AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2007 Фото: 0
Agiliter писал(а):
СR попробуйте поднять и зафиксируйте CL на 18. CWL 16. проверьте, что плата стартует с таким CL на рабочих частотах.
cr2 стоит, на cr1 вообще не заводится, 4000 идёт на 17-17-17-36, но не стабильно, а 4100 не заводится да же на 22-22-22-42(вольтаж пробовал 1.40-1.47, sa vssio то же крутил). Вообще странно как то старые fury в разгоне на 3200 17-17-17-36(с авто вторичными и третичными) больше флопсов дают чем g.skill 3200 14-14-14-34 с ужатыми таймингами
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Поднять до CR3 попробовать. ПРоверяйте обязательно CL на работоспособность в принципе. Есть сочетания которые не будут работать вообще. Я бы не парился по частоте её так уже много. Лучше попробовать найти минимальные задержки(нс) в рабочем диапазоне. Например 3900 на 17 это у нас 8.72нс, что довольно таки круто. Но если поедет 3800 на 16, то выйдет 8.42нс, что может быть ещё круче. Или 3866 с 16 это уже вообще 8.28нс. Правда вероятно предел где-то в районе 8.5нс на CL у вас. Старые планки были двухранговыми или их было 4 штуки?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2007 Фото: 0
Agiliter писал(а):
Лучше попробовать найти минимальные задержки(нс) в рабочем диапазоне.
ок, спасибо, буду пробовать, вот уже 3й день ищу стабильность)
Agiliter писал(а):
Старые планки были двухранговыми или их было 4 штуки?
Вот такие kingston (hx426c15fb/8) две планки на 3200 17-17-17-36 380флопс, а g.skill 3200 14-14-14-34 310-320 флопс, на 3900 с подкрученными таймингами около 400флопс, но мало как то, такое впечатление что с мамкой что то не так, на схожих конфигах 420-430 флопс. Ещё где то тут видел на такой же мамке у кого то то же ниже значения в аиде и флопсы ниже чем у других
Была установлена оперативка G.Skill 3000 2x8Gb Trident Z (F4-3000C15D-16GTZB). Эта зараза на моей конфигурации не работала даже на заявленном профиле XMP 2933, из игр выбрасывало постоянно, в итоге работала всегда на 2666. На днях была продана.
Приобретен и установлен комплект Kingston HyperX 3466 2х8Gb (hx434c19fw2k2/16). Это топовая память для моей системы, согласно списку совместимости MSI. По даташиту топовый профиль XMP - 3466 при 1.2 вольта при таймингах 19-23-23.... То же самое говорит и MSI для материнки.
1. Правильно ли, если я выставил в биосе 1.2 Вольта на оперативу вручную? 2. Правильно ли будет, если я поправлю тайминг как в даташите? 3. Нужно ли еще что-то менять в БИОС для стабильной работы? (напряжение контроллера памяти процессора, например)
Буду рад конкретным ответам. Спасибо.
_________________ Ryzen 1600 stock Asus Prime B450-Plus HyperX 3466-cl16 (Hynix CJR) Gigabyte 1080 Wf OC Kingston A1000 NVME
Нужно ли еще что-то менять в БИОС для стабильной работы?
нужно забыть про xmp профили и вводить всё ручками. Мне кажется , что и предыдущий комплект мог нормально работать на 3000+ Mhz с вменяемыми таймингами. Качайте dram calculator 1.4.1 , вводите в него информацию про чипы из тайфуна и считайте. Напряжение 1.2 на память для 3000+ ?ну не знаю. Мне вот нужно для Самсунг оем 3200 Mhz напряжение 1.36 V
_________________ Gigabyte b560m aorus pro + 10400f + crucial ballistix 3000cl15 red 2x8 (micron e die)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.07.2018 Фото: 8
Zalewagen тайминги очень большие, снижайте. 3000CL15/3200CL16 и то будет лучше, чем 3466CL19. Напряжение 1.35 В на память вручную поставьте, это 99% безопасно. А вообще опять же, райзен калькулятор в помощь и читать/спрашивать в соотв. теме Процессоры AMD Ryzen 1000-й серии (Summit Ridge\Zen\14nm\AM4).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2011 Откуда: Сочи Фото: 24
Вот в статистику, не моё. и это вообще законно)) :
Поскольку фокус тестов заключался в разгоне, websmile протестировал высокие напряжения с высокими частотами и низкими задержками. G.Skill указывает штатную частоту памяти 4.000 МГц с задержками 17-17-17-37 при напряжении 1,35 В.
Форумчанин websmile смог добиться стабильной частоты 4.200 МГц при тех же задержках и идентичном напряжении профиля XMP. После увеличения напряжения до 1,5 В стали возможны режимы DDR4-4600 CL17-17-17-38 2T и DDR4-4700 C18-18-18-42 2T. После дальнейшего увеличения напряжения удалось достичь и других режимов, а именно DDR4-4000 12-11-11-28 и DDR4-4133 12-11-11-28 2T. Также планки памяти заработали в режиме DDR4-4800 C14-14-14-28.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2011 Откуда: Сочи Фото: 24
miwa при этом если опустить "правдивость" - главное результат достигнут. Тема же именно про результаты разгона, а тут прям нереальные цифры. Да и 4600 при 17 на 1,5в тоже неплохо, наверное)
_________________ R5 5600-NHU14S,ASUS TUF B450M-PRO GAMING,Palit GameRock RTX3080,4x8Gb 3200Mhz CL14,970evo+2Tb,WD Blue m2 sata 500Gb,GPS-500C,FD Meshify C solid
Качайте dram calculator 1.4.1 , вводите в него информацию про чипы из тайфуна и считайте. Напряжение 1.2 на память для 3000+ ?ну не знаю. Мне вот нужно для Самсунг оем 3200 Mhz напряжение 1.36 V
Battlenelf писал(а):
тайминги очень большие, снижайте. 3000CL15/3200CL16 и то будет лучше, чем 3466CL19. Напряжение 1.35 В на память вручную поставьте, это 99% безопасно. А вообще опять же, райзен калькулятор в помощь
спасибо вам! в райзен калькулятор я не смог, видимо не хватает серого вещества))) но штатными средствами биос получилось вот так. думаю, нормальный результат. когда то может еще побалуюсь.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.07.2018 Фото: 8
Zalewagen у меня на интел то же самое, по мониторингу обычно пляшет 1.34-1.36, хотя стоит 1.35. Только протестируйте результат как следует, тм5, prime95 blend, играми с открытым миром.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.03.2007 Откуда: Москва
KXM писал(а):
Подскажите, прикупил память Crucial Ballistix Tactical DDR4 2x8Gb (BLT2C8G4D30AETA) и, честно говоря, разгонный потенциал не радует, а именно, данная память на чипсете Z390 берет стабильно только свой обещанный номинал, т.е. 3000 15-16-16-35 при 1.35 В (материнка завышает до 1.368 В), пробовал поставить 3200 16-16-16-38 при том же напряжении - БСОД при первой же серьезной нагрузке. Это мне такая мега неудачная память попалась или я что-то делаю не так?
miwa писал(а):
да память из рода вон-ужасная-радуйся, что она на 3000 работает хз-что из нее можно выжать это 3333 частоту -с завышением напруги больше 1,4в, или тайминги нужно задирать за 20 там даже хз какие чипы стоят. Typhoon Burner--ее не определяет у тебя?
Вернулся к теме разгона этой памяти и что-то мне вздумалось выставить тайминги как в SPD у Elite 3200/3466 версий, т.е. 16-18-18-36 и, в итоге, память заработала на 3200 и даже на 3466 (долго тестировать, правда, не стал, оставил на 3200), выше пока не пробовал. Все это на 1.35 В. Получается, чипы Samsung E-Die в этих плашках очень чувствительны к низким таймингам. Правда, в AIDA64 сильного прироста производительности между 3000 15-16-16-35 и 3466 16-18-18-36 не узрел, скорость записи и копирования чуть-чуть возросла а результаты L1, L2, L3 кэшэй, соответственно, гуляют в ту и другую сторону от случая к случаю примерно одинаково. Может быть не там смотреть надо было.
равда, в AIDA64 сильного прироста производительности между 3000 15-16-16-35 и 3466 16-18-18-36 не узрел, скорость записи и копирования чуть-чуть возросла ...
для увеличения скоростей (чтения памяти) нужно подкручивать тайминги вторичные и третичные, само собой на авто они выставились больше при частоте 3466 нежели при 3000 поэтому и прироста с гулькин нос, хочешь выше скорость и безошибочную работу придется потратить время на их подкрутку
_________________ Coffee Lake i7-8700K ; GeForce® RTX 2070 SUPER™ GRP ; Windows 10 LTSC_x64 ASUS TUF Z390-PRO Gaming ; DDR4-3600, 2x16ГБ Sumsung M378A2K43CB1-CRC
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.03.2007 Откуда: Москва
nikqz сильно заморачиваться не хочу, т.к. представляю, что с моими планками это дело очень муторное а, по сути, не верю, что получу хоть какой-то значимый прирост в реальных приложениях. Добавил результаты 3000 15-16-16-35 и 3466 16-18-18-36:
Сейчас этот форум просматривают: heonic, HertZ, KrAzY и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения