AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: В сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
chnn Не обязательно. Но результаты будут лучше с отключенным.
Зум писал(а):
Подскажи, сойдёт так?
Для 3200 результат отличный
[A1ex] писал(а):
Я на всякий случай фото всех разделов с настройками таймингов сделал
Так уже давно никто не делает -) Проще сделать один скриншот из Asrock Timing Configurator, MSI Dragon Ball или HWiNFO64 (только по памяти); Потому что названия могут отличаться от общепринятых. Да и в программах все на виду, не надо листать кучу скриншотов и складывать слова в tREFI или tRRDS. За это в т.ч. я не люблю биос от Asus. И за "фривольные" названия (например, PCH 1.05 - ну какой это хаб? CPU 1.05 правильнее; у чипсета - да, хаб). Думаешь, есть куча времени это изучать? -) Если я правильно "угадал", то tREFI слишком низкий. Что по стабильности? Проходит тесты?
[A1ex] писал(а):
А на 14Gen (например, на 14900K) лучше/быстрее эта память будет работать? Если да, то насколько существенным будет этот прирост?
Лучше и быстрее. Очень грубо это +5-7% ко всем характеристикам по разгону памяти. Если повезет, то и больше.
Извини, думал, что так будет нагляднее. Вот скрин с таймингами из HWiNFO64:
Вложение:
CL.png [ 43.85 КБ | Просмотров: 193 ]
С вольтажами пойдут скрины?
Bigsun писал(а):
Что по стабильности? Проходит тесты?
Попробовал с учетом отключенного VT и CR2. До этого (с включенной VT и CR1) ошибки вылетали, как писал ранее. Тестировал примерно 1 час и 15 минут на экстримальном конфиге от anta777. Ошибок не было. Этого достаточно, или нужно дольше? Неужели и правда вся нестабильность была из-за CR1 на такой частоте? Уже привык к CR1, тем более МП сама его выставила.
Последний раз редактировалось [A1ex] 23.01.2026 9:05, всего редактировалось 1 раз.
Всех приветствую, собрал недавно пк на i3-12100f, но память брал KLLISRE 2666MHz с мыслью что разгоню и закрою ее недостаток в частоте, по итогу гнаться она ни в какую не хочет, только тайминги получилось чуть поджать, может кто проконсультировать или помочь?
Попробовал с вашими правками, всё равно меньше, чем было. Я даже отрыл скриншот с моими старыми настройками, и один фиг выдаёт меньше было ~51,5к чтение и запись, а сейчас 49,5к. Я ешё биос сбрасывал в дефолт, может я что-то забыл там включить?
_________________ i7-8700/DeepcoolGammax 400(Arctic MX-4)/Palit GamingPro OC RTX 5070/2x8Gb Patriot Viper 4 3700Mhz/ASRock Z390 Pro4/Corsair RM750/Samsung 970 Evo Plus 1Tb
Member
Статус: В сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
[A1ex] писал(а):
Вот скрин с таймингами из HWiNFO64:
Для 4800 надо увеличить tRAS до 54 как минимум Проверь RDPRE = RTP = tWR / 2. Вроде сходится, но не вижу tRTP. Если RDPRE определяет tRTP (не на всех МП это так, у меня например - нет), то тогда да. Проверить не помешает. Только четные значения. tWRPRE и tWRPDEN можно поменьше, от 39 до 46, 42 скажем. tWTRS = 8...12, tWTRL = tWTRS х2 = 16...24. Ставим лучше четные значения. tRRDS слишком низкий, не менее 8 для стабильности. Можно пробовать 6. tFAW = tRRDS х4. Только четные значения. tREFI = 32768 и уменьшать если не потянет. Если тянет - увеличивать вплоть до 65535 (но это сильно вряд ли потянет на 4800 МГц). tRFC = 736 и ниже. Если не тянет, по +0,01В добавлять VDRAM (VDD). Сильно реагирует на температуру. Найти золотую середину.
Корректировка таймингов
Вложение:
4800 DJR.png [ 23.55 КБ | Просмотров: 98 ]
Если не потянет, можно снижать, но менее радикально -) Не забудь записать профиль настроек. В первую очередь расслаблять tFAW и tRRDS, потом все остальное. Если не потянет. tFAW = tRRDS х4 - обязательно. tFAW может быть выше, но большого смысла нет, и обязательно четное.
[A1ex] писал(а):
Ошибок не было... Этого достаточно, или нужно дольше?
Ну вот, получилось же! Мы у цели -) По ТМ5 достаточно пройти по 1 циклу профиля экстрим в разные дни. Далее пройти y-cruncher Поиграть в игры, лучше процессоро-зависимые.
[A1ex] писал(а):
С вольтажами пойдут скрины?
Там все норм. VDRAM можно пробовать снижать по -0,01В и тестировать заново. Процесс долгий -)
[A1ex] писал(а):
Неужели и правда вся нестабильность была из-за CR1 на такой частоте? Уже привык к CR1, тем более МП сама его выставила.
Абсолютная правда. МП так выставила, потому что Gear 2. Но это ошибка. Кстати говоря, MSI такого себе не позволяет -) На 14gen может быть такое бы и заработало (и то далеко не факт, что будет стабильно), но точно не на 12gen. "Заработать" и "заработать стабильно" - разные вещи!
BeeRAbuseR писал(а):
Я ешё биос сбрасывал в дефолт, может я что-то забыл там включить?
Вполне возможно. Поизучай каждую настройку. Поиск... Ютуб... Никто не будет тебе с нуля все разжевывать. Надо и самому стараться. Если лень, можно пользоваться ИИ как помощником. Но надо подбирать модель, чтобы не глючила и чушь поменьше писала. Gemini 3 Pro, Deepseek R1, Haiku 4.5 - эти точно пригодны для наших задач. Но в зависимости от того, что и как именно спросишь, результаты могут быть разные, сразу доверять не стоит, обязательно перепроверяй в поиске по форуму, в инете, в книгах, обзорах и т.п. Но, в первом приближении, можно получить довольно много информации. Делаешь качественный скриншот и отправляешь в ИИ, задаешь вопрос, что такое "....". Для оценки достоверности, конечно нужны базовые знания. С этим поможет опыт, чтение литературы, и наша конференция -)
Всем привет, подскажите для BLS2K16G4D30AESC память одной плашки 16ГБ DR микрон e-die (rev. E) D9VPP (MT40A1G8SA-075:E), какую напругу макс. выдержат, чтобы не переживать за них? сейчас 1.43 с частотой 3866 16-20-20-38 CR2, хочу подужать тайминги/поднять частоту.
Всем привет, подскажите для BLS2K16G4D30AESC память одной плашки 16ГБ DR микрон e-die (rev. E) D9VPP (MT40A1G8SA-075:E), какую напругу макс. выдержат, чтобы не переживать за них? сейчас 1.43 с частотой 3866 16-20-20-38 CR2, хочу подужать тайминги/поднять частоту.
Но у тебя другая память, у моей плохие tRCD\tRP и tRFC. Так что можешь отталкиваться от моих значений лишь в самом общем виде. Кинь свои настройки БИОС, я посмотрю чем они отличаются от моих.
Последний раз редактировалось Blazetrusher 23.01.2026 13:07, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.01.2013 Откуда: Баку
Bigsun Да, братишка BeeRAbuseR походу особо не напрягается:)) Балин, только вчера нашёл стабильность на 3900. Угарно было: тесты проходит, игрушки играет, а в ютубчике говорит - давай до свидания)) Оказывается дело в tRFC было
Member
Статус: В сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
Ruseggg159 , зависит от плотности чипов, Single или Dual rank. Ну и от удачности МП и КП. Думаю, что 3600 как минимум можно получить. У тебя скорее всего Samsung B-Die.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 16.11.2025 Фото: 0
Bigsun писал(а):
Ruseggg159 , зависит от плотности чипов, Single или Dual rank. Ну и от удачности МП и КП. Думаю, что 3600 как минимум можно получить. У тебя скорее всего Samsung B-Die.
Member
Статус: В сети Регистрация: 03.09.2004 Фото: 1
Bigsun
Цитата:
Для 3200 результат отличный
Для моих задач выше и не нужно, не ожидал от хуникса напряжения 1.26в (может и ниже можно, но не пробовал). До них были самсунги ц-дай, которые через 5 лет перестали держать хоть какой нибудь разгон, хотя вроде сильно их не мучал, но наверное всё же перегрел.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения