Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4!
tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант.
Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).

SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение.
IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать.
Тоже растет с ростом частоты памяти.
Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.

Универсальный гайд.
0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто.
1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти".
Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода.
CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.

Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD.
RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше.
CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20.
RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла.
RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется.
Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел.
Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S.
CKE=5
СCDL>=4
RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память.
RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG.
WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать.
WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет.
RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру.
Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится.
Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом.
RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...

Актуальные (последние) версии:
TableDRAMIntel(simple3nov2020+simple12oct2020+обычная)
http://bit.ly/3rTIBLv
http://bit.ly/3nWJlxB
http://bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme+absolut)
http://bit.ly/2Oe8R00 - суперлайт
http://bit.ly/2H9jIZH - универсальный
http://bit.ly/2MUvl6n - экстремальный
http://bit.ly/3D9TUnD - абсолют
http://bit.ly/3STH2wx - новый для интела и DDR5
http://bit.ly/3wedj8U - новый для Ryzen3D и DDR5
Тяжелый
http://bit.ly/35eKfeJ

VDDDQ=1.5 V max по Jedec
VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq.
То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec.
А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V.
Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно

https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17484594#p17484594
На OCN есть методика их подбора с помощью Passmark memtest86, использовать только 8-й тест.

Below are the typical tRFC in ns for the common ICs:
IC tRFC (ns)
Hynix 8Gb AFR 260 - 280
Hynix 8Gb CJR 260 - 280
Hynix 8Gb DJR 260 - 280
Micron 8Gb Rev. E 280 - 310
Micron 16Gb Rev. B 290 - 310
Samsung 8Gb B-Die 120 - 180
Samsung 8Gb C-Die 300 - 340

#77
#77
#77
Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки.
Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят)
На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.

1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO.
2.Включить в биосе Round Trip Latency.
3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.

https://docs.google.com/document/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/edit?usp=sharing
https://docs.google.com/document/u/0/d/1QacU405kVV10-qBdrqQKOY0v-FKlBFpLcEDn0QpriSE/mobilebasic на русском
Мобильная версия
https://docs.google.com/document/u/0/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/mobilebasic

GSAT- https://drive.google.com/file/d/1iCj0-jQIXIlo_Zvm5jO949ZH9fClTNF3/edit
для длинных тестов добавил параметр "--pause_delay" чтоб периодически не отключались потоки

Rufus 4.9 (Build 2256) Stable 7,9 Мб
WinPE11-10 Sergei Strelec x64 2025.11.19 Russian 3,15 Гб
Архивы нужно распаковать. ПО проверенное. Доступно будет месяц, потом удалю.

VDDQ = 1,35 В минимум. И пробовать до 1,37 В.
VCCSA = 1,30...1,34 В. Начать с 1,3 В.
VDD = 1,44...1,46 В, вместо 1,35. Не бойся, ничего не сгорит и даже сильно не нагреется.
tCL = 16 попробовать. Не получится - 17.
tRAS = можно 40
tRFC = 560 и поднимать выше если не запускается. Память очень чувствительна к этому.
tRRDL = 6, а не 4
tRTP = 6 -> tWR =12
tWTRL = 8
RTL в Auto
tWRRD_SG = 32, а не 30 (tWTRL = 8, а не 6)
tRDWR_SG = 12, а не 10
tRDRD_DG = 10
tRDRD_SG = 8, норм
Все tRDWR_ сделать 12 (4 тайминга)
tWRWR_dr = tWRWR_dd = 8, а не 10
tRDRD_dr = tRDRD_dr = 8, а не 11
tCKE = 6 на всякий случай (хотя по идее не должно работать при отключенном PD)
PowerDown = Disable
tCCDL = 4, или 6 если не получится
Предпочтение четным таймингам

Если ничего не получилось, либо поднимать tRCD и tRP до 23 вместо 22, либо поднимать VPP напряжение до 2,53...2,55 В. Если оно присутствует. Либо и то, и то поднимать.
tREFI еще можно расслабить, если совсем ничего не выходит.

Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4!
tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант.
Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).

1. Активация строки (ACTIVATE). КП активирует строку в банке памяти, переводя её в открытое состояние. Зависит от параметра tRCD (RAS-to-CAS Delay) - задержки между активацией строки и доступом к столбцу;

2. Чтение или запись данных в выбранный столбец [если была запись, то добавляется время восстановления tWR (Write Recovery)];

3. Предзаряд (PRE) -> Закрытие строки. Далее tRP - задержка между отправкой команды предзаряда и готовностью банка к новой активации. Ну и потом, новая активация. Предзаряд (Precharge) в DDR4 происходит перед закрытием строки и подготавляивает банк памяти к деактивации текущей строки. Есть еще режим Auto-Precharge, который не требует явной команды PRE (явный предзаряд, Explicit Precharge). В этом режиме, КП инициирует закрытие строки сразу после чтения, минуя фазу ожидания tWR: tRAS[auto] = tRCD+tRTP+Δ, когда рабочая нагрузка преимущественно читающая - игры, веб-сёрфинг. Explicit Precharge оптимальнее, когда часто выполняются операции записи (рендеринг, компиляция кода) или виртуализация, или многопоточные операции. Auto-Precharge может вызывать ошибки tRC (Row Cycle Time), если следующая активация происходит слишком быстро. При разгоне Explicit Precharge стабильнее, так как позволяет явно контролировать tRP и tRAS. Dual Rank модули требуют Explicit Precharge для избежания конфликтов, потому что параллельные запросы к разным банкам создают "волны" активности. Современные контроллеры (например, в AMD Ryzen 7000/Intel 14th Gen) используют гибридный подход (динамическое переключение режимов предзаряда): адаптивные алгоритмы (burstiness, locality), термодатчики, ECC (серверная память DDR4 RDIMM, например). КП предугадывает доступ к соседним адресам, сокращая задержки.

tRTP — минимальное время между завершением операции чтения и отправкой команды PRECHARGE;
tWR — минимальное время между завершением операции записи и отправкой команды PRECHARGE;
Команда PRECHARGE закрывает строку, работает в рамках одного банка.

tRAS = tRCD + tWR + BL;
Где BL (Burst Length) для DDR4 = 4 или 2, это длина пакетной передачи данных в тактах. Длина пакета на самом деле BL=8, но занимает 4 такта (поскольку DDR передает 2 слова за такт). Пакет может быть укороченный Burst Chop (BС=2), но это оптимизация для снижения задержек в определённых сценариях (короткие операции), автоматически управляется КП.
Почему tWR? Потому что tRAS надо рассчитывать для наихудшего сценария (т.е. операции записи, ибо tWR > tRTP), т.к. tWR требует больше времени.
tRTP (Read to Precharge) - задержка между окончанием чтения и предзарядом. Как видим, это наилучший сценарий. А нам надо рассчитывать на наихудший!
Поэтому, широко распространенные формулы tRAS = tRCD + tRTP + 12 или tRAS = tRCD + tRTP (типа минимальное время) - считаю неверно отражающими суть;
На самом деле, известная формула минимального tRAS могла бы выглядеть как tRAS = tRCD + tRTP + BL/2, но tRTP лучше заменить на tWR, и всегда добавлять BL. Кроме того, формула написана в расчете на Auto-Precharge, что для стабильности при разгоне - не подходит.
Т.е. tRAS = tRCD + tRTP + 12 является по сути, некоей эмпирической формулой с дополнительным временем, поскольку tRAS определяет общее время открытого состояния строки; И это иногда работает, но и эта формула - неверная -).
Потому что она, по сути, отражает tRAS = tRCD + tRTP + Δt; где Δt — дополнительное время для передачи данных. Тогда более верным будет tRAS = tRCD + tWR + Δt; Где Δt - тот самый BL -)

Возможно, в формулу tRAS = tRCD + tWR + BL(BC) надо добавить еще tCWL (CAS Write Latency) - задержку, которая появляется на физическом уровне при записи, из-за подготовки сигнальной системы (адресных линий CA, шины данных DQ, синхронизации стробов записи DQS) и буферов предвыборки. Для Ryzen, вместо tRCD следует подставить tRCDWR (когда тайминги tRCDWR и tRCDRD определены независимо). Установка tRAS на значение tRAS = tRCD + tRTP возможна лишь поскольку tRAS не оказывает никакого влияния на операцию чтения памяти. Но не на операции записи. tCWL в любом случае появляется, потому что то, что попало в буфер предвыборки, обязано переместиться в память. А данные должны попасть в память, прежде чем строку можно будет закрыть.

Но, для Intel 12-14gen, tWR (Write Recovery) уже включает компенсацию задержек записи, поскольку операции записи используют отдельный временной конвейер (КП Intel использует двойной конвейерный дизайн).
Для Ryzen 5000 (DDR4), из-за раздельных tRCDRD/tRCDWR, tRAS = tRCDWR + tWR + tCWL; Но в Zen 3 нет доступа к ручному управлению tCWL, он автоматически выставляется по tCL (с учетом tWRRD), поэтому просто прибавляем Δt.

Процессор: Xeon E3-1240 v5 (Skylake, LGA1151)
Официальная поддержка: DDR4-2133
Максимальный разгон через BCLK: ~5% (риск нестабильности PCIe/SATA)
Материнская плата: Asus Prime Z270-P
Поддержка DDR4 до 3866 МГц (теоретически)
Слабый VRM для памяти (4-слойная PCB)
Модуль ОЗУ: Kingston HX424C16FB/16 (Micron D9SRJ, 1Rx8)
Номинальные характеристики: DDR4-2400 16-16-16-39 @1.2V
Потенциал: DDR4-2666–2800 @1.35–1.4V

DRAM Voltage = 1,3 В
VCCSA = 1,15 В
VCCIO = 1,1 В
Command Rate: 1T
tWR = 14
tRTP = 7
CR = 1T
tFAW = 16 при tRRDS = 4

RP ≥ CL
FAW=RRDS*4, снижаются парно
RTP=WR/2
RDPRE=RTP
RFC меньше = лучше
RDRDDG=WRWRDG=4
RDRDSG и WRWRSG ≥ 6

CKE ≥4
RRDL ≥ RRDS
WTRL ≥ WTRS
WTRL ≥ RTP
WTRL WTRS на Intel снижаются сами, авто; настраиваются через WRRD_SG и WRRD_DG
WTRS ≥ RRDS
WRRD_SG = CWL+6+WTRL
WRRD_DG = CWL+6+WTRS
WRPRE = CWL+4+WR
WRWRDR=WRWRDD ≥ 5
CWL=CL-(0...2)