AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.04.2017 Фото: 0
MASTER. писал(а):
Скажите как подбирается параметр tRFC ?
рассчитывается в нс для каждого типа чипов и переводится в такты по формуле time (ns) = cycles * 2000 / ddr-freq например 160нс на частоте 4000мгц (типичное для самсунг b-die) есть 160*4000/2000 = 320 (cycles)
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Agiliter писал(а):
Norst RRD_S - задержка команды активации между банками в одной группе банков. например ACT BankGroup(0) Bank(0) Raw(n) -RRD_S- ACT BG(0) Bank(1) RAW(n) , где n - любая строка. RRD_L _ задержка активации между банками в разных группах банков. ACT BG(0) Bank(n) Raw(n) -RRD_L- ACT BG(1) Bank(n) RAW(n) В одной группе банков времени требуется больше.
Нужно поправить местами RRDS и RRDL.
Добавлено спустя 39 секунд:
xyligano писал(а):
в общем не так важна память, как важен её "оператор" и собственно настройка будет время как-нибудь, таки потестирую разогнанный в сопли b-die и какой-нибудь такой hynix m-die на своих пределах для каждого кита c 1080ти в играх думаю на практике разницы не будет Добавлено спустя 1 минуту 52 секунды: семерки в rdrd и IOL, к сожалению, не поправить никак вообще wtr наверное еще поджимается. но это пока так - предварительно
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.07.2014 Откуда: Санкт-Петербург Фото: 1
Agiliter писал(а):
Попробуйте RRD_S=4 RRD_L=6 FAW=24 и 28
icebeltik писал(а):
а tRRDS= 4 tRRDL = 8 не работает?
RRD_S=4 RRD_L=6 FAW=24 - работает. Насколько понимаю, это и есть оптимальный вариант?
anta777 писал(а):
При RRDS=5 RRDL=4 FAW=16 реально RRDL используется 5 и FAW=20,я так считаю.
На Ryzen, насколько я понимаю, фактически используемые тайминги посмотреть нет возможности? Скорость прохождения TM отличается, см. ниже.
Agiliter писал(а):
Если у вас очень существенные отличия то скорее всего где-то выправляет тайминги автоматом.
Отличия следующие. Скорость прохождения дефолтного пресета TM5 (понятно, что пресет слишком короткий, но картину отражает): RRD_S=5 RRD_L=4 FAW=16 - 4:35 (пресет из 1.6.0) RRD_S=4 RRD_L=6 FAW=24 - 4:44 RRD_S=5 RRD_L=5 FAW=20 - 5:02 RRD_S=6 RRD_L=6 FAW=24 - 5:02 Все вышеперечисленные связки проходят дефолтный тест без ошибок + 1-я была проверена пресетом Extreme. При RRD_S=4 RRD_L=6 FAW=16 (пресет из 1.6.1) - ошибки. Это все при 1.415V. Если навалить напряжения до 1.425V, то тест проходит даже для RRD_S=4 RRD_L=4 FAW=16. Однако учитывая, что асус любит завышать напряжение (насколько понял), оно уже может оказаться на границе 1.45V, поэтому такой вариант на постоянку мне не кажется хорошей идеей.
Последний раз редактировалось Norst 06.09.2019 22:05, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.03.2018 Фото: 4
Norst то есть хочешь сказать что tRRDS=5 tFAW 16 у тебя тесты проходит, а tRRDS 4 tFAW 16 нет? забавно у тебя кп тайминг исправляет. вопрос только какой
_________________ Ryzen1600x smt off //asus-rog b350-f//1080ti jetstream 1900/11400/1v// FlareX3200-GFX @3067cl12 //QuickFire TK RED
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.07.2014 Откуда: Санкт-Петербург Фото: 1
anta777 RRD_S=4 RRD_L=4 FAW=16 - 4:22
icebeltik то есть хочешь сказать что tRRDS=5 tFAW 16 у тебя тесты проходит, а tRRDS 4 tFAW 16 нет? Именно так. Причем, на дефолтном конфиге, ошибки возникают постоянно только во 2-м тесте, если это о чем-то говорит.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.03.2018 Фото: 4
Norst тогда оставляй tFAW=20 для второго варианта но вообще по поводу перевольтажа, моим китам на асусе и на 1.5v нормально. я вот этого кстати не понимаю, то есть райзены работают в стоке на 1.55v и всех это устраивает типа ничего не случится, а то что киты выше 1.45 так нет так нельзя сразу деграднут. ладно это уже офтоп
_________________ Ryzen1600x smt off //asus-rog b350-f//1080ti jetstream 1900/11400/1v// FlareX3200-GFX @3067cl12 //QuickFire TK RED
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
При CL=18 реально RDRD_dg=5, чтобы оно стало равным 4 нужно снизить CL до 17. Поэтому read и не растет, уперся в ограничение контроллера интел. Надо снижать частоту памяти до той, где потянет CL=17, read и вырастет. Есть еще одно неочевидное правило в документации по контроллеру интел: RDRD_dg+13>=tCL
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.04.2017 Фото: 0
anta777 писал(а):
При CL=18 реально RDRD_dg=5, чтобы оно стало равным 4 нужно снизить CL до 17. Поэтому read и не растет, уперся в ограничение контроллера интел. Надо снижать частоту памяти до той, где потянет CL=17, read и вырастет. Есть еще одно неочевидное правило в документации по контроллеру интел: RDRD_dg+13>=tCL
Ага. Буду пробовать
Добавлено спустя 2 минуты 35 секунд:
Battlenelf писал(а):
как каждая материнка и её биос упарываются с тренировкой
Это решается ручной правкой как правило. Саша (nuclearlion) уже принялся всякий хлам в научных целях настраивать на работе. Все настраивается. Даже селероны на мог весть каких платах.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.05.2017 Фото: 0
Всем привет. Имеются 2 кита Kingston HyperX predator HX436C17PB3K2/16 и G.Skill Trident Z (F4-3600C16D-16GTZKW). Kit kingston хуже. Разьемы памяти у меня пронумерованы цпу - 4-2-3-1. В документации советуют 2 планки устанавливать в 2-1 разъемы. Где то видел, что советуют для 2х разных китов в 2-1 похуже, 4-3 получше память устанавливать. А почему именно так(я про киты лучше\хуже)? На самом деле производитель советует устанавливать память(2 планки\кит) в разъемы 2-1, тк они являются окончанием шины памяти, те вешаем сопротивление на конец шины, что бы было меньше наводок\помех. В таком случае, правильно будет мне установить кингстоны в 4-3, тк сигнал получше будет, а г скилы в 2-1? Или все таки кингстоны в 2-1 и г скилы в 4-3?
Последний раз редактировалось AndreyHiTech 07.09.2019 10:19, всего редактировалось 1 раз.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения