Принятые в теме сокращения (и заодно необходимые утилиты для отладки и тестирования памяти)
TM5 - TestMem5
ATC=Asrock Timing Configurator 4.0.4 for z370/390
Asrock Timing Configurator 4.0.13
Asrock Timing Configurator 4.0.12 for z690
Asrock Timing Configurator 4.0.10 for z590
Asrock Timing Configurator 4.0.9 for z490
Asrock Timing Configurator 4.0.8
Asrock Timing Configurator 4.0.3 for z170/270/490

Asrock Timing Configurator 4.0.16
https://drive.google.com/file/d/1-PdgLkCf-5cA3b1kqO2CmFyhXtz-tiS3

AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44
При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки).
Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100!
Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ.
Для плат на основе логики z690 и b660:
VDD>VDDQ
VDDQ>=VDD-300mV(0.3V)
Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V.
Для таймингов должно выполняться требование:
_dr=_dd

Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти.
Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты.
Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти.
Для желающих максимально снизить tRFC.
Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP.
Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта.
Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта.
Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.

Новая информация по tRAS


Напряжения на процессоре при разгоне памяти






МЕГАпост про RTL и настройку






Расшифровка коротких наименований таймингов часть 1 и часть 2

Предварительная настройка параметров разгона в BIOS платы (на примере плат ASUS)

Пресет для поиска максимальной частоты DDR4 и расчета таймингов от Agiliter (может пригодиться тем у кого плата автоматом выставляет какую-то дичь при автоматической частоте)
Необходимо дополнительное тестирование и ваши предложения что там добавить или поменять.

Кстати, на нашем форуме есть еще и другая Таблица по расчёту таймингов









Программы для тестирования памяти

Ага. Вы только не забывайте, что 11,4 В в стоке - это не тоже самое, когда ПК - в разгоне [память, ЦП - что угодно, потому что есть влияние ЦП на разгон памяти например и т.п. (хотя ОЗУ и питается от отдельной линии)]. Стабильность - есть такое слово. Для стабильности при разгоне, нужно точное "номинальное или выше" напряжение, желательно еще и с минимальными пульсациями (не нормой, а минимумом). Тем более речь идет о самой нагруженной линии.

ОК
Возможно, дело в VTT и VPP, либо неправильные RTT (Nom/Wr/Park) в XMP.

WhiteRatify ты голову то включи!
любой вариант по твоей логике греет оперативу!
вдуваешь(горячий) греет, выдуваешь(горячий) греет.
дак это у вас холивар бреда полного!
неважно где стоит вода, на нагрев оперы не влияет в закрытом продуваемом корпусе!

del

легко стартанула на 3733, думаю можно ужать тайминги.
вопрос, если дальше ехать то на гир2 уже?

Все верно, это A-Die Мало ли, кто будет гуглить, что у них в Patriot Viper Steel 3600 18-22-22-42 за такое непонятное K4AAG085W?-BCTD...

veles, да верно. Я ошибся. Только по твоей ссылке - ничего нет.
Искать K4AAG085WA-BCTD (вот последней-то буквы у нас и не было) пришлось здесь. Но это точно не D-Die.



Gear1 у 14gen вплоть до 4400 МГц, правда чипсет должен быть Z690/790. На B760 предел будет ниже на ~100 МГц... На 12gen и B760 - еще на ~100 МГц ниже -)
При особой удаче, конечно, получится немногим повыше, но не более +50-60 МГц.
На 3733 скорее всего CR1 будет работать стабильно.

Bigsun работает стабильно!
ладно буду хотя бы до 4000 добирать ручками на гир1.

Bigsun а у ревизии A-Die какие особенности? Напряжение повыше любит?

veles , а уже был ответ на подобный вопрос -)
1,4 В это предел и высокое напряжение не любят.
Чипы со средним разгонным потенциалом.

Bigsun экспериментирую на разных частотах. Удалось запустить на 3600 с напряжением в 1,354 на напряжении SA/IO 1,35/1,31. Но если, к примеру, поднять Vdram до 1,384, то нет проблем при SA/IO 1,27/1,28. В гайдах пишут IO должно быть меньше SA на 50мВ, но у меня наоборот просит больше IO. При значениях vccio - 1,25 и ниже стабильные проблемы с запуском, минимальное напряжение для частот 3600/3733 для нормального запуска - 1,284В, SA при этом стабилен и при 1,27. Занимательно это все.

veles ,
На платформе Rocket Lake-S, Intel разделила канал питания VCCIO на две линии: одну для КП и одну для остальной подсистемы ввода/вывода (IO). Получилось VCCIO (CPU I/O напряжение) и VCCIO2 (Voltage Common-Collector Input/Output 2, это собственно домен напряжения для КП, сигналов CLK и CMD/ADDR).

VCCSA на данной платформе питает часть КП (он же IMC), которая отвечает за физическое (физической уровень контроллера) взаимодействие с памятью - DDR PHY, PCIe-часть (ВК и NVMe), DMI (Direct Media Interface - связь с чипсетом).
Т.е. в данном случае, SA влияет на синхронизацию сигналов между CPU и RAM. Поэтому, при недостатке VCCSA возникают ошибки даже при корректных настройках таймингов.

VCCIO2 не решает проблем синхронизации между CPU и чипсетом, а VCCSA оказывается недостаточным для компенсации искажений сигналов на высоких частотах. Но ты VCCSA упорно повышаешь, для компенсации -)
Но зато работает эффект от повышения напряжение на ядра DRAM (VDD). Абсолютный максимум VDD для DDR4, согласно JEDEC JESD79-4B, ~1,5 В. На практике, есть конечно исключения до 1,6 В (в основном - при экстремальном охлаждении). Но некоторые чипы, и выше 1,35 В не переживут...

DQ в памяти DDR4 - это сигнал данных, DQS (Data Strobe) - сигнал для синхронизации данных (чтобы КП успевал принимать данные в нужные временные интервалы), он двунаправленный - передаётся как КП во время операций записи (WRITE), так и RAM во время операций чтения (READ). На каждый 8 бит данных передаётся один DQS-сигнал. VREF_DQ — это опорное напряжение для DQ (шины данных) в DDR4, это напряжение, относительно которого определяются пороговые уровни для "защелкивания" 1 или 0. Так вот, VREF_DQ CPU (со стороны КП) - питается через VCCIO2, а VREF_DQ DRAM (со стороны памяти) - от VDD. Повышение VDD также улучшает SNR (отношение сигнал/шум).
VCCSA (System Agent) не влияет на значения VREF, и при недостатке VCCSA система может нестабильно обрабатывать сигналы даже с идеальными VREF. Недостаток VCCSA -> джиттер сигналов -> ошибки CRC.
Поэтому у тебя улучшается все в большей степени - от повышения VDD, снова.

А проблема то, возможно, лежит в синхронизации и качестве сигналов между CPU и RAM. Из-за этого все, что на это влияет - работает.
PLL (Phase-Locked Loop) генерирует тактовые сигналы для Ring Bus (внутри CPU) и Uncore (включая КП).
Поэтому, дополнительно можно попробовать настроить VCCPLL (CPU PLL) - то напряжение, которое влияет на стабильность тактирования Uncore на платформе Rocket Lake-S. У тебя оно стоит в Auto. Установи VCCPLL = 1,15 В, для DDR4-3733.

Итог. DDR4-3733, Samsung A-Die K4AAG085WA-BCTD, Rocket Lake-S, B560, 11400F.
1. VDD = 1,4...1,42 В. Не надо компенсировать нестабильность только в основном путем повышения VDD.
2. VCCPLL = ~1,15 В
3. VCCSA = 1,25...1,3 В. Это максимум, что нужно для 3733; Предел ~1,35 В. На RKL не рекомендуется выше 1,3 В;
4. VCCIO2 = ~1,25 В. Вот это и есть напряжение на КП, в основном (для Rocket Lake-S!). Для Single Rank сильно повышать обычно не требуется.
5. VCCIO. При разгоне памяти на Rocket Lake-S, его обычно не трогают (его повышение не улучшает стабильность RAM) ~1,1 В - это сток. Но у тебя меньше, значит - проседает. Ставим 1,10...1,15 В. Я ранее рекомендовал 1,12 В. Пусть будет VCCIO = ~1,15 В.
6. VTT = 0,72 В (обычно VDD/2, но можно чуть выше); Оно же CPU Termination Voltage - напряжение терминации, которое используется для согласования импеданса (сопротивления) на сигнальных линиях процессора (шины данных и адреса). Его задача - предотвращать отражения сигналов и обеспечить их целостность, что важно для стабильности на высоких частотах. Можно поставить смело до 0,75 В. Но может быстро вызвать нестабильность! Понемногу повышать! Кроме нестабильности, других рисков нет или почти нет.
7. VPP = 2,54...2,58 В. Wordline Voltage (Voltage for Precharge Power), оно же word-line boost supply. "Помпа подкачки". Напряжение, используемое внутренними дешифраторами адреса памяти (для активации строк - wordlines). Именно этот процесс напрямую связан с циклами обновления (refresh). Это самое важное напряжение для снижения tRFC. Более высокое VPP позволяет ячейкам памяти "обновляться" быстрее и стабильнее, что напрямую позволяет выставлять более низкое значение tRFC. Да и вообще стабилизирует строковые параметры, tRCD тоже. Типичный диапазон для разгона: 2,50...2,80 В. Чем выше - тем выше нагрев модулей памяти.

Перенапряжение чего-либо вновь вызовет нестабильность - держи меру. Иначе "перетягивать одеяло" можно очень долго. Особенно учитывая температурные сдвиги.
На 12-14gen, для стабилизации и улучшения качества сигналов на высоких частотах, просто повышаем VDDQ -) На 11gen такого нет.

Дружище, в эти дебри не полезу. Остановился на варианте с частотой 3600 на постоянку. На Dram-1,36; VCCSA - 1,29; VCCIO2-1,264. На 3733 напряжение на память просит уже 1,41, не стоит того. Спасибо за подсказки.

В ходе каких тестов -) Требуемое напряжение сильно зависит от нагрузки. TM5 мало нагружает КП, даже на экстремальных профилях. Потому что TM5 работает с простыми битовыми операциями (XOR, NOT, SHIFT), без AVX, FFT и т.п.
TM5 хорош для выявления нестабильных таймингов, проблем с терминацией (VTT), дефектов модулей RAM. Но не более того.
У тебя MSI B560M PRO-VDH. Схема фаз питания = 6+2. При разгоне памяти, очевидно, что проседает Uncore в ЦП. 1,1 В - хватит только при 3600 для SR, и только на нетребовательные задачи. Для чего-то более-менее серьезного (даже для CPU-нагруженных игр) скорее всего - нет.
Т.к. общего напряжения CPU_AUX нету (питание Uncore), повышаем VCCIO2 (VCCIO не надо повышать выше 1,15 В) - это и есть напряжение на КП. VCCSA тоже должно быть минимум 1,25 В, иначе не потащит выше 3600 МГц. На 3600 при слабой нагрузке будет работать и 1,1 В. Но нам же нужна стабильность?

Да. VDD - аббревиатура от Voltage Drain-Drain (так исторически сложилось), это основное напряжение питания микросхем памяти. Оно же VDIMM, оно же VDRAM.

При такой частоте и Single Rank, вполне нормальное напряжение. Хочешь 3733+, тогда надо повышать до 1,4 В+.

Нюансы данной МП... возможно оно там вообще не регулируется, а в UEFI (биос) просто присутствует...
Поставь VPP = 2,54...2,56 В. Намного стабильнее все станет. VTT = чуть выше чем VDD/2

Решать тебе -) Я бы пробовал 1,38 В при 3733. Но надо стабилизировать другие домены напряжений. Такой вот трудный путь, а как ты хотел...
Проблема твоего железа не в том, что не хватает напряженияя на DRAM. Нестабильные линии CPU-DRAM. Такая МП....

ОССТ CPU+RAM SSE и AVX2 - вообще ноль эмоций, все у него прекрасно, хотя система нестабильна. Совершенно непонятно, чем проверять напряжения агента и кп.

Когда VTT 0,72 при VDD 1,41 поставил на 3733, система не стартанула, снизил до 0,71, поехало, но на стабильность не проверял. На 3600 при VDD 1,36 поставил сразу 0,7 - завелось. Но тоже не тестил. VPP сделал 2,55, что там в реальности - х.з., посмотреть негде.

Да попробовал и с авто и с твоими рекомендациями по напряжениям. 1.37 в биосе ставлю, это 1,384 в реальности дает - грузится в синий экран. 1.39(чуть выше 1,4) вроде стабильно и тесты проходит, но для верности поставил 1,4(1,41 реальное).

Y-Cruncher. Он хорош как комплексный тест: нагружает и память, и встроенный в процессор КП, и шину памяти, и буферы предвыборки (pre-fetch).
Найти .exe-файл и создать для него ярлык. Открыть свойства этого ярлыка и в поле объект добавить -TL:2000 VST VT3.
Должно получиться что-то вроде этого: "...\y-cruncher 0.8.6.9545\y-cruncher.exe" stress -TL:2000 VST VT3
Теперь можно запускать программу и ждать конца теста.

У тебя не КП нестабилен, а линии CPU<->DRAM. Бюджетная МП... Вероятно высокий шум сигнала на линиях данных (DQ).
Рассмотри ослабление tRFC. Либо да, снижение частоты памяти...

Повышение VTT улучшает стабильность на высоких частотах, но и увеличивает шум сигнала DQ [потому что терминационные резисторы генерируют тепловой (джонсоновский) шум]. Шум суммируется с полезным сигналом, сужая "глазковую диаграмму". Из-за чего снижается SNR (Signal-to-Noise Ratio). Поэтому я и писал, что может возникнуть нестабильность и повышать VTT по чуть-чуть.

вот ей еще не гонял. ТМ5 со всеми пресетами, OCCT cpu+mem, Prime torture - успешно.это универсальные настройки или от железа ? У меня comet lake, все напруги дефолт. Проверяю стабильность ужатых таймингов. Так же тестить ?

Приехали мои зелёные хуниксы, 3600 еще даже не пробовал запустить, пока на вскидку выставил +- как на самсунге си-дае (который больше не едет..). Напряжение 1.27в, и это радует, вообще минимальный стабильный вольтаж интересней высоких частот, кто в теме - поделитесь мыслями что можно ещё подкрутить.

Универсальные.

Есть специальная тема.

Выбрал stress -TL:2000 VST VT3 BKTи сколько ждать ? Сейчас 6-я итерация BKT/VT3, прошло полчаса теста