AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.05.2019 Фото: 25
mikron0612 если не ошибаюсь, то trdrd scl и twrwr scl ставишь на 4 и латентность падает. А вообще странно , память у меня такая-же, но 3600 safe чуть получше 16-19-16-16 А, у тебя двухранковая, не заметил
_________________ 9 5900Х, ASUS ROG Crosshair VIII Formula, BL2K16G30C15U4WL, fractal design ion+ 860p, PowerColor Red Devil 6900 XT
Есть ли смысл охлаждать память? Сейчас баллистиксы с разгоном до 3600, но ощутимо греются, видимо потому, что двухрановая. Есть возможность добавить водоблок на них. Или водоблоки на память ставят ради красоты/экстремального разгона?
_________________ AMD Ryzen 3900x / GIGABYTE X570 AORUS PRO / Ballistix@3800cl16 16GB x 2 / EK-KIT P360 / GIGABYTE GeForce RTX 2080 Super / Sound BlasterX AE-5
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 24.06.2019
r3n3gad3 писал(а):
у меня не отборный b-die же
b-die тут отличный. а по отборности их тож дофига. я конеш тоже савсем не уверен,что такие плашки возьмут 3800сл14. но стартовать должны. проверь все таиминги в биосе ,мож в рядом стоящих ты перепутал цифры.подпись исправь свою,ведь не 1700х у тебя уже.
mikron0612 писал(а):
как latency снизить
ну если все по кальку стоит, то power down поставь в disable.
_________________ Crosshair VI Hero_R7_1700,3900mhz_4x8gb b-die_3500mhz_palit_GTX 1070
Последний раз редактировалось qwerttttyy 30.08.2019 16:28, всего редактировалось 3 раз(а).
так вот накинув настройки слева - они даже на 3000 не заводятся
это какой-то позор
мне нужно решить что-то в кратчайшие сроки: либо сдать нафиг эти балистикс спорт и больше ни с чем, кроме самсунг не связываться, либо таки вернуться к нужной мне частоте. последнее мне вообще не видится.
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 24.06.2019
так а при каком напряжении ты их на 3000 пвтаешься запустить? а те таиминги,что слева, поедут при 1.45+ примерно. только ненадо снова писать про твои самсунги и 1.35
_________________ Crosshair VI Hero_R7_1700,3900mhz_4x8gb b-die_3500mhz_palit_GTX 1070
Последний раз редактировалось qwerttttyy 30.08.2019 16:46, всего редактировалось 1 раз.
так а при каком напряжении ты их на 3000 пвтаешься запустить? а те таиминги,что слева, поедут при 1.45+ примерно. только ненадо снова писать про твои самсунги и 1.35
еще раз, самсунг работает при напряжении 1.29v на частоте 3400 с меньшими таймингами и стоил он дешевле. писал про самсунг и буду - ибо эталон
я не 1 в 1 выставлял тайминги, скомбинировал справа и слева, по максимальному значению
Сдайте просто микрон обратно в магазин, пока не поздно
Из спортивного интереса хотел завезти, пусть и с большими таймингами, этот микрон. Альтернатив что-то не вижу, самсунг исчез из продажи (одноранк) Очень сильно рассчитывал на этот микрон, т.к. у него заявлена работа на 3200 при 1.35в
Что еще сопоставимо с этими самсунг оем? продавать свои 2х8гб нет никакого желания
Последний раз редактировалось CTyDeHT 30.08.2019 17:05, всего редактировалось 1 раз.
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 24.06.2019
CTyDeHT писал(а):
еще раз, самсунг работает при напряжении 1.29v на частоте 3400 с меньшими таймингами и стоил он дешевле
да хоть 10 раз,ты че такое трудный. если ты боишься выше 1.4 на память дать, то так и укажи у себя в профиле или подписи, чтоб люди не мучались, пытаясь понять, почему у всех едет,а у тебя нет.
_________________ Crosshair VI Hero_R7_1700,3900mhz_4x8gb b-die_3500mhz_palit_GTX 1070
Последний раз редактировалось qwerttttyy 30.08.2019 17:05, всего редактировалось 1 раз.
выставлю 3200 для начала и проверь, будет ли совместно работать с самсунгом у меня сейчас стоят 4планки и spd недоступен, разбирать очень не хочу, но видимо придется.
я тайминги конечно же немного поднял взяв за основу картинку слева
скинь свои настройки целиком. у меня цель - вернуть 3400
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.05.2019 Фото: 25
CTyDeHT писал(а):
совместно работать
забудь, ну может я такой криворукий конечно, но у меня так и не получилось запустить планки в нормальном виде- было 2 e-die, b-die, и d-die, ни какие варианты не заведуться- ни по лучшей памяти, не по худшей. Только вручную подбирать- долго, муторно и бесполезно. Завелось на 3333 с напругой 1.35, вроде работало и проходило все проверки, но время от времени валилась с ошибками (через пару тройку дней). Выкинул, оставил 2 баллистика, завел на 3600 и успокоился.
_________________ 9 5900Х, ASUS ROG Crosshair VIII Formula, BL2K16G30C15U4WL, fractal design ion+ 860p, PowerColor Red Devil 6900 XT
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения