AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
fly1ngh1gh писал(а):
Не знал что частота 4400Mhz переваривает низкие вторичные и третичные(rdrd_sg/wrwr_sg) тайминги, так и еще получилось относительно не плохо скинуть вольтажи vdram/io/sa 4400Mhz
А смысл с этого при CL19 ? У меня 4400 едут с CL17(17-19-19-39) и то имхо жирно. Вольтаж требует 1.465
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.12.2014 Фото: 55
Cyborg39rus Сравнит эти два варианта, что будет производительней. Надо же как-то скуку заполнить)
Cyborg39rus писал(а):
У меня 4400 едут с CL17(17-19-19-39)
А сам используешь частоту 4300 с CL 17-18-18?
Cyborg39rus писал(а):
и то имхо жирно
А с чего ты взял, что это прям жирные такие первичные тайминги для частоты 4400-4500Mhz? Это же все-таки не маленькая частота.... Или ты только такое признаешь?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.11.2007 Откуда: Вавилон-5 Фото: 0
miwa писал(а):
а если проц 4,7гг и оперативка 3200-и 501 гфлопс-вот тут вопрос как?
Низкие первичные тайминги тоже рулят, не только вторички, у меня на 3300 было 475, и это были 17-19-19-38, а если у него 3200 при 14-14-14-30 да еще в CR1 то вполне реально. Вчера тоже запустился на CR1, проц скинул до 4.8 и при 3600 флопсы перевалили за 500, почти то же что и на 4000 CR2 вышло. На 3800 было уже 515, latency до 38 упала. Короче настраивать надо, и лучше в CR1.
_________________ Вот котелок, кипит на огне, места в нем хватит Лондо и мне.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.08.2008 Откуда: Ростов-на-Дону Фото: 11
Винни-Пух писал(а):
Удали его и распакуй из архива заново
удалял
Igor-Igor писал(а):
Новая версия конфига для testmem5 - extreme (также от anta777) Увеличилось время тестирования за счет замены 0 теста (он и так запускается перед простым тестом) на другую комбинацию простых тестов.
кароче хрень какая-то а не тест (конфиг)... вот так и проверяй стабильность
_________________ 7800X3D • Asus X670E-F Gaming • 2x16Gb 6200 MHz CL30 • RTX 4070 Ti GameRock Classic OC • 27" Asus PG279Q • Win 10 LTSC x64 21H2
Последний раз редактировалось MilligramSmile 02.08.2019 15:21, всего редактировалось 2 раз(а).
блин ребят, я счас заплачу ей богу вроде уже подходил к цели дошел до 15-19-15-15-35 без поднятия напряжения проходил и memtest на 100% и testmem 5 без ошибок потом забыл флешку в порте, с которой комп не стартует, вытащил, включаю, черный экран теперь комп не запускается даже 16-20-18-39
А какие вторички/третички и другие настройки были на cl15? А то у меня такой же проц и оператива.
Вторички были на авто Их думал либо вообще не трогать, либо позже заняться
_________________ B550Elite/Ryzen9/SapphireRX5700Pulse/32gbE-Die/2x512NVMESSD/OCZ700W Подробнее в профиле
miwa приветствую)...я до настройки вторичек пытался в CR1 запустить (как anta777 писал здесь)- не завелась(....какие причины могут быть?...вроде все по феншую) стоит мне со своими плашками заморачиваться?
_________________ 9700K @4.9-4.7Mhz AVX 1.3v // Corsair CMR16GX4M2Z3200C16, 3800Mhz 16-16-16-34// Asus Hero XI(WiFi)//RTX2070-O8G-GAMING//SSD 970 PRO NVMe M.2 512/
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Просто люди не хотят читать, что у меня в конфиге выставлен размер окна максимальным 1536, чтобы быстрее проходило тестирование. Не на всех конфигурациях железа это работает. Нужно самому уменьшать размер окна до тех пор, пока не произойдет запуск без ошибок. Снижать по 64.
Короче не смог я выжать на своей системе из микронов 3600 при приемлемых таймингах CL 15 взял, остальные около 20ти Может дело в том, что две планки всего, для одноранговой желательно 4 + мать моя скорее всего т-топологии(кто-нить в курсе, где можно узнать точно), на них тоже 4 вроде надо Но на 3400 показатели неплохие 14—18—14—14—54 1Т при 1.42В на SOC 1.1В Кто хорошо шарит, подскажите еще по остальным таймингам Я выставил из калькулятора, но там, где у меня были меньше оставил в авто Такие параметры как procODT, RTT..., CAD_BUS...вообще не трогал Всё ли я правильно сделал? Тесты проходят без ошибок
_________________ B550Elite/Ryzen9/SapphireRX5700Pulse/32gbE-Die/2x512NVMESSD/OCZ700W Подробнее в профиле
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.04.2017 Фото: 0
hynix M в составе трайдент dram voltage 1.45v, vvcio 1.2v, vccsa 1.225v mode 2, cr1, dram clk period 5 #77 если это перенести на 8700к 5000мгц/4700 ring, то будет меньше 40нс
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Про количество планок и ранги. 1. Увеличение количества планок, даже с 1 к 2, увеличивает нагрузку на контроллер памяти. На любой системе, с любой топологией платы, всегда. 2. Чем больше планок или рангов на канал тем лучше параллелизм некоторых операций. Прирост не бесконечен, не во всём, уменьшается с каждой планкой\рангом. Теоретически 4 планки или 2 планки и 2 ранга уже сводят на нет часть подобного прироста. 4 планки по 2 ранга... я не уверен, что оно того стоит. Обратите внимание не количество каналов памяти, а количество модулей памяти на канал. Количество каналов конечно замечательно, но никто не продаёт больше 2 за вменяемые деньги... 3. Т-топология улучшает разгон 4 планок, но не делает его лучше чем 2. Всё это гарантирует, что память ТОЧНО гонится хуже с увеличением её количества, но при этом необязательно ухудшается производительность. Если она гонится лучше, то это лишь значит, что плата использует не оптимальные параметры на двух планках.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
Agiliter писал(а):
. Т-топология улучшает разгон 4 планок, но не делает его лучше чем 2.
Нет. На Z390 и z370 4 планки в "Т" однозначно лучше со стороны платы, если только у вас не совсем паршивый камень. На zen1 и Zen+ делает хуже. На Zen2 нужно тестировать.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения