там речь шла за 8планок@1866+анлок(ты же тестил 1866 без оного)+ тайминги
хм попробуй вместо 112 =0(т.е авто) поставить и поглядеть... а так, тем более, при твоих нынешних таймингах в 2133 смысла нет.
ну поставь прогони аиду и узнаешь а так чем больше, тем лучше. А зависит смогёт ли твоя память в безошибочность с таким значением или нет.(там кстати 32512, а не 3251(недописал ))

Пришёл второй модуль DDR4 2133MHz Samsung. Вот первый, сейчас работает, выше уже показывал:



Вот пришёл сегодня:




Слава Богу, одинаковая! Память ещё не ставил. Думаю попробовать как в разные каналы (разъёмы с разными буквами), так и в один канал, на одну букву, слоты 1 и 2 на Huananzhi X99 F8. Вроде, в разных каналах по-любому должны заработать. Проверю на практике сегодня вечером. Уже скоро.

для ориентира Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #17081587 те, c поправкой(2<->4 ) что у тебя на F8 основные это те которые черные на TF. Теоретически для 2678v3 лучшее(не в плане задержки) это ближние основные слоты по обе стороны проца(=вторые слоты от проца считая по обе стороны ).

Как вы думаете, в какие слоты я воткнул два имеющихся модуля? Конечно же в A1 и A2, специально, чтобы сымитировать ситуацию, будто у меня уже все 4 канала, A1, B1, C1 и D1 уже имеют по одному модулю и нужно добавлять ещё по одному, чтобы выйти на заявленную ёмкость 256Гб. Угадал. Судя по скорости, работа продолжилась с 64ГБ в одном канале.
До установки второго модуля, для единственного модуля в позиции DIMM1A, при работе на 2133МГц, были настроены такие тайминги (насколько хватило терпения):

Command Timing 1N
Refresh Rate 8325
CAS Latency 12
tRP 11
tRCD 12
tRAS 12
tWR 6
tRFC 232
tRRD 4
tRTP 0
tWTR 0
tFAW 0
tRC 0
tCWL 12

Те, что с нулями, просто не хватило информации и терпения проверить. Так вот, эти тайминги были настроены для одного модуля в позиции DIMM1A. Поставил второй модуль рядом, в позицию DIMM2A. Биос не сбрасывал.
К моему удивлению, компьютер запустился. Запустил "Memtest86 V8.4 Free". По слоту в позиции DIMM2A пошли ошибки ECC, довольно часто, но не фиксировалось некорректируемых ошибок. Ждать окончания теста не стал.
При настройках таймингов выше, в одноканальном режиме, с одним модулем, по данным MemTest86 скорость памяти была 12248МБ/с. После установки второго, без исправления таймингов, скорость стала 11980МБ/с. И ошибки ECC.

Очевидно, Тайминги для одного модуля уже не подходят, когда на шинах адреса и данных сразу два модуля - больше нагрузка. Ставлю всё на авто (нули) и выключаю Intel XMP. Проверяю. Скорость упала до 11405МБ/с. Ошибки ECC стали значительно реже, но всё равно много - порядка пары десятков за один прогон теста, до конца не ждал. И только по второй, свежеустановленной планке.

Поменял модули местами. Похоже, они разные по своим фактическим таймингам. После смены плашек местами, скорость с настройками по-умолчанию упала до 11381МБ/с. Запустил тест. К моему сожалению, на первых секундах вышла первая ошибка ECC. И уже в слоте 0 (поз. DIMM1A), то есть, так же, на "новом" модуле. Подозреваю, модуль не совсем исправен. В отличие от первого, полученного мной модуля, на "новом" было заметно больше следов установки-извлечения, см. фото в моём сообщении выше. Буду пробовать модуль в одиночку. Если пойдут ошибки - значит, дефектен.

маловероятно, что ты выйдешь на проектные 256gb@2133 на 4ранговых модулях по 32гиг, что в принципе и указывают ошибки, когда их 2 в 1 канале. Однако можешь помутить так(первые две картинки) https://yadi.sk/d/UDPjeKV-zh9KUQ?w=1 в настройках биоса и поглядеть, + можно же и на 1866 заводить(там скорее всего проблем не будет)

Как я выяснил, ошибки идут даже когда планка одна, в том самом слоте, в котором купленная ранее работала без нареканий с подрезанными таймингами. Больше переживаю за принципиальную возможность. Сейчас просто попался сбойный модуль сам по себе, с ошибками, даже на дефолте, будучи одним-единственным.
Ещё немного помучаю дефектного - пробую локализовать адреса и тип дефекта. Отзывается на Moving Inversions, где-то во второй половине 32-х гигабайт. Включать в двухканал пока даже не пробовал. Но попробую.

Добавлено спустя 9 минут 12 секунд:
Попробовал вставить 4-х ранговые 32ГБ модули в слоты DIMMA1 и DIMMB1. Получил скорость в MemTest86 всего 13257МБ/с. Работает. Но есть ошибки ECC.

Есть информация, что четырехранговые планки 32 Гб полноценно работать не будут, а только двухранговые!

Уже в трёх местах читаю (в смежной ветке про 2011-3), что не будут. Но подробностей - ноль. Совсем не будут, или теперь полноценно. Буду выяснять.
Знать бы, как память соединяется с процессором и где могли накосячить китайцы? Не слыхал, чтобы для серверов с такими процессорами были какие-то ограничения.

проверь его на 1866, как оно будет, ну а на 2133 если настройки указанные применить, поменяет ли эт что-то у этого DDR4 модуля.

Пробовал снижать до 1866. Скорость падала совсем немного, ошибок стало намного меньше, но всё равно штук 7 ECC на прогон. Сейчас работает так:

• Модули вставлены в позиции DIMMA1 и DIMMB1.
• Чтобы устранить ошибки, достаточно одного действия. В настройках памяти выбрать "Enforce POR".
• С принудительным "Intel POR" скорость упала с 13527 (примерно, не записывал) до 13257МБ/с.
• Производительность по GeekBench5 Single/Multicore, на оптимизированных таймингах была 690/6533, стала 902/8077.

С этими настройками прошло полтора прогона MemTest86 V8.4 Free, без ошибок, на большее времени не хватило.
Пробовал разные режимы чередования банков и каналов в настройках Memory Map. Ни разу не уходил в отказ загрузки. Но любые параметры ниже, чем Bank Interleaving x4 и Channel Interleaving x2 приводили к снижению скорости. Большие изменений не давали, что логично, так как фактически было два канала по 4 банка в каждом.

интересно как оно(Enforce POR) на DDR3@2133 cебя поведёт в убирании ошибок ЕСС. Проверьте у кого есть возможность и были ECC(ака WHEA по HWinfo) ошибки.

Память Samsung ECC DDR3 4*16Gb в стоке была 1600 (тайминги 11-11-11-28). Память разогнал до 1833. Тайминги при этом 9-10-10-20-210 (CL=9 tRP=10 tRCD=10 tRAS=20 tRFC=210 tRC=37). Ошибки смотрел в программах TM5 (профиль Extreme1@anta777.cfg) и OCCT7.0.3 и при этом наблюдая WHEA (Windows Hardware Errors). Система: HUANANZHI X99-T8D + 2*Xeon E5-2678 v3
Волнует меня следующий вопрос. При тяжёлых тестах ОЗУ (OCCT, TM5) вижу что память нагревается до 80 градусов. На сколько такая температура нормальна для такой памяти? Какие вообще пределы нормальности для серверной памяти? Нужно ли что-то делать чтобы снизить температуру? В обычном режиме работы температура 40-50.

Тут: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393B2G70QH0-YK0/, в паспорте указано:

Operating Temperature Range 0 to 95°C

И сделано примечание, что при температуре свыше 85 градусов, нужно в два раза сократить интервал обновления данных. При температурах ниже 85 градусов, достаточно делать одно обновление каждые 7.8 микросекунд. Если же температура выше, то каждые 3.9мкс. Другими словами, если tREFI был "заоптимизирован" до максимума (больше - быстрее), то при перегреве память может начать двать ошибки, "забывать" данные из-за больших утечек тока ячеек при высокой температуре. Поэтому подбирвть интервал обновления лучше на горячую.

Короче, если плюёшь на чип и шипит - перегрев. Если ещё не шипит - норм.

а чего, маманя 2133 не могёт? Так то твои планки и на 2133 должны пахать в духе 10-11-11-25-10-240-4-5-5-16-36-10. Насчёт темпы, в тестах - лучше обдувать Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #16905452 , а в обычном применении смысла особо нет. С Enforce POR vs WHEA экспериментил?

благодарю, до спецификации я не дошёл))
этот параметр я не трогал
не стартует моя система на этой частоте. Я каждый модуль (их у меня 4шт) по отдельности не тестил, возможно какой-то и запустится. Там в биосе есть ещё частота 2000мгц , но это какой-то фейк, т.к. если эту частоту в биосе поставить, по факту в программах (aida64 и пр.) показывает что память работает на 1200мгц.
благодарю, понял.
сегодня попробую, если руки дойдут. О результатах отпишусь.

Двухпроцессорная сборка Huananzhi X99-F8D / 2*2678v3 / 2*8GB DDR4 Klissre 2600

Хочу проверить возможность разгона памяти.

Частота памяти 2133 для данной сборки это потолок, пробовал через БИОС 2200 выставить - рушится загрузка, остаётся подкручивать тайминги.
Вшитые тайминги по SDP:
@ 1122 МГц 16-16-16-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 52-618-393-292-6-4-6-24 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1052 МГц 15-15-15-34 (CL-RCD-RP-RAS) / 49-579-369-274-6-4-6-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)

Реальные тайминги вытащить не могу, все утилиты показывают разные значения.

AIDA 16-16-16-36 CR2
CPU-Z 10-10-10-28 CR1 и почему-то одноканальный режим.
HWiNFO 16-16-16-35 CR2 тоже одноканал.
Mem TweakIt и Timing Configurator вообще выдают дичь 31-31-31-63 CR3

При попытке изменения основных таймингов в программах Mem TweakIt и Timing Configurator не происходит ничего, они просто сбрасываются в начальное значение. Но как только я пытаюсь изменить допустим CAS Write Latency система зависает намертво.

Возможно ли и главное, есть ли смысл, разгонять выше значений Чтение 28200/Запись 20500? Или не заморачиваться и для 4х канала просто докупить еще 2 такие же палки?

Может кому пригодится: особенность "правильного" двухканального режима в том, что планки нужно располагать по разные стороны процессора. Иначе таже Аида пишет что канала 2, но по реальным тестам видно, что канал один.

реальные они гдет здесь↓, а показывают или не показывают Mem TweakIt и Timing Configurator зависит от расположения плашек Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #17081587, + мемтвик https://yadi.sk/d/LXG-Y5LE1O4dvw возможно у тебя не правильный , потому как он везде показывал до тебя(возможно двухпроцессорки эт отдельная история)
асрок тож такой https://yadi.sk/d/uPuiWe0Q9We1DA глянь

В общем, дела идут так:

• второй модуль памяти оказался хуже первого, несмотря на различие только в серийном номере.
• ошибки ECC у второго модуля шли даже при таймингах по-умолчанию, когда модуль стоял в одиночестве, в позиции А1. Перестановки, чистки контактов не помогали. Помогали только ограничения Intel PoR.
• оставил оба модуля в двухканальном режиме. По Memtest86 13.25ГБ/с скорость
• чем больше тестировал, тем меньше становилось ошибок. Парадокс, но начав с наличия ECC на таймингах по-умолчанию, удалось поджать тайминги в двухканальном режиме ниже номинальных. Enforce PoR больше не требуется.
• Второй модуль по-прежнему хуже первого. Если пережать тайминг, ошибки идут, в первую очередь, с него.

Такое впечатление, что память давно не работала и "забыла" как это делать. И стала нормально работать после того, как её "погоняли".

Добавлено спустя 4 часа 33 минуты 7 секунд:
Дополню. Речь о работе двух 4-х ранговых модулей памяти LRDIMM DDR4 2133 32ГБ в двухканальном режиме на Huananzhi X99-F8.
Проверил BIOS производителя от 20 августа. Есть пункт "Rank multiplication", Auto/Disabled. При смене на работу не влияет никак. Отсюда вывод: Rank multiplication с четырехранговыми модулями не используется, что понятно, так как ограничение - 8 рангов на канал, а у меня пока 4. Скорость работы памяти между BIOSами Хуананджи и айИнжинера различается на единицы МБ/с.
Пару недель прошло, комп работает с 64ГБ без сбоев.

Статистика разгона памяти DDR-4 на платформах INTEL. Обсуждение результатов. Советы. #17042373 , а так 32512 ставь далее по обстановке вниз Статистика разгона памяти DDR-4 на платформах INTEL. Обсуждение результатов. Советы. #17003563

trfc не ужимается, потому как, у тя 8GB одноранги =4G чипы =240@2133 ну и соотв на 1866 чутка меньше ака твои 212
а вообще не трогал бы ты его и забил в биосе при@1866 в духе:
9-10-10-24-10-240-4-5-5-16-36-9
8-10-10-22-8-240-4-4-4-16-36-8
8-9-9-22-8-240-4-4-4-16-36-8
и поглядел, как оно будет и потом трогать trfc
+ cделай второй подход к @2133 в духе
11-12-12-28-12-240-5-6-6-22-45-10
для начала, а там видно будет
За доп. минус латеность - CMD Normalization в enabled Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #16938631 если ещё не включал

здрасьте,
извините, если не в туда пишу, но как допонять, что за паметь с маркеровкой sec 630 BYKO K4B4G0846C ELKS08GDN, я только понял, что это самсунк, в спд прошиты 11 тайминги для 1600, но без проблем берет СЛ9, думаю и СЛ8 возмет, я попробовал загулить, но с тамки набором букв ничего не нашел