1. Читаем одну на выбор статью от, ✔ 1usmus или ✔ i2hard, а так-же статью по работе Dram Calculator от ✔ i2hard, устанавливаем необходимое программное обеспечение из шапки темы, смотрим примерные результаты разгона памяти из шапки, для понимания пределов возможностей вашего железа. Загружаем картинки с запросами на этот форум через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler".

2. Не используем XMP профили, это как правило, настройки для систем на базе Intel, за очень редким исключением, соответственно режим XMP протестирован на совместимость именно для Intel, к тому же, заводская настройка не блещет идеальным подбором таймингов и напряжений и можно получить примерно до 20-30% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также использование профиля XMP, чревато завышенным вольтажом на контроллер памяти.

3. Правильная установка модулей – A2+B2 (для двух модулей).

4. Перед настройкой частоты и таймингов рекомендуется установить принудительное охлаждения на модули памяти, особенно для памяти с чипами Samsung B-die, повышение температуры памяти выше 48°, может сопровождаться дополнительными ошибками, не связанными с неправильной настройкой таймингов, что затруднит их поиск и общую настройку памяти.

5. tRFC2 и tRFC4 не имеют физической реализации, потому их в некоторых версиях BIOS, отсутствуют эти значения всегда, всегда оставляйте эти параметры в Авто, так-же в Авто, оставляйте tCWL.

6. Худший модуль памяти (требующий большего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.

7. При желании протестировать память избыточным тестом в TM5 с конфигом 1usmus_v3 меняем количество 3-х циклов в "mt.cfg", "cycles=3" скажем на 8 или более

8. Если нет бута на частоте памяти 3800Mhz, то проверяем возможности IF вашего CPU, для этого выставляем частоту памяти на 3200Mhz, а IF например на 1900, пробуем загрузиться...

9. Краткая методичка по настройке памяти от The KMS: Краткая инструкция...

Гайд по основным нововведениям DRAM Calculator for Ryzen от 1usmus

Гайд по разгону памяти для новичков от lDevilDriverl.

Сопротивления ProcODT, RttNom, RttWr, RttPark.

Для процессоров 4000 серии с APU Renoir

- Micron B-Die: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... 4.1276765/
- Hynix CJR, Hynix 8Gbit DDR4 CJR "C-Die" (H5AN8G8NCJR): https://www.hardwareluxx.de/community/f ... 06340.html
- Crucial Ballistix DDR4-3600 32GB (2x16GB) [BL2K16G36C16U4R]: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... w.1264873/
- Hynix MFR, AMD Radeon R7 (R748G2133U2S): https://www.overclockers.ru/lab/85777/o ... -0-6a.html
- Hynix MFR, Kingston: http://club.dns-shop.ru/hardware/%D0%94 ... -Kingston/
- Hynix AFR, AMD Radeon R9 (R948G3206U2S): https://www.overclockers.ru/lab/86046/o ... -0-6a.html
- Micron A-Die: https://www.overclockers.ru/lab/85288/o ... 0-0-6.html
- Micron D-Die / Spectek: https://www.overclockers.ru/lab/85658/o ... -0-6a.html
- Samsung C-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84886/obzor-i-testirovanie-chetyreh-modulej-operativnoj-pamyati-ddr4-2400-samsung-m378a1k43cb2-crc-obemom-8-gbajt-kogda-amd-vystupaet-luchshe-intel.html
- Samsung E-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84775/o ... 0-0-6.html
Таблица TRFC для разных типов памяти

xyligano - J-die
RoMiLiUs - J-die

Да я знаю про такое поведение. В видео все рассказано и показано наглядно, почему мы видим такое (подсказка: погрешности, обусловленные подключением датчика SuperIO). Vcore корректно отображает напряжение на ЦП только на асус кроссхэйр 8 серии. На остальных корректнее смотреть непосредственно на датчики самого ЦП (как и на асусах, кстати) либо на выходное напряжение ВРМ как датчик при наличии или мультиком (в данном случае выходное напряжение - это напряжение после LLC, например на контактах дросселей, выглядывающих из-под радиатора).

Напряжение на цп определяется как разница напряжения ВРМ и вдрупа, который опреляется как произведение сопротивления LLC на ток цп. Чем больше ток - тем больше друп, тем меньше напряжение на ЦП.
Или мы нарушаем законы физики и при прохождении через сопротивление выходное напряжение растёт?

Погрешность всегда будет. 1.3В на одном датчике - это одно напряжение будет при любом LLC, погрешность зависит от тока. А ток ЦП при равной частоте будет один и почти независим от LLC. И я повторяюсь: если тебе нужно 1.285В(пример) для прохождения линкс, то датчик будет показывать 1.3В. Как правило шаг на 3-4 ступени LLC даёт снижение напряжения стабильности на 10-20мВ за счет снижения бросков/колебаний напряжения при переходных процессах. Это есть в результатах экспериментов Элмора. Я дал достаточно инфы, чтобы с этим разобраться, но ты предпочитаешь спорить, не ознакомившись.

PBO работает в соответствии с таблицей заводских откалиброванных напряжений для данного ЦП. Если заводские испытания показали, что для 4100 ему нужно 1.3В, а для 4300 нужны 1.45 - то он и будет их запрашивать у ВРМ, и уже это напряжение будет снижаться. Ты опять показываешь, что даже не глянул ссылки. ВРМ не может дать разное напряжение на каждое ядро.

Тебе надо 1.3В по показаниям датчика для прохождения стресс-теста при любом LLC. Это могут быть реальные 1.2В, которые при одном LLC получатся дропом с выставленных 1.25В, а при другом - с выставленных 1.3В.

Одно ядро будет всегда требовать меньше напряжения, чем 6. Четыря ядра будут требовать меньшее напряжение , чем 6. Чем меньше ядер - тем меньше нужно напряжение для сохранения стабильности в рамках одного ЦП. Не веришь мне - поверь своим глазам. Найди напряжение стабильности для определенной частоты ЦП для шести ядер, потом отключи 5 из них и найди напряжение для одного.
Я не собираюсь в теме по памяти далее обсуждать работу питальника платы. Для этого есть тема по ЦП и матплатам. Тем более ты даже не хочешь почитать/посмотреть приведенные ссылки.

А ты с головой сначало научись дружить. Или у тебя ее нет, раз ты на чужое видео ссылается?