AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Предположительно для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. На март 2026 года я склоняюсь к тому, что чтение 64 байт идет с одного банка всех 8 чипов модуля. То есть за 4 такта происходит чтение 4 такта х 2(два фронта сигнала) х 8битх8чипов=512 бит или 64 байта. А оптимальный tRAS зависит от политики контроллера по закрытию строк и от его связи с tRC (определяется внутренними невидимыми нам настройками биоса). Можно предположить, что оптимальное значение tRAS=2*tRCD+несколько тактов, это определяется по количеству промахов и попаданий в открытые страницы памяти, тут нужен оптимальный КПД. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP), если позволяют чипы. Искать минимум tRAS можно , начиная с RCD+RTP и идти вверх или с 2*tRCD или tRCD+tCL+4 и идти вниз. Еще возможен такой подход к оптимальному tRAS. tRAS=tRCD+k*CCDS/CCDL+tRTP(опционально), где k - количество банков, к которым идет обращение перед возвратом в открытую строку, наш первый банк тоже учитываем. У ddr4 4 группы по 4 банка, то есть 16 банков. tRTP можно не добавлять при расчете, так как при попадании в открытую строку она не закроется пока не пройдет время tRTP от последнего чтения, а при непопадании мы выиграем время tRTP, быстрее закроется строка Если 1 другой банк, то tRAS=tRCD+8(CCDS учитываем) А с гарантией tRCD+12/14 (CCDL учитываем) Если 2 других банка tRAS=tRCD+12(для CCDS) tRAS=tRCD+18/21(для CCDL) Для 3-х других банков tRAS=tRCD+16(CCDS) tRAS=tRCD+24/28(для CCDL) Полная формула tRASopt=tRCD+k*tCCDS+n*tCCDL+tRTP(опционально) k+n = количество посещенных банков, включая наш первый, до возврата в строку По джедек k+n= обычно 2-3
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.02.2024 Фото: 0
SunRise777 писал(а):
Вот про тренировку я вообще ничего не понял, как её включать, где её включать и так далее.
Найди в биосе что-то связанное с MRC Fast boot (может называться по другому), обычно в разделе памяти находится. Когда выставляешь тайминги, напряжения, частоты, gear mode, множитель, обязательно нужно отключать MRC Fast boot - Disable. Когда всё настроишь, нажмёшь F10, комп уйдёт в перезагрузку. Загружаться он может долго, и как раз в этот момент происходит тренировка. Если всё удачно, появится как обычно меню кнопок. В этот момент обязательно заходим в биос и отключаем тренировку MRC Fast boot - Auto (или Enable). Снова F10 и перезагрузка. Можно снова зайти в биос и посмотреть RTL, либо загрузиться в Windows и уже там посмотреть. Таким образом можно тренировать память до тех пор, пока RTL как минимум не выровняются.
Advanced member
Статус: В сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
SunRise777 писал(а):
Bigsun, у меня сейчас вот так, что мне ещё нужно подкрутить? Просто каждый говорит по своему, и я уже полностью запутался...
Тайминги _dr _dd = 4 или 1, потому что 2 модуля и Single Rank. tCCDS = 4, tCCDL = 6..8. RTL кривые - память плохо прошла тренировку. Пробовать Slow training. Там же должна быть, где и Disabled. tREFI может и не тянуть 65535. Пробовать меньше, кратно 1024. Если будут ошибки.
SunRise777 писал(а):
Ошибок вроде нет, 4 часа прогонял TestMem5 (Extreme anta777).
y-cruncher еще надо, 10-15 минут хотя бы. И останется решить вопрос с латентностью.
dezmand07 писал(а):
тренировка не всегда сбрасывается при смене таймингов
Зато всегда сбрасывается при переходе на другую частоту (можно ниже), и обратно.
SunRise777 писал(а):
но пока я не выставил: VDD = 1.35, VDDQ = 1.35, SA = 1.25 были ошибки. Не знаю какой именно вольтаж повлиял на стабильность.
VDD. Для любых напряжений больше - не всегда лучше, но для VDD почти всегда больше - лучше (в рамках известного диапазона), до определенного предела по чипам и температуре.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.03.2021 Откуда: Омск Фото: 78
Один предлагает mrc fast boot на auto или enabled (йоу, ты до сих пор не знаешь, что enabled это тоже тренировка, и она может перетренировать RTL после disabled?) Второй предлагает slow training. И всё это для Асус Фигасе вы рофлите.
Файл я делал для себя. Блокнотом (или по F4 в Total commander) исправляешь путь к исполняемому файлу на свой. Кладешь test.bat в папку с исполняемым файлом, запускаешь именно его! Все происходит автоматом, там уже выбрано все что нужно для теста памяти. -TL:900 - это 900 секунд (15 минут), можешь поменять на свое время теста. Меньше 10 минут нельзя, больше - можно.
Maks_Gailish писал(а):
Какой вариант тренировки верный?
RTL - это просто задержка на преодоление дорожек от ЦП до модулей памяти, не более того. Измеряется в тактах. Поэтому, значения растут с ростом частоты памяти (чтобы в нс оставалось так же или меньше) и изменяются с изменением частоты КП (Gear 1 или 2). Если быть точным - никакой. Он индивидуальный для каждой МП. Разница не более 2 единиц между каналами (дорожки от ЦП до разных каналов имеют разную длину) и минимально возможные значения - вот и все условия. В идеале цифры должны быть максимально близки, вар.3 в теории лучше. Memory Fast Boot = Auto - это вообще режим на усмотрения разработчиков биоса, работает по разному на разных МП. Memory Fast Boot = Disabled - это как раз включение "полной" тренировки (и отключение "быстрой" загрузки) Включенный параметр Fast Boot - это тоже тренировка, но "быстрая". RTL будет точно перетренирована: Сценарий 2 и Сценарий 3. RTL будет возможно перетренирована даже при Fast Boot = Enabled, но в сценарии 4 такая вероятность минимальная.
А вообще, ты выдаешь свой опыт за знания. Это не одно и то же. Slow training лучше тренирует RTT (сопротивления терминации, [RTT_Nom, RTT_Wr, RTT_Park]). Это дает возможность лучше оттренировать RTL (Round Trip Latency), потому что меньше помех получается. Напрямую они друг от друга, конечно, не зависят. Но на хорошей "почве" лучше тренируются задержки.
SunRise777 писал(а):
А сейчас как? Прошла память тренировку? Какие цифры там вообще должны быть?
Идеально. MC0 / MC1. У нас физически один КП, но он двухканальный. Биос показывает их как два логических контроллера (Memory Controller 0 и 1). C0 / C1. Это Channel 0 и Channel 1 (Канал А и Б). IOL (Input/Output Latency) - задержка ввода-вывода самого КП, 25 - это как раз IOL, 25 - стандартное значение для LGA1700. У меня тоже так же. IOL на канале А и Б должны быть одинаковыми. 69 - это RTL и есть. На некоторых МП ручное изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния! Применено все равно будет биосом какое протестируется. Снижение значений RTL увеличивает ПСП и общую латентность. Но не разительно. В какой-то степени. Для тренировки RTL и IOL, должен быть включен Round Trip Latency в разделе Memory Training Algorithms. RTL ~ IOL + (2×tCL) + константа. Вот здесь это подробно описано.
В подавляющем большинстве случаев - ставим RTL в Auto и не морочим себе голову.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.04.2014 Откуда: Новосибирск
dezmand07 писал(а):
Замечательно. RTL ровные и хорошие, должно всё работать стабильно
Спасибо огромное за помощь!!! Хотелось бы конечно частоты по выше, хотя бы 3600МГц, но я так понимаю там и тайминги какие-то другие под 3600МГц нужно выставлять и тренировку заново проходить.
Добавлено спустя 2 минуты 18 секунд:
Bigsun писал(а):
Идеально
Спасибо большое за помощь!!! Вот только Latency ниже по сути не стал...
Advanced member
Статус: В сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
SunRise777 писал(а):
Хотелось бы конечно частоты по выше, хотя бы 3600МГц
Пробуй Gear 2. В рабочих задачах, важнее ПСП. На 7-Zip легко проверяется и на тесте CPU Game и CPU Render в бенчмарке игры Shadow of the Tomb Raider (как вариант). Есть встроенные тесты в Forza Horizon 5. Есть игры, чувствительные к ОЗУ: Total War: Warhammer III (Бенчмарк Battle), Watch Dogs: Legion, Cyberpunk 2077. Смотреть на Low FPS 1% и 0,1%, при установленном ПО мониторинга. VDDQ повышай, чтобы взять высокую частоту, и CPU 1.05 делай 1.08. CPU_AUX тоже помогает, но сильно повышать не надо для 4000+, 1,84В будет достаточно, это облегчит работу SA (потому что SA физически находится в Uncore).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.10.2020 Фото: 5
Подскажите небольшой вопросик по разгону, пожалуйста. MSI Tomahawk b660, 13600KF, ОЗУ 2*16 двуранковая Apacer на Самсунгах D-die. Вообщем разогнал немного ОЗУ без фанатизма до 3600 МГц Gear 1, ужал тайминги, подобрал напряжение DRAM. Теперь хочу занизить SA и VDDQ. Их надо синхронно занижать или можно сначала SA нащупать минимум, а потом VDDQ? Просто я начал только SA занижать и какая-то дичь происходит, дна нету))) Напряжение уже 1,06, а система стартует и тесты проходит. Что-то тут не то.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.04.2010 Откуда: Омск Фото: 6
Почему раньше память работала на частоте 3200, а потом начались зависания, Windows не загружается. Пришлось сбросить на 2666. Память могла испортиться со временем?
_________________ MSI MAG B660M MORTAR MAX WIFI DDR4, I5 12400, R7S416G2606U2K,AG400,ZM500-TXII,MX330-G BFBC2: DIMKOSS11 BF3: Dimkoss11 А что, если bf5 будет еще хуже?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.10.2020 Фото: 5
dezmand07 я понял. Спасибо, успокоили. Просто смотрел разные гайды по разгону и ожидал увидеть ошибки уже на 1,20 V. А есть какое-то стандартное значение SA для 3600 МГц, ниже которого нет особого смысла опускаться?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.02.2024 Фото: 0
Дима-2 писал(а):
А есть какое-то стандартное значение SA для 3600 МГц, ниже которого нет особого смысла опускаться?
Можно попробовать вообще оставить на Авто, частота не высокая. Если хочется вставить вручную, можно оставить 1.15 (такой вольтаж безопасен). А так я на 4266 использовал SA 1.185, всё работало стабильно.
Добавлено спустя 1 час 37 минут 37 секунд:
dimka11 писал(а):
Почему раньше память работала на частоте 3200, а потом начались зависания, Windows не загружается. Пришлось сбросить на 2666. Память могла испортиться со временем?
Windows давно переустанавливал? Система могла уже достаточно замусориться, что в последствии и стало вызывать ядерные ошибки.
И какие напряжения и как долго использовались для 3200? Если слишком высокие, то не исключено физическое повреждение.
Добавлено спустя 57 минут 23 секунды:
Bigsun писал(а):
Тайминги _dr _dd = 4 или 1, потому что 2 модуля и Single Rank.
Касаемо Single Rank.
Есть вот такая память
Вложение:
1.jpg [ 213.82 КБ | Просмотров: 629 ]
Чипы физически распаяны с двух сторон.
Все SPD'шки трезвонят мол это Single Rank (AsRock TC тоже об этом говорит)
Вложение:
SPD_BIOS.jpg [ 322.98 КБ | Просмотров: 629 ]
Вложение:
SPD.jpg [ 427.43 КБ | Просмотров: 629 ]
Залезаем на сайт kingston по коду памяти KF437C19BB1K2/32 (на памяти и на коробке коды разные - KF437C19BBK2/32 не существует в природе) и видим
Цитата:
Kingston FURY KF437C19BB1K2/32 is a kit of two 2G x 64-bit (16GB) DDR4-3733 CL19 SDRAM (Synchronous DRAM) 2Rx8, memory module, based on sixteen 1G x 8-bit FBGA components per module.
На картинке чипы показаны с двух сторон.
Кроме того Тайфун говорит (да и вообще память в стоке) вшита на 3200, при этом описание на оф.сайте сток даёт 2400.
Тайминги XMP 3733 тоже не совпадают: на коробке 19-23-23 на сайте 19-23-23 по факту вшиты 21-23-23
Вопрос: какая это память - одноранговая или двухранговая?
Всё это я к тому, что нужно физически смотреть, оф.сайт читать, а не верить вшитому китайцами SPD.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.10.2020 Фото: 5
13600KF, MSI MAG B660 Tomahawk DDR4, Apacer 2*16, Samsung D-die, двухранговая, 16 банков. Посмотрите что я тут пальцами нажмякал. Есть что-нибудь неадекватное? Или можно оставлять? Некоторые третички кстати материнка сама исправила, я в биосе другие ставил. Я все dd-шки проставлял 1, а она исправила почти все на 7, кроме RDWRDD, там 12 поставила. Но она умнее меня, наверное так лучше будет.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения