AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.04.2017 Фото: 0
anta777 писал(а):
А почему RTL вышел 60, а не 59 ? tRAS=37 не идет?
я с этим hyperx устал воевать очень бедовая память tras можно было хоть 28 влепить, но это ухудшало псп 39 было оптимально. я вообще от отпускания tras в последнее время вижу только плюсы
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
xyliganoanta777 гуру, расскажите о пользе режима 1Т и имеет ли смысл гнать кеш? А то по методике камрада запустил 4133с17 на 1Т и прошел тесты, но латентность не особо изменилась по сравнению с 4200с17 т2. А кеш на 4700 даже не стартует при проце 4800, на 4600 стартует, но требует больше вольтажа, на 4500 вроде нормально. xyligano камрад, а чем ты процы на стабильность тестируешь на таких частотах? а то вроде очень горячо должно быть.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Завтра думаю стабилизировать 4200с17 на 1т, пока с RTL Init в авто со значением 74 и на вольтажах стабильных для режима 2Т вылетел из экстрим теста через 40 минут, думаю чего ему поддать?
Добавлено спустя 2 минуты 46 секунд:
adept1 писал(а):
Насколько больше вольтажа кэш требует?
4500 по сравнению с 4300 просил +0,005 к офсету 4600 стартует только +0,01 к офсету по сравнению с 4500, и это не стабилизировал его еще(прайм вылетает одно ядро).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.09.2012 Откуда: Москва Фото: 1
garison87 писал(а):
4500 по сравнению с 4300 просил +0,005 к офсету 4600 стартует только +0,01 к офсету по сравнению с 4500, и это не стабилизировал его еще(прайм вылетает одно ядро).
Ну это немного совсем. А vcore какой стоит в биос?
_________________ i7-14700kf, asus rog strix Z790-E gaming wi-fi II , t-force xtreem 2х16gb 6400cl32, asus 3080Ti strix oc
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.04.2017 Фото: 0
garison87 писал(а):
расскажите о пользе режима 1Т
CR1 и mode 2 (у асус) в первую очередь приводят к более жесткой тренировке RTL IOL а уже после - это уменьшение интервала в тактах собственно прям кардинального прироста в производительности CR1 не даёт. он и в бенчмарках то косметический эффект даёт, а в прикладных задачах может не давать ничего или быть проблемой но если цель скриншотик и "купила мама коника... яка цудова играшка... гы гы гы", а плата позволяет, то почему нет?
garison87 писал(а):
и имеет ли смысл гнать кеш?
и да, и нет рост кэша даёт рост производительности причём везде, даже в сайнбенч (который к памяти не чувствителен) но прирост таки косметический в прикладных задачах, если брать 8700к или 9900к (т.к. кэш изначально не медленный. это не x99, где разгон кэша наше всё ибо он по дефолту на дне был) а вот нагрев от разгона кэша порой большой. напряжение кэша привязано к напряжению ядра, и часто ядрам достаточно напряжения, а кэшу - нет. пытаясь пройти бенчмарки ты накидываешь напряжения и иногда кэш дефолт в сравнении с разгоном кэша под частоту ядер даёт вплоть до 10 градусов разницы по температуре опять же, вопрос какую ставить цель скриншотик? пожалуйста. игры? на здоровье работа? сомнительно если процесс настройки памяти есть приведение таймингов к формульным значениям, что доступно в любом диапазоне - от 2133мгц до 4500мгц и целью имеет корреткность таймингов то разгон кэша на 1151 это по сути разгон ради разгона. могу поднять и поднимаю. да, это уменьшает латенси. да это даёт какие-то проценты в бенчах. и до определённого (индивидуального уровня для каждого камня) это имеет смысл. а дальше напряжение требуется больше, чем даётся профита
garison87 писал(а):
а чем ты процы на стабильность тестируешь на таких частотах? а то вроде очень горячо должно быть.
а это 9900к после скальпа
#77 #77
и там всё равно под сотню камень не самый удачный в плане напряжения прижим у nh-d15 плохой
так было "из коробки" #77 #77 а так я немного поправил, но без использования наждачки (ибо не мой кулер, чтобы его насиловать) #77
ну и я ж повесил тесты. система прошла все конфиги тестмем5 начиная со стандартного. линкс с HT и без. все три сайнбенча.
и да, и нет рост кэша даёт рост производительности причём везде, даже в сайнбенч (который к памяти не чувствителен) но прирост таки косметический в прикладных задачах, если брать 8700к или 9900к (т.к. кэш изначально не медленный. это не x99, где разгон кэша наше всё ибо он по дефолту на дне был) а вот нагрев от разгона кэша порой большой. напряжение кэша привязано к напряжению ядра, и часто ядрам достаточно напряжения, а кэшу - нет. пытаясь пройти бенчмарки ты накидываешь напряжения и иногда кэш дефолт в сравнении с разгоном кэша под частоту ядер даёт вплоть до 10 градусов разницы по температуре опять же, вопрос какую ставить цель скриншотик? пожалуйста. игры? на здоровье работа? сомнительно если процесс настройки памяти есть приведение таймингов к формульным значениям, что доступно в любом диапазоне - от 2133мгц до 4500мгц и целью имеет корреткность таймингов то разгон кэша на 1151 это по сути разгон ради разгона. могу поднять и поднимаю. да, это уменьшает латенси. да это даёт какие-то проценты в бенчах. и до определённого (индивидуального уровня для каждого камня) это имеет смысл. а дальше напряжение требуется больше, чем даётся профита
Миллионы миллионов роликов на ютубе, где кольцо даёт мощный прирост особенно 1 и 01% (редкие и очень редкие события). Сам в этом убедился не раз тоже. Есть такая игра; варфейс +10% фпс и минус к просадкам по фпс, видно без графиков! В играх ааа - это конечно не особо важно.
Последний раз редактировалось Алексей_177 02.09.2019 3:04, всего редактировалось 1 раз.
а ты не указывай куда мне идти, сам проверить если не хочешь - твои проблемы! А дезинформировать людей, такое себе. А не запускается у него потому-что, нужно минимум 200мгц между ядрами и кольцом. Либо вообще в небо вольтаж задирать.
Последний раз редактировалось Алексей_177 02.09.2019 3:09, всего редактировалось 3 раз(а).
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 04.07.2008 Откуда: Москва
Разогнался микрон до 3800, но из режима сна windows не восстанавливается. Он даже при XMP не восстанавливается. Только при 2700 нормально восстанавливается. Проверьте как у вас с этим? Пуск, завершение работы, спящий режим.
MSI Z390 MEG ACE выбивается в личный топ 1 из тройки "meg ace, taichi и hero"
Здравствуйте! Имею MSI Z390 MEG ACE и 9900k. При разгоне памяти до 4к с таймингами 17-17-17-38 проходит тесты аиды memtest и linx. При понижении вторичных, в частности FAW до 16 или 24(при соответственном выставлении TRRD=4 или 6) в linx значительно вырастает производительность(477gflops), но и температура камня близится к критической, с учетом того, что камень работает на 4.7 и один тест linx провалился. По умолчанию TRRD стоят 7 и 9. Оставил так и выставил FAW 36. Производительность в linx становится 400, температура терпимая - 90 градусов. Пока оставил так. Вообще это нормально, такой рост температур в linx при изменении FAW? Позже скину скрин со всеми таймингами. А вообще как-то так у меня:
Можно ли что-то подкрутить? Не хочется мне провала linx. Да и температуры какие-то страшные если faw понижать еще. Пока вторичные не трогаешь, камень в linx греется ну до 82 градусов. Сегодня погоняю еще testmem5. После разгона наблюдал два зависания в PUBG намертво, на секунду примерно. В этот момент полностью падала нагрузка на видеокарту. Но это было с FAW 16, сейчас в PUBG все ок. С приведенным выше конфигом было только два таких же зависания в Rise of Tomb Rider - тоже пропадала нагрузка на видеокарту на секунду. Но потом в течении часа все работало нормально, ни статеров, ни фризов. В ассасинах, вотч догс и доте все ок. Прогонял в Linx несколько прогонов по 3x8192 и в аиде минут 30.
aida
#77
_________________ i9-9900K/MSI MEG Z390 ACE/Dark Rock Pro 3/F4-4000C16D-32GVK/Asus TUF OC RTX 3080/FD Meshify C TG Black/Seasonic Focus Plus Platinum 850
Последний раз редактировалось Yaz1k 02.09.2019 8:14, всего редактировалось 2 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
xyligano писал(а):
garison87 писал(а): расскажите о пользе режима 1Т
CR1 и mode 2 (у асус) в первую очередь приводят к более жесткой тренировке RTL IOL а уже после - это уменьшение интервала в тактах собственно прям кардинального прироста в производительности CR1 не даёт. он и в бенчмарках то косметический эффект даёт, а в прикладных задачах может не давать ничего или быть проблемой но если цель скриншотик и "купила мама коника... яка цудова играшка... гы гы гы", а плата позволяет, то почему нет? garison87 писал(а): и имеет ли смысл гнать кеш?
и да, и нет рост кэша даёт рост производительности причём везде, даже в сайнбенч (который к памяти не чувствителен) но прирост таки косметический в прикладных задачах, если брать 8700к или 9900к (т.к. кэш изначально не медленный. это не x99, где разгон кэша наше всё ибо он по дефолту на дне был) а вот нагрев от разгона кэша порой большой. напряжение кэша привязано к напряжению ядра, и часто ядрам достаточно напряжения, а кэшу - нет. пытаясь пройти бенчмарки ты накидываешь напряжения и иногда кэш дефолт в сравнении с разгоном кэша под частоту ядер даёт вплоть до 10 градусов разницы по температуре опять же, вопрос какую ставить цель скриншотик? пожалуйста. игры? на здоровье работа? сомнительно если процесс настройки памяти есть приведение таймингов к формульным значениям, что доступно в любом диапазоне - от 2133мгц до 4500мгц и целью имеет корреткность таймингов то разгон кэша на 1151 это по сути разгон ради разгона. могу поднять и поднимаю. да, это уменьшает латенси. да это даёт какие-то проценты в бенчах. и до определённого (индивидуального уровня для каждого камня) это имеет смысл. а дальше напряжение требуется больше, чем даётся профита garison87 писал(а): а чем ты процы на стабильность тестируешь на таких частотах? а то вроде очень горячо должно быть.
а это 9900к после скальпа Скрытый текст
Закрыть
и там всё равно под сотню камень не самый удачный в плане напряжения прижим у nh-d15 плохой Скрытый текст так было "из коробки"
а так я немного поправил, но без использования наждачки (ибо не мой кулер, чтобы его насиловать)
Закрыть
ну и я ж повесил тесты. система прошла все конфиги тестмем5 начиная со стандартного. линкс с HT и без. все три сайнбенча. Скрытый текст
я его там еще в прикладном погонял для себя
Спасибо, Камрад! Ты не в курсе встанет ноктуа 15 на гену? чтобы память не перекрыла. Ну и чем проверить прирост от памяти(а то не могу определиться оставить 4133cr1 или 4200cr2 вольтажи одинаковы в этих режимах).
Алексей_177 писал(а):
Миллионы миллионов роликов на ютубе, где кольцо даёт мощный прирост особенно 1 и 01% (редкие и очень редкие события). Сам в этом убедился не раз тоже. Есть такая игра; варфейс +10% фпс и минус к просадкам по фпс, видно без графиков! В играх ааа - это конечно не особо важно.
а есть ссылка на ролик от какого-нибудь ресурса, которому можно доверять?
Добавлено спустя 4 минуты 43 секунды:
broxxa писал(а):
Добрый день!Хочу разобраться,почему TWR в разных программах показывает разные значения,и какие из них реальные?В биосе стоит TWR 12.
шапку хоть почитай как ставится этот тайминг. а так асрок показывает правильное значение, а чтобы в асус показывало правильно нужно 1 настройку в биос поставить в энебл. называется мемори рилтайм таймингс.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.09.2008 Фото: 0
Добрый день, пришёл поделиться результатом разгона Patriot Viper Steel (PVS416G440C9K).
Результат до настройки таймингов
#77
Результат после настройки
#77
В таком виде память стабильна в ТM5 с профилем Экстрим при таких напряжениях: #77 Возможно, VCCIO и VCCSA можно было бы снизить ещё ниже, но пока лень искать минимальные значения.
P.S. Отдельную благодарность хотел выразить комраду AAA868 за помощь в ЛС, в результате, собственно в итоге его результат и был мною успешно скопирован за исключением значения tRFC.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.04.2018 Фото: 0
garison87 писал(а):
асрок показывает правильное значение, а чтобы в асус показывало правильно нужно 1 настройку в биос поставить в энебл. называется мемори рилтайм таймингс.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 8
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения