AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Предположительно для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. На март 2026 года я склоняюсь к тому, что чтение 64 байт идет с одного банка всех 8 чипов модуля. То есть за 4 такта происходит чтение 4 такта х 2(два фронта сигнала) х 8битх8чипов=512 бит или 64 байта. А оптимальный tRAS зависит от политики контроллера по закрытию строк и от его связи с tRC (определяется внутренними невидимыми нам настройками биоса). Можно предположить, что оптимальное значение tRAS=2*tRCD+несколько тактов, это определяется по количеству промахов и попаданий в открытые страницы памяти, тут нужен оптимальный КПД. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP), если позволяют чипы. Искать минимум tRAS можно , начиная с RCD+RTP и идти вверх или с 2*tRCD или tRCD+tCL+4 и идти вниз. Еще возможен такой подход к оптимальному tRAS. tRAS=tRCD+k*CCDS/CCDL+tRTP(опционально), где k - количество банков, к которым идет обращение перед возвратом в открытую строку, наш первый банк тоже учитываем. У ddr4 4 группы по 4 банка, то есть 16 банков. tRTP можно не добавлять при расчете, так как при попадании в открытую строку она не закроется пока не пройдет время tRTP от последнего чтения, а при непопадании мы выиграем время tRTP, быстрее закроется строка Если 1 другой банк, то tRAS=tRCD+8(CCDS учитываем) А с гарантией tRCD+12/14 (CCDL учитываем) Если 2 других банка tRAS=tRCD+12(для CCDS) tRAS=tRCD+18/21(для CCDL) Для 3-х других банков tRAS=tRCD+16(CCDS) tRAS=tRCD+24/28(для CCDL) Полная формула tRASopt=tRCD+k*tCCDS+n*tCCDL+tRTP(опционально) k+n = количество посещенных банков, включая наш первый, до возврата в строку По джедек k+n= обычно 2-3
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Скорее всего в авто-режиме некоторые третичные тайминги были скорректированы. А вручную заданные IOL не позволяют МП это сделать и все проходит более "гладко". ИМХО. Если не ошибаюсь, то так: IOL является частью RTL: RTL=IOL+IOL-offset+2×tCL; RTL INIT=IOL-init+IOL-offset+2×tCL+10, где RTL INIT - стартовое (верхнее) значение для тренировки; 2×tCL - задержка на выдачу данных чипом, но удвоенная, т.к. у нас DDR (Double Data Rate) и данные захватываются и по фронту и по спаду сигнала. Хотя шина DQ и CA могут работать параллельно (с перекрытием), но все равно требуется время на подготовку чипа. IOL - задержка на физическом уровне (PHY) внутри самого процессора (время на обработку сигнала буферами). IOL-offset - аппаратное смещение (константа), применительно к конкретной МП, компенсирует внутреннюю разводку сокета.
Да, тоже к этому склоняюсь (что выделил). "некоторые третичные тайминги были скорректированы" - здесь речь о таймингах, не видимых в БИОС? Так-то ничего не поменялось.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
Pavel414 писал(а):
здесь речь о таймингах, не видимых в БИОС?
И да и нет. Да, есть те, что мы не видим и которые не доступны для регулировки. Но также есть понятие корректировки некоторых задержек (это не совсем тайминги) "на лету", планировщиком IMC. И многие он фиксирует. Разрушается "идиллия" только при определенных событиях.
tRFC зависит только от поколения/ревизии чипов и от температуры. В шапке "Таблица tRFC от integralfx" - рабочая.
У меня ниже 510 вообще не запускается, а в таблице совсем низкие значения
Igor-Igor писал(а):
tREFI можешь ставить любое, которое позволяет МП. Но все, что выше 100к будет заведомо иметь мизерные шансы на стабильность. Зависит от температуры. Способность длительно держать заряд разнится от поколения/ревизии чипов и даже от их качества, даже в пределах партии.
А прирост дает ? Разгон tRFC и tREFI получается будут нагревать чипы сильнее?
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
Fisher писал(а):
У меня ниже 510 вообще не запускается, а в таблице совсем низкие значения
Напомню, мы подозреваем, что у тебя рефаб двуранговых Samsung B-Die. А может быть там вообще микс из разных чипов.
Fisher писал(а):
Разгон tRFC и tREFI получается будут нагревать чипы сильнее?
Ни занижение tRFC, ни повышение tREFI не нагревает чипы. tRFC это всего лишь запрет подать новую команду ACT на определенное время. И все. Физический процесс регенерации от уменьшения tRFC не может измениться никак. Ни у КП, ни у чипа нет таких средств или инструментов влияния. Возрастает лишь общая активность по шинам, т.к. КП начинает "забрасывать" чипы командами доступа (Read/Write/Act) сразу по истечении tRFC. И вот от этого да, может немного быть выше нагрев. Но из-за общего параллелизма архитектуры, это вообще не критично. Повышение tREFI заставляет память работать дольше до регенерации, тем самым выигрывая драгоценное время работы. Т.е. тоже ничего принципиально для памяти не меняет в плане нагрева. А прирост дает конечно. tREFI - в основном на ПСП, а tRFC - на общую задержку.
Pavel414 писал(а):
кто бы мог подумать..почти 9nc CL требуют 1,37В.
tCL один из самых требовательных таймингов (если не самый) к напряжению VDRAM. Но всегда наступает физический предел, выше которого нельзя никак. Сколько бы ты не поднимал VDRAM. Разные чипы реагируют на повышение VDRAM по разному. И чем ниже их качество, тем выше требуемое VDRAM и тем выше нагрев (что ведет к "замкнутому кругу" ошибок). А у некоторых чипов растет вероятность отрицательного масштабирования напряжением (когда поднимаешь напряжение, а получаешь обратный эффект).
Хотелось бы взглянуть на результат. Ну типа стоила ли овчинка выделки)))
В синтетике прирост на уровне погрешности с первичными настройками. У меня были закосячины вторички. Ну а так скажу с дефолтом общий прирост примерно 57%
Не твой прирост, интересен конечный результат, чтобы сравнить со своим))) Я бы в галерее взглянул, но вам лень туда заливать)))
Конечный результат сомнителен даже для меня. У меня куча приложений в фоне, они жрут подкачку и оперативку. Я даже сам не могу прирост определить в 2022г на эталонной системе были одни настройки, сейчас куча приложений в фоне, автозагрузке и другие настройки. Глянул скрины там основная разница с дефолтом. Посмотрел варианты разгона там разница на уровне погрешности везде. Учитывая, что это синтетика, а не реальные приложения. У меня система вытягивает 5070ti мне достаточно.
Сейчас этот форум просматривают: egor111 и гости: 13
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения