Я придерживаюсь мнения, что напряжение на память лучше выставлять кратным 30 мВ.
Я не уверен, что это проблемы мониторинга.
Что мешает мониторить с дискретностью 5 мВ?

Да, и он был в списке из 3 тестов FFT,N63,VT3. 2 часа гонялся тест, ошибок не выявлено.

Я не разработчик DDR стандартов, не могу знать. Могу лишь предположить, что дело в том, что эти показатели снимаются на самих модулях ОЗУ - и либо передача данных с них, либо сам способ мониторинга, не предполагает дискретность ниже
Кстати, VDDQ тоже мониторится с дискретностью 15мВ, и тоже порой скачет (что нормально, когда нагрузка скачет)
А вот VDDIO уже не имеет такой большой дискретности, ибо мониторится на самой МП

Добавлено спустя 6 минут 7 секунд:
Ок. Но это ничем не подкреплено, и основывается исключительно на мониторинге в hwinfo, который очевидно отображает округлённые значения с шагом 15мВ

А почему у меня во время тестирования память проседает с 1.35 до 1.32, есть какой то тайный смысл?

Это нормально. В нагрузке растёт потребление энергии, из-за чего проседает напряжение. Аналогичное поведение можно наблюдать на ядрах ЦП к примеру

Всем привет, подскажите пожалуйста, как можно улучшить тайминги
Пробывал ставить такие но система не стартует даже с учетом поднятия вольтажа до 1.38

tRCD 36 tRAS 48 tRC 84 tRFC 484 RRDS 8 RRDL 8 tFAW 32 tWTRS 4 tWTRL 16 tRTP 12 tWR 48 RDRDSCL 6 WRWRSCL 6 RDWR 16 WRRD 2
Так попробуй

STAJIEVAR У меня так настроено на 6200, на 6000 было бы тоже самое, только 30-36-36-48 trc 84. Для 6000 fclk 2000 надо, скорее всего вся нестабильность из-за того, что 2200 выставил.

А я бы тебе посоветовал водоблок на память, если руки прямые(не как у меня). Но с одним ньюансом. Только если в этом контуре нет карты. Если в этом же контуре будет карта - нет смысла. Еще горячей будет чем на пассиве. У меня 2 контура, один на память + проц, другой на карту. Могу позволить себе крутить эту память сколько угодно. Только вот я одну планки рипнул, когда снимал сток радики, теперь у меня две разные планки))))

хм...не такая и большая с моим тестом учитывая частоту в 6200, а настраивали как нибудь цп? я только СО -20 поставил, есть вроде еще какие то настройки в биосе для цп которые могут уменьшить Latency

Память настраивается при процессоре в стоке.

То же самое, сделал только CO -20, остальное всё в Авто. Core tunings for gaming режим Legacy если у тебя есть, без него у меня латенси 69, но мне кажется судя по твоей латенси у тебя итак уже так работает. У нас материнские платы на разных чипсетах, да и память абсолютно разная. У тебя чтение даже выше получилось, чем у меня на 6200, возможно от самой памяти тоже зависит. Напряжения высокие у тебя для 6000, vsoc, vddio, vddq

вот что получилось

Добавлено спустя 2 минуты 21 секунду:

Core tunings for gaming у меня авто а напряжение такое по Expo профилю.

tREFI=65535
fclk поднимать до максимума стабильного

GDM-off (на асусах это ADDR_CMD_MODE = Buf)
Дальше по желанию уменьшить вольтажи, или так пользовать

Testmem5 выдаёт ошибки "Ошибка в тесте 2", режим Heavy anta777

STAJIEVAR FCLK 2200 максимум, выше не надо

STAJIEVAR попробуй поочерёдно поднять или VDDP=1000mv, или MEM VDD=1.4