AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Предположительно для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. На март 2026 года я склоняюсь к тому, что чтение 64 байт идет с одного банка всех 8 чипов модуля. То есть за 4 такта происходит чтение 4 такта х 2(два фронта сигнала) х 8битх8чипов=512 бит или 64 байта. А оптимальный tRAS зависит от политики контроллера по закрытию строк и от его связи с tRC (определяется внутренними невидимыми нам настройками биоса). Можно предположить, что оптимальное значение tRAS=2*tRCD+несколько тактов, это определяется по количеству промахов и попаданий в открытые страницы памяти, тут нужен оптимальный КПД. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP), если позволяют чипы. Искать минимум tRAS можно , начиная с RCD+RTP и идти вверх или с 2*tRCD или tRCD+tCL+4 и идти вниз. Еще возможен такой подход к оптимальному tRAS. tRAS=tRCD+k*CCDS/CCDL+tRTP(опционально), где k - количество банков, к которым идет обращение перед возвратом в открытую строку, наш первый банк тоже учитываем. У ddr4 4 группы по 4 банка, то есть 16 банков. tRTP можно не добавлять при расчете, так как при попадании в открытую строку она не закроется пока не пройдет время tRTP от последнего чтения, а при непопадании мы выиграем время tRTP, быстрее закроется строка Если 1 другой банк, то tRAS=tRCD+8(CCDS учитываем) А с гарантией tRCD+12/14 (CCDL учитываем) Если 2 других банка tRAS=tRCD+12(для CCDS) tRAS=tRCD+18/21(для CCDL) Для 3-х других банков tRAS=tRCD+16(CCDS) tRAS=tRCD+24/28(для CCDL) Полная формула tRASopt=tRCD+k*tCCDS+n*tCCDL+tRTP(опционально) k+n = количество посещенных банков, включая наш первый, до возврата в строку По джедек k+n= обычно 2-3
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.04.2025 Фото: 19
Bigsun писал(а):
Ну, все тесты по многу раз - выдерживает
Так у меня тоже все тесты проходят по многу раз,tREFI=102400 взял от балды, цифра понравилась)))
Bigsun писал(а):
Я сначала решил запуститься на 131071 - по моему это максимум который позволяет моя МП
У меня в биосе (М.90) показывает 262143 (что ровно вдвое больше), какая то не реальная цифра 131071 у меня тренировку не проходит, но точно проходят все тесты при 112640 (1024х110). Сейчас тестирую tREFI=125951 (1024х123-1), тоже цифра интересная И ещё один интересный момент (заметил тебе пару раз на это указывали), мол при расчёте tREFI отчёт начинать с нуля, а не с единицы. Опять же уже не в одном биосе замечаю, что максимальное tREFI часто кратно 1024-1 (65535, 131071,262143) Меня раньше напрягало на LGA1200, ну как так то? До максимального числа, кратного 1024, всего единички не хватает. Может как раз всё и хватает? Опять же если ты скажешь, что на таком высоком tREFI значения не имеет, но всё же...
Bigsun писал(а):
monstor писал(а): Можно оставлять на постоянку?
На первый взгляд, все отлично получилось.
Я увидел, что его скрин Тайфуна как у меня, поэтому и дал свои тайминги и напряжения (дабы сэкономить человеку время), дальше допилит. Опять же, как показала практика, tREFI можно ещё поднять.
Все тесты с таким tREFI, на таких же чипах отлетают на ИЗИ
У тебя работает, у других нет. Это нормально. Чипы разные - какие-то лучше держат заряд, какие-то хуже.
Yurex80 писал(а):
Но опять же при VDD 1.36В
По идее, чем больше (и быстрее) зарядил, тем дольше держится заряд и дольше будет утекать. Но нет. На практике, VDD никак не влияет на достижение высоких значений tREFI, только на его стабильность в некоторых границах. Потому что увеличивается утечка заряда и нагрев.
Yurex80 писал(а):
как ты нашел tREFI=98304 для 5000МГц и на сколько оно стабильно?
Ну, все тесты по многу раз - выдерживает. Я сначала решил запуститься на 131071 - по моему это максимум который позволяет моя МП (не помню уже). Но система даже не прошла тренировку. Потом опускал понемногу и тестировал (y-cruncher, AIDA64, PYPrime, TM5). Дошел до стабильных 98304 (кратно 8 и 1024). Не забывай, у меня 3200 XMP то всего, а не 3600 как у тебя. Это косвенно говорит о качестве чипов. На Gear 2 можно получить несколько (не сильно много) больше tREFI, не навредив стабильности. Потому что сами такты становятся физически короче из-за повышения частоты шины памяти, и можно сделать больше тактов для удержания, допустим, тех же стабильных 32 мкс (вместо 7,8 мкс; ибо стандарт можно кратно превысить). Плюс уменьшается стресс для КП в отсутствии синхронного режима памяти.
Понял, спасибо большое за информацию, буду думать над этим. Я смотрел Технограаля он как раз мои планки разгонял на Ютубе, по его аналогии думаю попробую,
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
Yurex80 писал(а):
отчёт начинать с нуля, а не с единицы
Ерунда все это. Это может иметь смысл только на границе регистра. Само значение интервала рефреша - это параметр КП (IMC), а не DRAM-чипа. Поэтому максимальные значения tREFI берутся из разрядности конфигурационных регистров КП (MCHBAR, Memory Controller Hub Base Address Register). В карте адресов MCHBAR платформы LGA1700, заложено 32768 (32-битных) адресных слота [32786 слота × 4 байта (32/8)] = 131072 байт или 128 Кб)], которые находятся внутри системного агента (SA). И далеко не все из них зарезервированы под управление памятью. [2ⁿ−1] - следствие разрядности двоичного регистра, а не правило "отсчёт всегда идёт с нуля и потому надо везде вычитать единицу". Т.е. для 16-битного регистра будет [2¹⁶−1] = 65535 просто потому, что отсчет начинается с нуля и записать туда 65536 нельзя (ибо будет переполнение/усечение или BIOS просто не примет значение, или обнулит). КП Intel использует внутренний множитель, чтобы обойти ограничения разрядности базового регистра (я об этом писал в теме). Когда мы вручную вбиваем tREFI в BIOS, UEFI-код на этапе инициализации через MMIO записывает значение в регистры таймингов КП, их физический адрес задаётся через регистр MCHBAR. Базовый адрес + смещение = точный адрес регистра tREFI. Для ядер и софта это выглядит как адрес памяти, но не все адреса ведут к ячейкам DRAM. В IMC типа Alder/Raptor Lake поле MCHBAR под tREFI = 20-битное, т.е. его с лихвой хватает даже для DDR5. Сам MCHBAR - это 64-битный регистр, в котором хранится только адрес, а уже по этому адресу лежат регистры таймингов КП, в том числе 8-битное поле tREFIx9. Когда ПК выключен, значения tREFI (и остальные тайминги, кроме вычисляемых в процессе тренировки) хранятся в NVRAM, далее они переносятся через MMIO (Memory-Mapped Input/Output) в MCHBAR. Т.е. когда ПК включен, тайминг tREFI считывается именно из MCHBAR. Причем MRC (Memory Reference Code, по сути алгоритм инициализации памяти) может поменять tREFI еще до MCHBAR, а сам КП может менять tREFI "на лету", динамически, в зависимости от температуры памяти и загруженности шины. И так как в итоговом интервале tREFI участвует куча факторов, а сам tREFI - усредненный (но не средний) интервал, то вот эта "-1" никакого значения на практике - не имеет, если только вы не буквально на границе диапазона (+/- 1 около границы). ИМХО. Для анализа документации Intel (но не для написания итогового текста) использована ИИ Claude Fable 5.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 46
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения