Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4!
tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант.
Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).

SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение.
IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать.
Тоже растет с ростом частоты памяти.
Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.

Универсальный гайд.
0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто.
1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти".
Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода.
CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.

Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD.
RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше.
CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20.
RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла.
RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется.
Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел.
Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S.
CKE=5
СCDL>=4
RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память.
RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG.
WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать.
WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет.
RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру.
Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится.
Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом.
RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...

Актуальные (последние) версии:
TableDRAMIntel(simple3nov2020+simple12oct2020+обычная)
http://bit.ly/3rTIBLv
http://bit.ly/3nWJlxB
http://bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme+absolut)
http://bit.ly/2Oe8R00 - суперлайт
http://bit.ly/2H9jIZH - универсальный
http://bit.ly/2MUvl6n - экстремальный
http://bit.ly/3D9TUnD - абсолют
http://bit.ly/3STH2wx - новый для интела и DDR5
http://bit.ly/3wedj8U - новый для Ryzen3D и DDR5
Тяжелый
http://bit.ly/35eKfeJ

VDDDQ=1.5 V max по Jedec
VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq.
То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec.
А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V.
Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно

https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17484594#p17484594
На OCN есть методика их подбора с помощью Passmark memtest86, использовать только 8-й тест.

Below are the typical tRFC in ns for the common ICs:
IC tRFC (ns)
Hynix 8Gb AFR 260 - 280
Hynix 8Gb CJR 260 - 280
Hynix 8Gb DJR 260 - 280
Micron 8Gb Rev. E 280 - 310
Micron 16Gb Rev. B 290 - 310
Samsung 8Gb B-Die 120 - 180
Samsung 8Gb C-Die 300 - 340

#77
#77
#77
Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки.
Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят)
На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.

1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO.
2.Включить в биосе Round Trip Latency.
3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.

https://docs.google.com/document/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/edit?usp=sharing
https://docs.google.com/document/u/0/d/1QacU405kVV10-qBdrqQKOY0v-FKlBFpLcEDn0QpriSE/mobilebasic на русском
Мобильная версия
https://docs.google.com/document/u/0/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/mobilebasic

GSAT- https://drive.google.com/file/d/1iCj0-jQIXIlo_Zvm5jO949ZH9fClTNF3/edit
для длинных тестов добавил параметр "--pause_delay" чтоб периодически не отключались потоки

Нужны тайминги из Asrock Timing Configurator⁠⁠ или MSI Dragon Ball. В твоих скриншотах нет очень важных таймингов tWTRS tWTRL tRRDS tRRDL;
VCCSA 1,2 В недостаточно для 3866 Gear1
tCWL: 14 -> 15; CWL=CL для B-Die как правило
tWR = 13 -> 14. Только четное значение. tRTP=tWR/2;
tFAW = 4 х tRRDS. Для стабильности можно расслабить сразу пару.
tRDRD_dg: 4 -> 6
tWRWR_dg: 4 -> 6
tRFC = 320 -> 280...300, но расслабить tREFI до 64512 или меньше;
WRRD_SG = CWL+6+WTRL, но посчитать невозможно - нет WTRL
WRRD_DG = CWL+6+WTRS, но посчитать невозможно - нет WTRS
WRPRE = CWL+4+WR

Потому что повышает нагрузку на IMC, а у тебя и так недостаток VCCSA. Конечно не заведется. Хотя и должно и может, но не при твоих настройках -) VCCSA = 1,3 В. На MSI это вообще не страшно. У меня VCCSA = 1,34 В при 4200 МГц.
При повышении частоты надо повышать и VDDQ = 1,3....1,35 В тебе надо.
VDD (DRAM Voltage) = 1,4 В; 1,45 В это много для B-die.
Power Down = Disabled
Memory Fast Boot = Disabled на время тестов.
Turn Around Timing Optimization = Enabled на время тестов.

Спрашивай конкретику. Нужны все тайминги.

Вариант 1. Надо вручную настраивать терминацию (DRAM Termination) ODT CHA CHB. Значит, МП Asus TUF Gaming H670-Pro WiFi D4 плохо с этим справилась.
В идеальном случае сигнал от драйвера проходит по линии передачи печатной платы до нагрузки и полностью на ней поглощается. Но при увеличении скорости передачи увеличиваются и отражения сигнала от конца линии данных SDRAM.
Для уменьшения этих отражений, начиная с DDR2 была добавлена встроенная терминация On Die Termination (ODT). ODT - резистивная нагрузка на конце линии передачи данных. С увеличением сопротивления ODT увеличивается время нарастания сигнала, и увеличиваются отражения.
Также придется настроить RTT_PARK, RTT_NOM, RTT_WR. Идеальные значения зависят от конкретной платы, конкретного чипа памяти и объёма. Просто найди "типичные" значения для твоей конфигурации.
CHA: 40−48 Ω; CHB: 48−60 Ω; Первый канал обычно имеет более короткие трассировки и меньшую паразитную ёмкость. Чем меньше сопротивление - тем лучше Latency. Слишком низкое сопротивление - перегрузка КП, нестабильность при высокой частоте.
Сделай 48 и 60 Ом (Ω) для начала. На платах от MSI, большее число соответствует меньшему сопротивлению (6 - 40 Ом, 7 - 34 Ом, 8 - 30 Ом, 9 - 24 Ом).
RttNom: 48 Ω; RttWr: 80 Ω; RttPark: 96 Ω. Это "типичные" для DDR4-3866. Пробуй...
Вариант 2. Тайминги кофликтуют. Нужны все тайминги -)

Нужно знать чипы, скриншот из Thaiphoon Burner.

Можно, но не на 3733 МГц.

Очень даже проявляет. Смотря в каких тестах -)

Явных конфликтов по таймингам не заметил, скажем так -) ПСП хорошее, latency тоже. Напряжения тоже, кроме VCCSA [поднимать более 1,25 В, тестировать как минимум в OCCT+RAM и 3DMark (Time Spy, Fire Strike)]. Нужно знать, модули Dual Rank или Sigle Rank.

Все что до 1,3 В - точно безопасно 24/7 для 14600KF. До 1,35 В - тоже, но с оговорками.
VDDQ 1,35 В -> 1,28 В и ниже. Высокое VDDQ ставится при 4000+, тебе при 3600 такое точно не надо.

Так и есть. Micron F-die известны своей чувствительностью к напряжению и температуре.

Больше 1,4 В не рекомендуют для них

Это очень плохо для 3600. Поднимай VPP до 2,56...2,6 В, это стабилизирует строковые параметры, и tRCD tRP в т.ч.

А у тебя 12700KF на кулере работает?
CPU AUX Loadline Calibration Control = Mode 2
CPU LLC = Mode 3
CPU Switching Frequency = [предмаксимальный]
CPU Lite Load = Mode 6 или 8
Package C-State Limit = C2
PL1 = 125 W. Если башенный кулер - уменьшать до 100 Вт.
PL2 = 190 W. Если башенный кулер - уменьшать до 130 Вт
CPU Current Limit (A) = Auto. Если башенный кулер - оставить 230 А.
Re-Size bar support = Enabled
RX Equalization = 10...13

Ну конечно будут при tWTRS = 2. Увеличь до 3-4. Ну и соответственно WRRD_DG = CWL+6+WTRS. tWTRS = 2 - можно и это работает даже при бОльших частотах, но придется компенсировать / жертвовать чем-то.
Либо поднимай tRFC понемногу, кратно 8.

Я тебя не заставлял сюда выкладывать свое "творение" с единственной целью похвастаться, "глядите какой я молодец". Ничего против не имею. Тебе сказали, что молодец, но не приложил тестов КП, нет пруфов. Из напряжений дал только VDD VCCSA. VDDQ интересен, как минимум.
Игры это хорошо, но они нагружают КП от силы на 30-40%, потому что активно используют L3 и лишь 6-12 потоков. И никакой жесткой зависимости нагрузки на КП от нагрузки на CPU у игр нет. Если CPU обрабатывает объемные текстуры или физику разрушений, то да - растёт число обращений к памяти и нагрузка на КП повышается, но это все равно не решающий показатель стабильности подсистемы памяти.
Установлен радиатор СЖО, кулерами наружу, в какую сторону они дуют - можно было только догадываться (обычно кулеры находятся с др. стороны радиатора). Если кулеры выдувают - ну отлично (хотя писал, что "радиатор на вдув стоит"), можно было так и написать, а не разводить холивар.

Я не нуждаюсь в твоих оценках, у меня хватает "благодарных зрителей". Если есть претензии к моей грамотности по теме - буду рад обсудить и постараюсь никого не разочаровать .

Это лучше, чем вдувать заведомо горячий воздух в корпус, "обсасывалось сто лет уже"...
Почему "для меня"? Подавляющее большинство юзеров их устанавливает именно так. Кулерами вниз, именно на выдув. А холодный воздух должен втягиваться другими кулерами и с другой стороны, чтобы он проходил через весь корпус.
От того, что через радиатор пойдет воздух на 2-3 градуса горячее (чем мог бы), он сильно ничего не потеряет (горячий воздух стремится вверх, потому что он менее плотный, это физика). А вот от того, что на 5-10 градусов горячее будет вдуваться через радиатор (и где-то, непонятно где - выдуваться, причем желательно с такой же объемной скоростью) - потеряют в охлаждении все комплектующие (включая RAM). Так что выгоднее?

Ревизия BCTD характерна для C-Die. D-Die имеют маркировку K4A8G085WB-BXXX (смотрим Тест разгона DIMM на чипах Samsung 8 Гбит D-Die там K4A8G085WD).
16 Gb / 1 die (2 ГБ на чип) -> Характерно для C-Die/M-Die (D-Die имеют 512 МБ на чип). DDR4-3600 18-22-22-42 1,35 В -> Типично для C-Die. 2048M x64 (1 rank, 8 чипов) -> Совместимо только с 16 Gb модулями.

K4AAG085WB (ревизии BCTD, BCWD) - C-Die; K4A8G085WB (BCRC, BCVD) - D-Die.