AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
У меня заработало в GEAR2 CR1, хотя у него DJR, а у меня CJR и даже платформа совсем другая. У тебя скорее всего поедет в GEAR1 CR2. чтобы не мучиться с напряжениями, попробуй сначала 4133, а если поедет, то 4266 подняв первички на +1.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 03.09.2025 Фото: 1
Господа знатоки, к вам вопрос. Перед вами вся развертка таймингов из биоса. Блоки 1-3 я уже всячески потрогал и в + и в -, остановился на данной раскладке. Собственно, нужно ли трогать 4ый блок и ниже? Можно ли извлечь из этого профит, ну или мб материнка что-то выставила неверно?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Mrbt писал(а):
Собственно, нужно ли трогать 4ый блок и ниже?
Для 4го блока частично данные брать тут (сохранить в xlsx и открыть в Excel, забить свое в зеленые поля) https://drive.google.com/file/d/1N4qSG_wIrgoC_LrumWtSZD--5WYgCxD5/view так же на этой странице читать рекомендации На моей плате помогло повысить стабильность на 12400f (а может поможет частоту на шаг поднять) DRAM VTT
#77
Это напряжение должно быть DRAM Voltage/2, т.е. если 1,38в на память, то можно его поставить 0,7в. Похоже на msi в авто оно игнорируется и остается на 0,6в (как для jedec памяти на 1,2в).
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 03.09.2025 Фото: 1
rvspost писал(а):
(а может поможет частоту на шаг поднять) DRAM VTT
Увы, не помогло, но все равно спасибо) за одно попробовал и первички пошевелить на -1, тоже не увенчалось успехом. Касательно 4 блока, из того что углядел сам:
табличка
Вложение:
Снимок.JPG [ 26.5 КБ | Просмотров: 112 ]
То, что материнка сама выставила верно имеет смысл зафиксировать вручную?
Еще обратил внимание на сопротивления: Из поста анты DDR-4 на платформах Intel. Статистика разгона, советы, обсуждение результатов. #17484594: «Учитываем, что Rtt Wr>=Rtt Park>=Rtt Nom.» При этом материнка у меня вообще выставила 80/0/240. Подбирать с помощью GSAT, как описано в посте анты, или тут какой-то хитрый случай? Ну и в целом у кого глаз намётан мб заметит еще какие-то аномалии?...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
SergS70 писал(а):
Напругу на Hynix-ах задирать Anta не советовал, лучше вернуть 1,35
Наверное там все-таки это было сказано в контексте, а не вообще. Для CJR без экстремального охлаждения с хорошим обдувом = до 1,45 В; с плохим = 1,40 В смело; В пределе (в идеальных условиях по охлаждению без LN2 и стабильном напряжении) - до 1,5 В держат 24/7 не в стресс-тесте (ежедневное использование); Для DJR без экстремального охлаждения с хорошим обдувом = до 1,55 В; с плохим = 1,45 В смело; В пределе (в идеальных условиях по охлаждению без LN2 и стабильном напряжении) - до 1,6 В держат 24/7 не в стресс-тесте (ежедневное использование); У меня 1,47 В; LN2 - системы охлаждения жидким азотом. Другими словами - экстремальное охлаждение. Чем выше напряжение - тем выше нагрев, и тем больше "поплывут" температурно-зависимые тайминги в сторону ухудшения. tREFI, tRFC например. Т.е. тут важно соблюсти баланс.
chnn , желательно знать, что у тебя за чипы все-таки. Номер продукта не определяет это на 100%. Там 3-4 вида могут быть под этим номером. А вообще твои тайминги сильно расслаблены. Начинать надо с первичных, остальное - в Auto и настраивается следом. Читай три нижние строчки
rvspost писал(а):
Это напряжение должно быть DRAM Voltage/2
Не должно, а обычно (считается оптимальным) так. Можно повышать безопасно до 0,76В. Можно и выше, но уже с "оглядкой". Чем выше - тем не всегда лучше, а может вызвать нестабильность. Предел до 0,9 В. У меня 0,74 В выставлено вручную;
VTT (Termination Voltage) в DDR4
VTT используется для терминации (согласования) сигнальных линий шины памяти, чтобы предотвратить отражения сигналов и искажения. Это особенно важно на высоких частотах, где даже небольшие помехи могут вызывать ошибки. VTT влияет на сигнальную целостность, помогает синхронизировать сигналы между планками, уменьшает перекрестные помехи и улучшает стабильность
Можно и VPP немного повысить, до 2,52...2,54 В спокойно. Можно и выше, но уже с "оглядкой". Обычно повышать не требуется, даже при разгоне. У меня 2,52 В. Помимо общего улучшения стабильности на 4000+ МГц, помогает уменьшить или стабилизировать строковые тайминги tRCD, tRP за счёт более быстрого отклика. Ускоряет переключение транзисторов, немного увеличивает нагрев.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
Mrbt писал(а):
Увы, не помогло, но все равно спасибо
Я это относительно давно крутил, может уже поправили в новых BIOS.
Mrbt писал(а):
Касательно 4 блока, из того что углядел сам:
там формулы по колонкам считаются, их можно увидеть в верхней строке. Если для формул другие цифры, то и результаты будут другие. tWRPRE =4+B26+B18 (если сверху в строке формул щелкнуть, подсветятся ячейки из формулы).
Mrbt писал(а):
Еще обратил внимание на сопротивления:
Эта настройка делается для снижения напряжения на модули или повышения стабильности на текущем напряжении. В целом можно не заморачиваться.
Mrbt писал(а):
При этом материнка у меня вообще выставила 80/0/240
Сейчас этот форум просматривают: selishim и гости: 16
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения