AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.09.2010 Откуда: Уфа
Прошу помощи, сам не могу разобраться. Взял на замену профильной памяти 2x8gb Samsung M378A1G43TB1-CTD (47 неделя 18 года, T-die, двуранг) 3333@18-19-19-36-1T стабильна. Иду далее, загружаюсь 3466. Тест аида64 показывает увеличение скорости чтения, но запись и копирование падают значительно. Загружаюсь 3600@20-20-20-40, тоже самое. Повышаю тайминги и понижаю частоту обратно, 3333@21-21-21-40, скорость стала выше чем на 3600. Получается на частотах свыше 3333 падает скорость записи и копирования. Я не понимаю что происходит.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.04.2017 Фото: 3
Battlenelf писал(а):
ne0n41k SA/IO сколько? Ставьте 1.25/1.20 и пробуйте, на память разумеется 1.35 В.
Спасибо, пока не понимаю где эти значения искать, но вечером за компом поищу
Victor91rus писал(а):
Возможно потолок платы, или кривой биос. Стоит попробовать CR2
С CR-2 естественно пробовал, тоже не берет 3700 ни в какую. Неужели из нее все соки на заводе выжали? Запаса никакого. Ясно, что чипы чем дальше тем поганее попадпются, но на 100-200MHz она просто обязана гнаться без повышения таймингов. Отсюда и 3 причины: 1) Криворукий Я 2) Память на хваленом b-die абсолютно не гонится. 3) Материнка Gigabite чудит.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.04.2017 Фото: 3
Victor91rus писал(а):
Там же где и другие напряжения. Если вы их не крутили, то может из-за них
Для изменений настройки вольтажа DRAM У меня в биосе только эти настройки:
Dram Voltage (CH A/B) - auto (пробовал менять на 1,400 бесполезно) Dram Training Voltage (CH A/B) - auto DDRVPP Voltage (CH A/B) - auto Dram Termination (CH A/B) - auto
SA/IO я так понимаю в настройках вольтажа CPU, там и буду искать.
Еще мне посоветовали Dram Training Voltage (CH A/B) - 1,5 попробовать поставить норм? Не сгорит?
Добрый день форумчане, возник вопрос, была одна планка самсунга на 8г, разогнал ее до 3200 на 16-18-18-18-36, прикупил еще одну такую же, в итогу система отказывается стартовать и грузит стандартный профиль в 2400, приблема решилась сразу как поставил тайминг 17-18-18-18-36. Подскажите в чем прикол и что можно попробовать сделать?)
_________________ ASRock B450 Gaming K4 | AMD Ryzen 5 2600 | GTX 1070 JetStream | Be Quiet SYSTEM POWER 9 700W | Samsung 8x2 3200 | Zalman N3
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.01.2007 Откуда: default city Фото: 94
elek писал(а):
Вчера получил 2 планки самсунга по 16 гигов M378A2K43BB1-CRC.
Пока удалось достичь такого разгона.
Вложение:
DDR_3400_aida.png
Не знаю, стоит ли ковырятся ещё, снижать тайминги и частоту или оставить как есть. Опыта разгона ddr4 нет вообще
стоит попробуй добиться 3200 16-17-17-34 с отключенными GDM и PDM я выжимал с такими параметрами из OEM B-die как у тебя 72ns, смотри фаст профиль из калькулятора.
стоят в слотах А2 В2 вроде так правильно называть, напряг 1,35 как по калькулятору. по калькулятору пишет что и 3333 можно поставить без смены таймингов но система вообще не стартует
_________________ ASRock B450 Gaming K4 | AMD Ryzen 5 2600 | GTX 1070 JetStream | Be Quiet SYSTEM POWER 9 700W | Samsung 8x2 3200 | Zalman N3
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
#77 9900k+asus xi gene z390 RAM 1.450 Vsio 1.243 Vsao 1.296 Это 24/7 так молотит, а не на 5 минут ради теста. То есть стабильно везде. 17-17-17-28 едет на 1.490, но питание жирноватое
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.12.2014 Фото: 55
Hub1 писал(а):
3333@18-19-19-36-1T стабильна. Иду далее, загружаюсь 3466. Тест аида64 показывает увеличение скорости чтения, но запись и копирование падают значительно.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.09.2010 Откуда: Уфа
fly1ngh1gh Спасибо большое! Никогда бы сам не догадался, что третичный тайминг в авто 25% скорости убавит. На данный момент вот такие тайминги настроил. Может что-то еще посоветуете изменить?
Update: со скоростью теперь все в порядке, но изменив twrwr_dg на 4 теперь ошибки в TestMem5. Какие тайминги можно подкрутить, чтобы избавиться от ошибок?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
Hub1 Если он вызывает ошибку, то поставить 5 или накинуть напряжение. А вообще, в "авто" эту группу таймингов лучше не оставлять.
Alexshanghai писал(а):
брал такую память от g.skill? она гонится? или это дно?
и вот еще вариант чуть по дороже, но тайминги чуть приличней...
В тех джискиллах должен быть неплохой CJR. А в HyperX можно нарваться на уступающий по качеству sec b-die, или же вообще hynix m-die. На сайтах и упаковках могут не указывать trcd-trp, и сами понимаете, что 3600с17 с 17-18-18 и с 17-21-21 это не одно и то же.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.01.2015 Откуда: Белгород Фото: 70
Cyborg39rus писал(а):
9900k+asus xi gene z390 RAM 1.450 Vsio 1.243 Vsao 1.296
у вас такие же результаты как у меня на 4200-4300 1,48 да и TestMem5 v0.12 не показатель,у меня может очень долго без ошибок крутить,но стоит поиграть в BF5 раунда 3-4 dx12 и вылет без ошибок,прогоняешь обратно TestMem5 сыпет ошибки.Быстрее всего выявляет Apex тоже вылет без ошибок,так что TestMem5 не показатель на 100%
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
foetopsy писал(а):
у вас такие же результаты как у меня на 4200-4300 1,48 да и TestMem5 v0.12 не показатель,у меня может очень долго без ошибок крутить,но стоит поиграть в BF5 раунда 3-4 dx12 и вылет без ошибок,прогоняешь обратно TestMem5 сыпет ошибки.Быстрее всего выявляет Apex тоже вылет без ошибок,так что TestMem5 не показатель на 100%
1. На более низкой частота можно более лояльно крутить тайминги + я свои утянул не до предела. 2. То что мем тест это шляпа, я уже знаю. У меня основным тестом выступает Division с мин настройками и разлочкой FPS. Если 4 часа отыграю без выпадов игры, то 99% что стабильно.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения