Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4!
tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант.
Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).

SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение.
IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать.
Тоже растет с ростом частоты памяти.
Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.

Универсальный гайд.
0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто.
1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти".
Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода.
CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.

Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD.
RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше.
CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20.
RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла.
RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется.
Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел.
Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S.
CKE=5
СCDL>=4
RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память.
RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG.
WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать.
WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет.
RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру.
Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится.
Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом.
RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...

Актуальные (последние) версии:
TableDRAMIntel(simple3nov2020+simple12oct2020+обычная)
http://bit.ly/3rTIBLv
http://bit.ly/3nWJlxB
http://bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme+absolut)
http://bit.ly/2Oe8R00 - суперлайт
http://bit.ly/2H9jIZH - универсальный
http://bit.ly/2MUvl6n - экстремальный
http://bit.ly/3D9TUnD - абсолют
http://bit.ly/3STH2wx - новый для интела и DDR5
http://bit.ly/3wedj8U - новый для Ryzen3D и DDR5
Тяжелый
http://bit.ly/35eKfeJ

VDDDQ=1.5 V max по Jedec
VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq.
То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec.
А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V.
Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно

https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17484594#p17484594
На OCN есть методика их подбора с помощью Passmark memtest86, использовать только 8-й тест.

Below are the typical tRFC in ns for the common ICs:
IC tRFC (ns)
Hynix 8Gb AFR 260 - 280
Hynix 8Gb CJR 260 - 280
Hynix 8Gb DJR 260 - 280
Micron 8Gb Rev. E 280 - 310
Micron 16Gb Rev. B 290 - 310
Samsung 8Gb B-Die 120 - 180
Samsung 8Gb C-Die 300 - 340

#77
#77
#77
Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки.
Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят)
На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.

1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO.
2.Включить в биосе Round Trip Latency.
3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.

https://docs.google.com/document/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/edit?usp=sharing
https://docs.google.com/document/u/0/d/1QacU405kVV10-qBdrqQKOY0v-FKlBFpLcEDn0QpriSE/mobilebasic на русском
Мобильная версия
https://docs.google.com/document/u/0/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/mobilebasic

GSAT- https://drive.google.com/file/d/1iCj0-jQIXIlo_Zvm5jO949ZH9fClTNF3/edit
для длинных тестов добавил параметр "--pause_delay" чтоб периодически не отключались потоки

[2019/08/17 15:44:02]
Ai Overclock Tuner [Auto]
Memory Frequency [DDR4-3733MHz]
FCLK Frequency [Auto]
CPU Core Ratio [Auto]
TPU [Keep Current Settings]
Performance Bias [Auto]
VDDCR CPU Voltage [Auto]
VDDCR SOC Voltage [Auto]
DRAM Voltage [1.38000]
CLDO VDDG voltage [Auto]
1.05V SB Voltage [Auto]
2.5V SB Voltage [Auto]
CPU 1.80V Voltage [Auto]
VTTDDR Voltage [Auto]
VPP_MEM Voltage [Auto]
VDDP Standby Voltage [Auto]
VDDCR CPU Load Line Calibration [Auto]
VDDCR CPU Current Capability [100%]
VDDCR CPU Switching Frequency [Auto]
VRM Spread Spectrum [Disabled]
VDDCR CPU Power Duty Control [T.Probe]
VDDCR CPU Power Phase Control [Standard]
VDDCR SOC Load Line Calibration [Auto]
VDDCR SOC Current Capability [100%]
VDDCR SOC Switching Frequency [Auto]
VDDCR SOC Power Phase Control [Standard]
Target TDP [Auto]
DRAM CAS# Latency [16]
Trcdrd [16]
Trcdwr [16]
DRAM RAS# PRE Time [16]
DRAM RAS# ACT Time [32]
Trc [50]
TrrdS [6]
TrrdL [8]
Tfaw [24]
TwtrS [5]
TwtrL [14]
Twr [14]
Trcpage [Auto]
TrdrdScl [4]
TwrwrScl [4]
Trfc [325]
Trfc2 [Auto]
Trfc4 [Auto]
Tcwl [16]
Trtp [8]
Trdwr [8]
Twrrd [3]
TwrwrSc [1]
TwrwrSd [7]
TwrwrDd [7]
TrdrdSc [1]
TrdrdSd [5]
TrdrdDd [5]
Tcke [1]
ProcODT [Auto]
Cmd2T [Auto]
Gear Down Mode [Auto]
Power Down Enable [Auto]
RttNom [Auto]
RttWr [Auto]
RttPark [Auto]
MemAddrCmdSetup [Auto]
MemCsOdtSetup [Auto]
MemCkeSetup [Auto]
MemCadBusClkDrvStren [Auto]
MemCadBusAddrCmdDrvStren [Auto]
MemCadBusCsOdtDrvStren [Auto]
MemCadBusCkeDrvStren [Auto]
CLDO VDDP voltage [Auto]
Precision Boost Overdrive [Manual]
PPT Limit [100]
TDC Limit [Auto]
EDC Limit [Auto]
Precision Boost Overdrive Scalar [Auto]
Max CPU Boost Clock Override [Auto]
Platform Thermal Throttle Limit [Auto]
Security Device Support [Enable]
SHA-1 PCR Bank [Enabled]
SHA256 PCR Bank [Enabled]
SHA384 PCR Bank [Disabled]
SM3_256 PCR Bank [Disabled]
Pending operation [None]
Platform Hierarchy [Enabled]
Storage Hierarchy [Enabled]
Endorsement Hierarchy [Enabled]
TPM2.0 UEFI Spec Version [TCG_2]
Physical Presence Spec Version [1.3]
TPM Device Selection [Discrete TPM]
Erase fTPM NV for factory reset [Enabled]
PSS Support [Enabled]
NX Mode [Enabled]
SVM Mode [Enabled]
SMT Mode [Auto]
Core Leveling Mode [Automatic mode]
Aggresive SATA Device Sleep Port 0 [Disabled]
Aggresive SATA Device Sleep Port 1 [Disabled]
XHCI GEN1 [Auto]
XHCI GEN2 [Auto]
USB Equalization4 [Auto]
USB Redriver [Auto]
PCIE PORT 0 [Auto]
PCIE PORT 1 [Auto]
PCIE PORT 2 [Auto]
PCIE PORT 3 [Auto]
PCIE PORT 4 [Auto]
PCIE PORT 5 [Auto]
PCIE PORT 6 [Auto]
PCIE PORT 7 [Auto]
GPP Clock 0 Force Output [Auto]
GPP Clock 1 Force Output [Auto]
GPP Clock 2 Force Output [Auto]
GPP Clock 3 Force Output [Auto]
GPP Clock 4 Force Output [Auto]
GPP Clock 5 Force Output [Auto]
GPP Clock 6 Force Output [Auto]
GPP Clock 7 Force Output [Auto]
SATA PORT 0 Enable [Auto]
SATA PORT 1 Enable [Auto]
SATA PORT 2 Enable [Auto]
SATA PORT 3 Enable [Auto]
SATA PORT 4 Enable [Auto]
SATA PORT 5 Enable [Auto]
SATA PORT 6 Enable [Auto]
SATA PORT 7 Enable [Auto]
Onboard PCIE LAN PXE ROM [Enabled]
Primary Video Device [PCIE Video]
Hyper kit Mode [Disabled]
SATA Port Enable [Enabled]
SATA Mode [AHCI]
NVMe RAID mode [Disabled]
SMART Self Test [Enabled]
Hot Plug [Disabled]
Hot Plug [Disabled]
Hot Plug [Disabled]
Hot Plug [Disabled]
Hot Plug [Disabled]
Hot Plug [Disabled]
Hot Plug [Disabled]
Hot Plug [Disabled]
ErP Ready [Disabled]
Restore AC Power Loss [Power Off]
Power On By PCI-E [Disabled]
Power On By Ring [Disabled]
Power On By RTC [Disabled]
HD Audio Controller [Enabled]
PCIEX16_1 Bandwidth [Auto Mode]
PCIEX16_2 Bandwidth [X8 Mode]
PCIEX16_3 4X-2X Switch [Auto]
Asmedia USB 3.1 Controller [Enabled]
RGB LED lighting [Enabled]
In sleep, hibernate and soft off states [On]
Intel LAN Controller [Enabled]
Intel LAN OPROM [Disabled]
USB power delivery in Soft Off state (S5) [Disabled]
USB Type C Power Switch for USB3_C7 [Auto]
Serial Port 1 [Enabled]
Change Settings [IO=3F8h; IRQ=4]
SR-IOV Support [Disabled]
Relaxed Ordering [Enabled]
Extended Tag [Disabled]
No Snoop [Enabled]
Maximum Payload [Auto]
Maximum Read Request [Auto]
ASPM Support [Disabled]
Extended Synch [Disabled]
Link Training Retry [5]
Link Training Timeout (uS) [1000]
Unpopulated Links [Keep Link ON]
Network Stack [Disabled]
Debug Port Table [Disabled]
Debug Port Table 2 [Disabled]
Legacy USB Support [Enabled]
XHCI Hand-off [Enabled]
USB DRIVE 2.00 [Auto]
USB Device Enable [Enabled]
USB3_1 [Enabled]
USB3_2 [Enabled]
USB3_3 [Enabled]
USB3_4 [Enabled]
USB3_9 [Enabled]
USB3_10 [Enabled]
USB3.1_C1 [Enabled]
USB3_C7 [Enabled]
USB3_5 [Enabled]
USB_1 [Enabled]
USB_2 [Enabled]
USB_3 [Enabled]
USB_4 [Enabled]
CPU Temperature [Monitor]
MotherBoard Temperature [Monitor]
PCH Temperature [Monitor]
T_Sensor Temperature [Monitor]
CPU Fan Speed [Monitor]
CPU Optional Fan Speed [Monitor]
Chassis Fan 1 Speed [Monitor]
Chassis Fan 2 Speed [Monitor]
W_PUMP+ Speed [Monitor]
AIO_PUMP Speed [Monitor]
VDDCR CPU Voltage [Monitor]
3.3V Voltage [Monitor]
5V Voltage [Monitor]
12V Voltage [Monitor]
CPU Q-Fan Control [Auto]
CPU Fan Smoothing Up/Down Time [0 sec]
CPU Fan Speed Lower Limit [600 RPM]
CPU Fan Profile [Manual]
CPU Upper Temperature [60]
CPU Fan Max. Duty Cycle (%) [100]
CPU Middle Temperature [50]
CPU Fan Middle. Duty Cycle (%) [75]
CPU Lower Temperature [40]
CPU Fan Min. Duty Cycle (%) [25]
AIO_PUMP/W_PUMP+ Control [Disabled]
Chassis Fan 1 Q-Fan Control [Auto]
Chassis Fan 1 Q-Fan Source [CPU]
Chassis Fan 1 Smoothing Up/Down Time [0 sec]
Chassis Fan 1 Speed Low Limit [600 RPM]
Chassis Fan 1 Profile [Standard]
Chassis Fan 2 Q-Fan Control [Auto]
Chassis Fan 2 Q-Fan Source [CPU]
Chassis Fan 2 Smoothing Up/Down Time [0 sec]
Chassis Fan 2 Speed Low Limit [600 RPM]
Chassis Fan 2 Profile [Standard]
Fast Boot [Enabled]
Next Boot after AC Power Loss [Normal Boot]
Boot Logo Display [Auto]
POST Delay Time [3 sec]
Boot up NumLock State [Enabled]
Wait For 'F1' If Error [Enabled]
Option ROM Messages [Force BIOS]
Interrupt 19 Capture [Disabled]
Setup Mode [Advanced Mode]
AMI Native NVMe Driver Support [Disabled]
Launch CSM [Enabled]
Boot Device Control [UEFI and Legacy OPROM]
Boot from Network Devices [Legacy only]
Boot from Storage Devices [Legacy only]
Boot from PCI-E Expansion Devices [Legacy only]
OS Type [Other OS]
Setup Animator [Disabled]
Load from Profile [7]
Profile Name [3733stab]
Save to Profile [1]
Bus Interface [PCIEX16_1]

Manufacturing Description
Module Manufacturer: G.Skill
Module Part Number: F4-3600C15-8GTZ
Module Series: Trident Z
DRAM Manufacturer: Samsung
DRAM Components: K4A8G085WB-BCPB
DRAM Die Revision / Lithography Resolution: B / 20 nm
Module Manufacturing Date: Undefined
Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan
Module Serial Number: 00000000h
Module PCB Revision: 00h
Physical & Logical Attributes
Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM
Module Speed Grade: DDR4-2133
Base Module Type: UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity: 8192 MB
Reference Raw Card: A1 (8 layers)
Initial Raw Card Designer: SK hynix
Module Nominal Height: 31
Module Thickness Maximum, Front: 1
Module Thickness Maximum, Back: 1
Number of DIMM Ranks: 1
Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
DRAM Device Package: Standard Monolithic
DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA
DRAM Device Die Count: Single die
Signal Loading: Not specified
Number of Column Addresses: 10 bits
Number of Row Addresses: 16 bits
Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups)
DRAM Device Width: 8 bits
Programmed DRAM Density: 8 Gb
Calculated DRAM Density: 8 Gb
Number of DRAM components: 8
DRAM Page Size: 1 KB
Primary Memory Bus Width: 64 bits
Memory Bus Width Extension: 0 bits
DRAM Post Package Repair: Supported
Soft Post Package Repair: Supported
DRAM Timing Parameters
Fine Timebase: 0,001 ns
Medium Timebase: 0,125 ns
CAS Latencies Supported: 10T, 11T, 12T, 13T,
14T, 15T, 16T
DRAM Minimum Cycle Time: 0,938 ns
DRAM Maximum Cycle Time: 1,600 ns
Nominal DRAM Clock Frequency: 1066,10 MHz
Minimum DRAM Clock Frequency: 625,00 MHz
CAS# Latency Time (tAA min): 13,750 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,750 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,750 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 33,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 46,750 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 350,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 260,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 160,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,700 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 5,300 ns
Write Recovery Time (tWR min): 15,000 ns
Short Write to Read Command Delay (tWTR_S min): 2,500 ns
Long Write to Read Command Delay (tWTR_L min): 7,500 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,625 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min): 21,000 ns
Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes
Thermal Parameters
Module Thermal Sensor: Not Incorporated
Integrated Temperature Sensor
Manufacturer: Giantec
Model: GT34TS04
Revision: 01h
Temperature Monitor Status: Active
Current Ambient Temperature: 34,500°C
Sensor Resolution: 0,2500°C (10-bit ADC)
Accuracy at 75°C to 95°C: ±1°C
Accuracy at 40°C to 125°C: ±2°C
Open-drain Event Output: Disabled
10V of VHV on A0 pin: Supported
Negative Temperature Measurements: Supported
Interrupt capabilities: Supported
SPD Protocol
SPD Revision: 1.1
SPD Bytes Total: 512
SPD Bytes Used: 384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 242Dh (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): A01Ch (OK)
Part number details
JEDEC DIMM Label: 8GB 1Rx8 PC4-2133-UA1-11
Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL WR WTRS WTRL FAW
1067 MHz 16 15 15 36 50 4 6 16 3 8 23
1067 MHz 15 15 15 36 50 4 6 16 3 8 23
933 MHz 14 13 13 31 44 4 5 14 3 7 20
933 MHz 13 13 13 31 44 4 5 14 3 7 20
800 MHz 12 11 11 27 38 3 5 12 2 6 17
800 MHz 11 11 11 27 38 3 5 12 2 6 17
667 MHz 10 10 10 22 32 3 4 10 2 5 14
Intel Extreme Memory Profiles
Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enables: Yes
Profile 2 (Extreme) Enables: No
Profile 1 Channel Config: 2 DIMM/channel
XMP Parameter Profile 1 Profile 2
Speed Grade: DDR4-3604 N/A
DRAM Clock Frequency: 1802 MHz N/A
Module VDD Voltage Level: 1,35 V N/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,555 ns N/A
CAS Latencies Supported: 15T N/A
CAS Latency Time (tAA): 8,174 ns N/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 8,174 ns N/A
Row Precharge Delay Time (tRP): 8,174 ns N/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS): 19,375 ns N/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 27,749 ns N/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW): 24,000 ns N/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 3,500 ns N/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 5,000 ns N/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 350,000 ns N/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 260,000 ns N/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 160,000 ns N/A
{Show delays in clock cycles}