oltt peak bw 100? Так и юзаеш сотку?

нее.. - авто Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17033583

Как авто? Там же числовое значение?
OLLT Peak BW Allows you to set the peak allowed bandwidth for OLTT. This is in percentage and valid offset values is from 25-100
или ты имееш ввиду по дефольту? 25 помоему

хех хе эт я перепутал с ODT но там в картинках есть и про OLTT(50)

Добавлено спустя 1 час 52 минуты 56 секунд:
Я ориентирусь по этим картинкам... Или уже не актуально?

актуально, чутка там ток подправилось https://yadi.sk/d/UDPjeKV-zh9KUQ?w=1 ←
картинки имелись ввиду эти← а ссылка была выше↑

Спасибо старина.. Поиграю Значит OLLT Peak BW таки 50...

Добавлено спустя 1 час 42 минуты 21 секунду:
На 2133 всеравно ошибки проскакивают в стрес тесте, на 1866 нормально... Хотя я илюзий не питал, так юзаю дешманский самсунг 1333 ECC REG... Меня и 1866 устроит... 32 Гб за 47 баксов меня устраивает и на 1866

туда(2133) не всякая 8gb ECCREG 2Rx4 1600&1.35 и 1866&1.5 DDR3 заходит в 4х канале , а если заходит, то в следующую загрузку/перезагрузку может и не зайти в неё (безошибочность)

Всем доброго времени суток. Ребят прошу тапками не кидаться, поиском искал но инфы много ещё перевариваю...
Имею следующий конфиг: ЦП - Xeon 2678v3, Motherboard - Huananzhi X99-TF, ОЗУ - 4x8Gb Samsung ECC REG 1333.
Биос прошил от уважаемого v111 (BIOS от YNUS x99-TF c андервольтингом 70-50-50). Память разогнал до частоты 2133 но в таймингах особо не шарю так посмотрел пару гайдов, но без особого понимания выставил 11-11-11-26 tRfc210 память вроде завелась тесты стабильности проходит, но есть сомнения что я что то не то выставил... подскажите ничего докручивать не надо, или первичку может я не правильно взял... короче буду рад комментариям местных знатоков, скрины по памяти прилагаю.

whea глянь для начала Китайский LGA2011 (Huanan X79 2.XX, X79Z 2.Xx, YW-X79-E, G218a, x79-m, ms-7777, 3.2x, 3.3A, 3.5a-c) #16933654 когда тесты стабильности проходишь.

глянул, и в правду посыпали ошибки...


расскажи подскажи, куда копать какие тайминги править и на что опираться???

не знаю, чего, как и чем тестишь, но в HWINFO ещё и температуру плашек желат отслеживать. Копать тебе желат в таких https://yadi.sk/d/UDPjeKV-zh9KUQ?w=1 настройках и как вариант чтот из этого https://yadi.sk/d/FsG_mMYQ0S62xA ряда биосов например TF208170-60-40-0-1.8forOnlyDDR3optall_2133.rom где всё внесено. На этом биосе ECCREG не работает и все ошибки будут в прогах тестировщиках. Также помогает поперемещать плашки местами между собой а ля Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #17068385 и далее там. Например из последнего, на 1366платформе с 3х8Gb@2100(8-9-10-22), решил поменять местами планки стоящие в первом и последнем слоте(не трогая средний) и получил, что для безошибочности нужно 1.7v, а если не менять 1.66v

Всех приветствую!

Материнка: QIYIDA X99 v102 (aka Маchinist X99 v102)
Проц: Intel Xeon E5 2630L V3
Память: ANKOWALL DDR4 4GB 2133MHZ x 4 шт.

BIOS прошил с анлоком таймингов памями, анлоком турбобуста и андервольтингом процессора на 50 единиц - всё работает стабильно, в том числе на стресс-тестах. Тайминги памяти установил такие (при меньших - сразу проблемы):
11-11-11-31
Память работает на частоте 1867 Mhz (процессор больше не поддерживает).

Вопрос по поводу Command Rate. Что лучше установить: 1N, 2N или 3N?
В интернете пишут что лучше 1N, но когда устанавливаю её - утилита CPU-Z показывает что у проца отсутствует разгон (сначала подумал что сбрасывается турбобуст, но aida64 в тестах показывает что он есть + по рабочей частоте проца под нагрузкой видно что работает на 2.7 Ггц при изначальных 1.8 Ггц).

Скрины из CPU-Z прилагаю: на первом 3N, на втором 1N (на 3N виден разгон у процессора + CPU Multiplier выше, в отличие от 1N)

#77 #77

Это глюки самого CPU-Z и можно не обращать внимание или лучше установить 3N чтобы всё правильно определялось и работало?

1N и частоту смотреть не на таких скринах ибо работают энергосберегайки и берётся значение при начале теста.
по памяти же можешь попробовать(забивать в биосе) 10-11-11-25-10-0-4-5-3-16-36-10 и рефреш 32512
потом глядеть в асроке/аиде Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #16815306 сколько выставило tRFC=0(=авто) и если всё норм потом снижать, чтоб число было кратно 8.

У меня процессор v4 и пара планок ECC-памяти Samsung на 2400 МГц, которые, судя по всему, не берут CL меньше 16.
Иными словами, на 16-16-16-39 все работает, а на 15-15-15-35 в стресс-тесте уже медленно копятся WHEA.

Путем перебора было обнаружено, что по крайней мере 16-12-12-32 точно работает без ошибок, но перекос с высоким CAS смотрится как-то странно.



С этим еще что-то можно сделать, или уже приехали?
Я так понимаю, что если в перспективе докупить еще пару таких же модулей, то с таймингами станет еще хуже?

1. подбирать надо так, чтоб как минимум первый(tCL) тайминг с последним(tCWL) ровнялся(либо пониже чутка (tCWL=tCL-1), тогда можешь и пониже ходить по первому таймингу Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17041508
2. рефреш же=32512 поставь лучше. tRFC=288 соотв пока не трогай, а по уму их обоих в ноль(авто) в биосе и тогда подбирать тайминги, потом уже стремится к 32512 и к мин. по tRFC
3. Тайминги показывай(на будущее) - аида+желательно асрок => Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #16815306
4. будет такая же память - будут такие же тайминги ибо 2400 не высокая частота, для v4 так и вообще детская.

Я тестировал разгон памяти, и для себя понял что 0 это далеко не авто режим.
У меня до этого была ASUS ROG и там Авто режим это значит что значение тайминга рассчитывалось по формуле. А тут при 0 читается из SPD.
Учитывая что многие тайминги сильно между собой связаны и зависят друг от друга, лучше ничего в 0 не оставлять.

Вот чего удалось добиться:



Такие высокие тайминги потому что одна планка работает стабильно только на них. Вторая планка берет 11(CL)-12-12.
Советовать эту память не буду т.к. на мой взгляд память с базовым tRFC 374 плохо подходит для наших контролеров памяти.
Если для AMD tREFI можно без проблем поставить 65536 то у нас предел 32767.
Оба эти тайминга идут в паре, по сути tREFI говорит что каждые 32767 работа памяти приостанавливается на tRFC что бы обновить заряд в ячейках памяти. У большинства обзорщиков да и тут, память с tRFC 284 в стоке и до 180 можно опустить. Что в паре с 32767 tREFI может дать не плохие результаты.

Но в целом даже 69,8ns в современных реалиях это печально, на новой мультплатформе (играх) где задержки будут порядка 50ns это может стать серьезной проблемой. Единственное что может спасти (а может и сейчас спасает) это большие кэши L1/L2/L3. Косвенно об этом можно судить по тому что при включение CoD производительность в играх проседает. Это происходит потому что десктопная система не будет раскидывать процессы игры по NUMA узлам, и сами игры не особо умеют работать с NUMA. В итоге кэша становится в 2 раза меньше (в этом случае L3 делится поровну между узлами).


Память брал тут: https://aliexpress.ru/item/32792886868. ... 33ed7dzlyP
Её штатные тайминги:

но ещё раз повторюсь, советовать её не стану.

Спасибо, выставление tCWL=14 позволило снизить до 14/12/12/30, которые вроде бы стабильны (нужно подольше проверить).
А при tCL=13 и tCWL=12 начинает сразу сильно сыпать ошибками.


У меня в asrock-е постоянная ругань на access violation, а в aida-е отчего-то tCWL отображается строго на 2 больше, чем выставлено в биосе или показывает тот же mem tweakit.


Я скорее о том, что вроде считается, что в 4-канальном режиме тот же latency будет выше, чем в двухканальном, что заставляет задуматься, заведется ли 4-канал с теми же таймингами, что удалось поставить на 2-х. И да, понятно, что частота невысокая, но так-то по цене на али б/у Samsung ECC хотя бы на 2666 МГц уже слишком ощутимо дороже его же на 2400 МГц. Во всяком случае модули по 8 ГБ.

А откуда информация про более высокие задержки 4х канала?
У меня вот такая информация есть:
"Помимо чередования доступа к памяти по каналам (англ. channel interleaving) процессоры E5 могут использовать чередование по рангам (англ. rank interleaving). Значительное, порядка 12 %, увеличение пропускной способности памяти достигается при использовании 2-кратного чередования по рангам (установка по одному 2-ранговому модулю на канал или по два 1-ранговых модуля на канал). Переход к 4-кратному чередованию может обеспечить ещё 2-3 %7."

Из моей практики и из тестов на ютубе количество каналов не влияет на задержки если всё сделано правильно. Но уже не первый раз встречаю мнение что 4х канал даёт больше задержку.

Проблема 4х канала в том что если у вас 4 плашки и 3 из них берут 11-12-12-28-160 а четвертая 13-13-13-30-200. То вся память будет работать на 13-13-13.

Ну и в целом разгонный потенциал ниже и даже если по отдельности все берут 11-12-12-28 то в 4 канала для прохождения стрес тестов придется поставить 12-12-12-28.
Плюсы 2х канала: 2х16 значительно дешевле 4х8 (на али), проще разгон, меньше вероятность похерить разгон одной плохой плашкой.