогать, если да, то какое безопасное? io и sa на этой плате нет, только dram voltage и dram training voltage
Здраувствуйте, подскажите пожалуйста что стоит подправить если надо вообще в моих настрйоках оперативки ( чипы samsung d die 2 по 16 дуал ранк ), какое выставить trefi и какой безопасный вольтаж dram можно ставить для разгона чтоб совсем не париться что перегреется без доп охлаждения, память с радиаторами адата д10, еще такой момент что проверял тестом мем 5 не было ошибок, стоял тогда trfc на 576 и пару раз у меня вылетл синий экран с кодом pfn list corrupt, вот сегодня при запуске винды и пару дней назад при просмотре фильма, хотя потом все было идеально в играх и все такое, не вылетали и синьки не было, сегодня вот поставил trfc в авто, думал может из-за него, если можете подскажите пожалуйста что еще думаете об этом
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 03.01.2025 Фото: 4
Код:
CPU Name: Intel i5-11400F Motherboard Model: MSI Z490i UNIFY Memory: G.Skill 2x16GB Samsung b-die dual rank P/N: F4-3200C15Q2-128GTZR (у меня 2х16 из 8х16) Stock: 3200MHz 15-15-15-35-CR2 gear1 SA/IO/DV 1.2V/1.15V/1.4V
Доброго всем. Обновил свои дубовые corsair 2x8 на 2х16 Samsung b-die dual rank. Intel 11gen Z490 Можно ли получить лучшие показатели в тесте памяти Aida64 на 3600 на тех же напряжениях или как снизить VD(1.4V)? .. 3733 не пробывал - проще в 15ые тайминги на 3600 уйти, 3866 не старт при любых комбинациях SA/IO/VD пробывал на 17-17-17-38-cr2 gr1 (как я понял лишь немногие b-die могут 3866 в gear1). Буду благодарен всем за советы, комментарии...
Напряжения stock 3200 SA/IO/VD 1.25/1.05/1.35V (выстав в auto) overclock 3600 SA/IO/VD 1.39!!!/1.05/1.35V (выстав в auto, винда не старт) 1.2/1.15/1.4V (выстав вручную) ИМХО:как я понял если проц не К/KF то SA/IO менять не получится (пункт SA voltage Override Mode отсутствует). На 3600 при попытке поднять SA краши при загрузки винды (в биос заходит), при повышении IO на холодную не стартует (скидывает до заводских), при перегрузке - старт, но в системе нестабильно. Выставил макс возможные (пока цифры остаются белыми) SA/IO 1,2/1,15V. По VDD: 1.38V - не стабильно, 1.4V testmem5 anta777 1.5 часа без ошибок. Или в моем проце КП такой уг... планирую апгрейд в скором на 11700 (на KF надо воду, да и мощности такие не нужны) - отличаются КП в лучшую сторону на старших процессорах или отборные кристаллы только в K/KF ставят?
BIOS
Rank Margin Tool <Enabled> Turn Around Timing Setting Mode <Fixed Mode> Latency Timing Setting Mode <Dynamic Mode> Safe Boot Retry <Enabled> (вроде по дефолту, назначение так и не понял) Power Down Mode <Auto> (при уст-ке в <Disabled> latency падает на 5-8ns) Turn Around Timing Training <Auto> (при уст-ке в <Disabled> - вылеты при старте в игровых бенчмарках) Round Trip Latency <Auto> (надо ли в<Enabled>?) Rank и Enhanced interleave <Auto> (читал для дуалранка надо <Enabled>, но разницы в чтение/копир/запись/латенси - не заметил) Memory Fast Boot сначала <Disabled> сейчас <no Training>
3600MHz 16-16-16-36-CR2 gear1 SA/IO/DV 1.2V/1.15V/1.4V ... (на скрине старое значение SA 1.25V - не стабильно) #77
Testmem5 anta777 temp DIMM без обдува: idle 40-41C, в testmem5 - до 50-51C; temp DIMM с активным обдувом: idle 34-35С, в testmem5 - до 41-43С
вентилятор 92мм присобачен в miniTower Cougar QBX
#77
в блоке <Latency Timing Configuration tRTL/tlOL> нет tlOL, как делать тренировку?
#77
по блоку сопротивление выставил так:
#77
GSAT с параметрами <stressapptest -M 16384 -W -s 3600> без ошибок. (грузился с установоч флеши Ubuntu - пришлось ограничить память <-M 16384>, без этого параметра тест не стартует <kill>)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.01.2007 Фото: 0
Всем привет. Подкажите правильно понимаю что задержки памяти для DDR4 большие? Смотрю у многих тут 45-50мс. Подскажите в 2 словах куда копать? Что-то пока на платформе 1700 темный лес настройка таймингов. Мать msi b660 если это важно. Память G.skill Может есть у кого схожа система,скиньте скрин с асрок тайминг. И какая версия будет работать на моей плате? попробовал последнюю 16,не дает изменять параметры,а 0.9 не читает параметры матреники и памяти
Приветствую! 12400f и kingbank 16gb 3600 cl18 одноранк dram voltage 1.41. Что помимо тренировки нужно настроить? Делал по универсальному гайду, поэтому над _DD и _DR не заморачивался. Заметил, что результаты l3 cache в аиде ниже, чем у других. С 12100f было так же, с чем это может быть связано?
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2016 Фото: 12
GT3R писал(а):
Всем привет. Подкажите правильно понимаю что задержки памяти для DDR4 большие? Смотрю у многих тут 45-50мс. Подскажите в 2 словах куда копать? Что-то пока на платформе 1700 темный лес настройка таймингов. Мать msi b660 если это важно. Память G.skill Может есть у кого схожа система,скиньте скрин с асрок тайминг. И какая версия будет работать на моей плате? попробовал последнюю 16,не дает изменять параметры,а 0.9 не читает параметры матреники и памяти
Привет. Все нормально разогналось. Система: <12400 | MSI b660m Mortar Max WiFi | G.skill TridentZ 3200cl14> Поставил обдув, выставил Dram Voltage 1.55, поставил DRAM Reference clock 133MHz и Gear1, нашел максимальную частоту 3500, выше не едет, т.к. не могу поднять напряжение на кп. Потестил, затем нашел минимальный cl13, итд. Все по гайду "для начинающих блондинок" и по таблицe от Anta777 Единственное почти в самом конце уже когда прогнал все тесты и снизил до минимально стабильного VDRAM 1.52, начал играть в PUBG, заметил что игра раза 2-3 за день крашится, подумал первым делом на tRFC, Поднял до 232 - не помогло, затем поставил его в авто - толку 0. Затем вернул напряжение на памяти 1.55v - тоже бестолку, тестил Extreme@anta777 и 1usmusV3@1usmus, причем тест от extreme@anta777 2х часовой проходил, а 1usmusV3 выдавал ошибку в первые полчаса (очень странно). Потом нашел причину, сейчас система стабильная (стабильней некуда), ни одной ошибки, ни одного вылета из игр. Чем только не тестил, гонял кранчер в трех последний пресетах каждй по 2-3 часа. Ставил на ночь на прайм в режиме Large. GSAT только не ставил, ибо почему-то не запускается на этом компе. Проблема была вот в чем: когда пришло время менять Command Rate (2N по умолчанию), я поверил в себя и поставил Real 1N, это и было причиной нестабильности. Поставил 1N и проблема решилась.
Скрины
_________________ Core i7-8700K@5.0Ghz скальп+жм | Asus Maximus X Code | 16ГБ G.Skill@4133CL16 | 1080Ti Aorus Xtreme | Corsair SF750 | AIO 240mm ID-Cooling | CoolerMaster Q500L
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.01.2007 Фото: 0
derevo163 писал(а):
Привет. Все нормально разогналось.
Спасибо. У тебя конечно экстрмально всё,выжал до последнего )) Но как ориентир пойдет. Слушай скачал 14 версия асрок тайминг,а он не дает мне изменять параметры.. Куда копать? Просто не могу редактировать значения
Сейчас этот форум просматривают: Mr_haitex и гости: 20
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения