AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.09.2016 Фото: 10
И так первые попытки с Patriot Viper Steel, как и просили выкладываю результаты частота 3200 14-14-14-14-34( остальные авто) Memory Voltage: 1.35 V SOC Voltage: 1.1 V
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.09.2016 Фото: 10
fedx писал(а):
Gear down mode даёт выключить? Если да, то крутые плашки.
Так по скольку я чайник звеняйте парни торможу. Ща подсмотрел в статье 1usmus вариант и его пробывал частота 3200 14-14-14-14-28 Напряжение SOC: 1,025 В Напряжение памяти: 1,35 В
Здравствуйте. Приобрел DDR4 из Китая 2*8GB . Перед покупкой продавец скидывал фото планок и по маркировке на чипах было понятно, что это Samsung B-die чипы K4A8G085WB-BCTD с 19-19-19-19-43 на 2666мгц."B-die по 40$, надо брать"- заказал.Получил, решил это дело разогнать и столкнулся с проблемой: Материнская плата MSI B45 Tomahawk с последним биосом при частоте 3200 автоматом устанавливает высокие тайминги (20-22-22-22-52 – ошибок в мемтестах нет), руками и методом научного «тыка» для стабильной работы получилось опустить до 20-21-21-21-40 при 1.39в DDR и 1.06в SoC. «Это же B-die - должны быть лучше результаты, Dram Ryzen Calculator сейчас все порешает»- подумал я. Тайфун последней версии показал странные данные(нет обозначения типа чипа B-die,C-die и т.д.), отчет из Тайфуна не получается импортировать в Dram Ryzen Calculator – вместо значений импортируется название памяти. Как-то все кривенько в Тайфуне отображается.Появились очень большие сомнения в принадлежности чипов к Samsung,.
1. Как окончательно узнать что это за чипы на самом деле?
2. Как импортировать данные по памяти в Dram Ryzen Calculator? Может вручную как-то можно? Но опять же, к какому типу чипов отнести...
3. Как здесь понизить тайминги и выжать максимум из этого чуда китайской мысли?
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
Idolxby писал(а):
1. Как окончательно узнать что это за чипы на самом деле?
2. Как импортировать данные по памяти в Dram Ryzen Calculator? Может вручную как-то можно? Но опять же, к какому типу чипов отнести...
3. Как здесь понизить тайминги и выжать максимум из этого чуда китайской мысли?
40 долларов за обе плашки или за одну? Если за одну, можно было купить T-die в Ситилинке и жопу не рвать... Samsung В-die в калькуляторе, это отборные плашки, неудивительно что нет старта. Вам же нужно выбирать Samsung OEM пресет, но на таком чуде, не факт что взлетит. Импортировать ничего не надо, весь калькулятор интуитивно понятен, выбрали поколение процев, чипы, количество рангов, плашек и нажали XMP, выбрали Сейф или Фаст, сфоткали - вбили в биос. Два пальца в рот и удавился...
40 долларов за обе плашки или за одну? Если за одну, можно было купить T-die в Ситилинке и жопу не рвать... Samsung В-die в калькуляторе, это отборные плашки, неудивительно что нет старта. Вам же нужно выбирать Samsung OEM пресет, но на таком чуде, не факт что взлетит. Импортировать ничего не надо, весь калькулятор интуитивно понятен, выбрали поколение процев, чипы, количество рангов, плашек и нажали XMP, выбрали Сейф или Фаст, сфоткали - вбили в биос. Два пальца в рот и удавился...
40$ за штуку, я из Рб и за такую цену T-die у нас нет. Пробовал так делать в калькуляторе - не загружается винда , сразу синий экран или вообще не стартует.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
Первички по 18 поставьте, GDM enable и CAD_BUS 20-20-20-20 Soc Voltage вручную 1.1, DRAM Voltage 1.35 , частота 3000. Всё равно старта нет? ЗЫ За что не люблю поделия "дядюшки Ляо" - так это за то что может быть внутри что угодно, да и сам текстолит и прочее - хз из чего сделано.
Первички по 18 поставьте, GDM enable и CAD_BUS 20-20-20-20 Soc Voltage вручную 1.1, DRAM Voltage 1.35 , частота 3000. Всё равно старта нет? ЗЫ За что не люблю поделия "дядюшки Ляо" - так это за то что может быть внутри что угодно, да и сам текстолит и прочее - хз из чего сделано.
А остальные параметры в авто или с калькулятора брать?
Из калькулятора конечно, от и до вбивать, всё что есть, ибо "авто" только на 2-3х платах хорошо пашет.
Попробовал. Вобщем, если выбирать в калькуляторе v1.4.1 OEM Samsung, то ни при каких вариантах значений для 3200 и 3000 не стартовал комп, даже до загрузки биоса не доходило. Нашёл калькулятор версии 0.9.9, в который данные можно вводить вручную. Вот теперь стал запускаться и загружается винда на таймингах 18-19-19-39 3200мгц, но крайне нестабилен. Провел тест в Аиде и не заметил разницы в скоростях и задержке в сравнении с выбранными материнской платой значениями(но там все стабильно работает). Это тупик, предел ? Есть ли смысл здесь пытаться ещё что-то "выкроить"?)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.12.2002 Фото: 0
Idolxby писал(а):
Здравствуйте. Приобрел DDR4 из Китая 2*8GB . Перед покупкой продавец скидывал фото планок и по маркировке на чипах было понятно, что это Samsung B-die чипы K4A8G085WB-BCTD с 19-19-19-19-43 на 2666мгц."B-die по 40$, надо брать"- заказал.
Бро, тебя обманули. Это не B-die и даже не Samsung Китайцы сейчас взяли на вооружение технологию раскрашивания микросхем. Напишут краской, что хочешь. Я уже такие "hynix"ы на C-die видел на chiphell. Присмотрись внимательно, может почирикай ножичком по микросхемам ))
Бро, тебя обманули. Это не B-die и даже не Samsung Китайцы сейчас взяли на вооружение технологию раскрашивания микросхем. Напишут краской, что хочешь. Я уже такие "hynix"ы на C-die видел на chiphell. Присмотрись внимательно, может почирикай ножичком по микросхемам ))
Да я уже понял, что обманули. Теперь вот пытаюсь и этого УГ выжать максимум ))
Сейчас этот форум просматривают: ashap88, Bigsun, RW и гости: 32
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения