AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Предположительно для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. На март 2026 года я склоняюсь к тому, что чтение 64 байт идет с одного банка всех 8 чипов модуля. То есть за 4 такта происходит чтение 4 такта х 2(два фронта сигнала) х 8битх8чипов=512 бит или 64 байта. А оптимальный tRAS зависит от политики контроллера по закрытию строк и от его связи с tRC (определяется внутренними невидимыми нам настройками биоса). Можно предположить, что оптимальное значение tRAS=2*tRCD+несколько тактов, это определяется по количеству промахов и попаданий в открытые страницы памяти, тут нужен оптимальный КПД. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP), если позволяют чипы. Искать минимум tRAS можно , начиная с RCD+RTP и идти вверх или с 2*tRCD или tRCD+tCL+4 и идти вниз. Еще возможен такой подход к оптимальному tRAS. tRAS=tRCD+k*CCDS/CCDL+tRTP(опционально), где k - количество банков, к которым идет обращение перед возвратом в открытую строку, наш первый банк тоже учитываем. У ddr4 4 группы по 4 банка, то есть 16 банков. tRTP можно не добавлять при расчете, так как при попадании в открытую строку она не закроется пока не пройдет время tRTP от последнего чтения, а при непопадании мы выиграем время tRTP, быстрее закроется строка Если 1 другой банк, то tRAS=tRCD+8(CCDS учитываем) А с гарантией tRCD+12/14 (CCDL учитываем) Если 2 других банка tRAS=tRCD+12(для CCDS) tRAS=tRCD+18/21(для CCDL) Для 3-х других банков tRAS=tRCD+16(CCDS) tRAS=tRCD+24/28(для CCDL) Полная формула tRASopt=tRCD+k*tCCDS+n*tCCDL+tRTP(опционально) k+n = количество посещенных банков, включая наш первый, до возврата в строку По джедек k+n= обычно 2-3
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
anta777 , вот видишь, △ появилась. Я могу по своей формуле объяснить, откуда она берется у меня. А откуда у тебя? Просто надбавка на частоту? На стабильность? Или та самая эмпирика -) BL = 8 порций? Внешняя передача по шине данных (DQ)? Но 8 порций (полученных через 8n-Prefetch, по 2 единицы за один такт) это 4 такта? Ну тогда это не тайминг, а длина пакета в тактах. Не?
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Bigsun писал(а):
anta777 , вот видишь, △ появилась. Я могу по своей формуле объяснить, откуда она берется у меня. А откуда у тебя? Просто надбавка на частоту? На стабильность? Или та самая эмпирика -)
На политику контроллера. Если контроллер настроен закрывать сразу строки, то лучший tRAS минимальный, если политика контроллера адаптивная, то tRAS оптимальный может быть лучше больший, чтобы при втором запросе попасть в открытую строку.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
SunRise777 , DIGI+ VRM смотрел? Что в DRAM ref voltage?
anta777 писал(а):
для записи tRCDWR (от ACT до WRITE) + tCWL+tBL/2+tWR (от WRITE до PRE)
Посчитаю по твоей формуле для моих чипов: tRAS по записи = tRCDWR(=12) + tCWL(=16) + tBL/2(=4) + tWR(=12) = 44 tRAS по чтению = tRCD(=22) + tRTP(=6)+12 (из шапки темы) = 40. ОК, 40 меньше 44.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Нет, не настраиваются.
Добавлено спустя 5 минут 3 секунды: Bigsun Прекрати писать глупости, впредь буду стирать, я и так был очень либеральным, не тер твои простыни чуши. tRTP это не tRP, не путай праведное с грешным.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
anta777 , глаз замылился, исправил. А не потому что я RTP от RP не отличаю. Но замечание почему-то надо сделать в максимально жесткой форме. Что-то личное? Напиши пож-та в ЛС, что там еще чушь (кроме tRAS, и то - далеко не я один так заблуждаюсь, ты же не скажешь что я совсем не пониманию что пишу, не?), очень интересно.
Я могу вообще прекратить все писать, если угодно. Сколько накидывать на "политику контроллера" и почему именно столько?
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Для всех Если я не стер сразу сообщение или его не прокомментировал, то это не делает сообщение автоматически верным! Меня теперь мало волнует DDR4, с ней я разобрался полностью на том этапе, когда я ее использовал, поэтому сейчас я просто читаю сообщения и комментирую выборочно только те, что меня заинтересовали или задели. Сейчас меня больше волнует DDR5 память.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 03.09.2025 Фото: 1
anta777 писал(а):
Для всех.. ..сейчас я просто читаю сообщения и комментирую выборочно только те, что меня заинтересовали или задели
Anta, тебя так разорвало из-за того что Bigsun`a в последних постах называли амбассадором темы? Если лавры душат или бразды правления жмут, так ты либо форточку открой, либо занимай уже всецело стул с ддр5, а стул с ддр4 человеку оставь. А если ты за правду, так изволь сам нуждающимся отвечать, причем в развернутой форме, а не как ты это обычно делаешь. Bigsun, если и виновен, так это еще нужно доказать. В данном случае так твоя полемика пришла к
anta777 писал(а):
tRAS=tRCD+tRTP+x, где х подбираешь индивидуально
т.е. к ручному перебору...окок, причем где пояснения, как понять что найден правильный "Х"? Т.е. суеты навел, а истина так и не найдена.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Mrbt Читай и изучай шапку темы, в ней все основное есть, а с тонкими нюансами я помогу. В какой форме мне отвечать я сам решу, ты мне указывать не будешь. И еще изучи правила форума.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
anta777 писал(а):
Выставить tRAS=tRCD+tCL+4
А это не чушь?. tCL - задержка чипа перед выдачей первой порции данных (шириной в шину 64 бит) на шину данных, и никакого отношения к tRAS не имеет. Потому что tRAS работает на уровне строки (через какое минимальное время в тактах можно подать команду PRECHARGE), а tCL - на выходном интерфейсе чипа (из чипа на шину). Они работают на разных уровнях. Личное мнение (никому не навязываю): Если tRAS слишком мал, контроллер может начать вставлять пустые циклы ожидания (Wait States), чтобы дождаться физической готовности ячеек. В итоге задержка будет больше, чем если бы вы выставили корректный tRAS. Поэтому, писать минимальный tRAS не имеет смысла (если tRC и так ниже 64). tRAS не является фиксированным значением - период между командами активации и предварительной зарядки может превышать это значение, но не может быть меньше tRAS.
Минимальное время от ACT до PRE: для записи tRCDWR (от ACT до WRITE) + tCWL+tBL/2+tWR(от WRITE до PRE)
anta777 писал(а):
изучай шапку темы
Там непонятно написано, раз возникают вопросы
"...При считывании N байт (от 8 до 64 указано) с одного банка...".
Операции чтения и записи в DDR4 SDRAM ориентированы на пакетную обработку. DRAM DDR4 доступны в трех вариантах ширины (на это указывает количество контактов данных (DQ) в DRAM): x4 [за один такт выдает 4 бита]; x8 [за один такт выдает 8 бит (1 байт)]; x16 [за один такт выдает 16 бит (2 байта)].
Данные передаются пакетами. Длина пакета Burst Length 8 (BL8) = 8 порций подряд. Т.е. есть всего 3 варианта: 4 бита×8 порций=32 бита (4 байта); 8 бит×8 порций=64 бита (8 байт); 16 бит×8 порций=128 бит (16 байт).
Чтобы получить стандартные 64 байта для процессора, на планке объединяют несколько чипов. База взята тут. ЦП (а точнее контроллеру памяти) для работы нужно 64 бита за один такт (или 64 байта за один Burst из 8 тактов). Один чип, выдающий 16 бит на такт, не может заполнить всю 64-битную шину. Поэтому, КП объединяет 4 таких чипа (16 бит × 4 = 64 бита). Итого за один Burst (пакет): 4 чипа по 128 бит каждый = 512 бит. 512 бит / 8 бит в байте = 64 байта. Шина 64 битная, что значит 64 бит / 8 порций = 8 байт на одну порцию пакета, откуда 8 байт×8 порций=64 байта. Это размер кэш-линии процессора. Процессору неудобно брать данные по 8 байт. Ему нужно сразу 64 байта, чтобы заполнить ячейку своего кэша (L1/L2/L3).
Так вот, что имеется ввиду в шапке - непонятно. Понятно, что там речь идет про банки, но в каком случае (и как этот случай выявлять) использовать то или иное значение - не разъяснено.
anta777 писал(а):
tRAS нужен для команд чтения, а не записи
Вместо выдачи явной команды PRECHARGE для деактивации (закрытия) строки, КП использует RDA (чтение с автоматической предварительной зарядкой) и WRA (запись с автоматической предварительной зарядкой). А tRAS как раз время от ACTIVATE до PRECHARGE. Т.е. запись вполне себе имеет отношение к tRAS.
anta777 писал(а):
tBL/2 для записи это тайминг
Burst Length (BL)
Burst Length (BL) выражается в количестве порций данных, передаваемых по шине за один цикл обращения к памяти. Можно ли длину пакета в порциях называть таймингом? Наверно - нет. BL/2 = 4 такта, наверное да, для формул можно считать задержкой (таймингом). Хотя деление [безразмерной] величины на 2, не дает новую величину. ИМХО. И если в DDR4 стандартный Burst Length равен 8, то то передача всего пакета занимает 4 полных такта шины (BL/2 = 8/2=4). Поскольку у нас DDR (Double Data Rate), данные передаются дважды за один такт (по нарастающему и по спадающему фронту сигнала). BC4 (Burst Chop) = 4 порции данных (2 такта), укороченная версия пакета. КП сам может выбирать этот режим, "на лету", для каждой конкретной команды. Взято тут.
P.S. Гуру тоже могут ошибаться и путаться, это нормально. Все мы люди и совершаем ошибки. Мы не должны максимально жестко относиться друг к другу (даже если позволяют права) из-за наших ошибок или заблуждений. Тут больше вопрос не к технической подкованности, а в отношении к комрадам. Просто мнение. Так что я лично по-прежнему считаю, что tRAS можно считать по записи. Единственно, я в формулах не учел tCWL (разобрался, он нужен, tWR не поглощает tCWL, потому что tCWL - это задержка до начала передачи данных, а tWR - после завершения передачи данных по шине). ИМХО! Мнение. Вообще говоря, правильным был бы наихудший сценарий: tRAS ≥ tRCDWR [он же tRCDW] + (AL + tCWL) + BL/2 + tWR, где AL (Additive Latency) - дополнительная архитектурная задержка Posted CAS в оперативной памяти DDR4. AL позволяет КП подать команду чтения/записи сразу же (в следующем такте) после команды активации ACT. Память принимает команду и далее сама может отложить ее исполнение на величину AL, что реализуется на уроне чипа, но настраивается КП. Вот и получается что все эти △-ты, это не более чем попытка правильно отразить действительность (tRAS=tRCD+tRTP+12 "Самый верный выбор для DDR4"). ИМХО!
SunRise777 писал(а):
Посмотрел, там тоже ничего такого нет. Что можно ещё придумать? Без поднятия вольтажа вообще никак не обойтись?
Очень странно, для H670 поддержка разгона памяти заявлена. Я даже видео посмотрел на ютубе, тоже ничего не нашел. Может, надо зайти в расширенное меню какое-то? Не сталкивался с ASUS TUF. Твоя МП Asus TUF GAMING H670-PRO WIFI D4. Зайди в тему, спроси. Или может быть есть профильная тема на МП ASUS.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.11.2017 Откуда: Белореченск Фото: 3
Товарищи, настроил первички на B760Б, 2х16, 4000 16-18-18-36. Есть ли у кого соображения по настройки вторичек с учётом платформы и процессора (в подписи). Меняю, латенси в АИДЕ как стояла на 49-50, так и стоит. На предыдущей платформе (9900К)37-38 удавалось достичь. Такое ощущение, будто вообще вторички не трогал (меняю в биосе).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.04.2025 Фото: 16
rvspost писал(а):
Меняю, латенси в АИДЕ как стояла на 49-50, так и стоит.
Вообще желательно скидывать скрины чего ты там настроил, мог где-то ошибиться или не то поставить. Выше в конфе писали почему так происходит на LGA 1700, почему на предыдущих сокетах латентность ниже.
на 13-14 поколении у всех плюс минус такие задержки, это тонкости архитектуры процессора и сокета. иногда в районе 45, но это уже под нехилыми напругами и платами на Z чипсете. тоже голову ломал что за дела, почему на новом довольно мощном процессоре такие задержки.
вот на таких таймингах тоже в районе 49-52 задержки, процессор 14600kf. (увеличение tREFI до 65к ничего не дало ни в псп ни в задержках, поэтому чуть опустил на постоянку)
Последний раз редактировалось Trapcore 17.03.2026 10:49, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.11.2017 Откуда: Белореченск Фото: 3
Благодарю, зря только время потратил. Думал, или MSI биос или Intel XTU мозги парят. Получается, вторички, за исключением 2-х параметров, можно вообще не трогать. Trapcore, мне заметен прирост, по крайней мере в АИДЕ. 65500 поставил, память 140 обдувается (заодно на проце - 2-3 градуса).
Сейчас этот форум просматривают: Furyomg, Google [Bot], Gromoz, HertZ и гости: 32
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения